[发明专利]一种漏电保护插头有效
申请号: | 201210057399.8 | 申请日: | 2012-03-07 |
公开(公告)号: | CN102544930A | 公开(公告)日: | 2012-07-04 |
发明(设计)人: | 刘睿刚 | 申请(专利权)人: | 佛山市新基德电子厂有限公司 |
主分类号: | H01R13/66 | 分类号: | H01R13/66;H01R13/70;H01R13/717 |
代理公司: | 佛山市永裕信专利代理有限公司 44206 | 代理人: | 朱永忠 |
地址: | 528000 广*** | 国省代码: | 广东;44 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 漏电 保护 插头 | ||
1.一种漏电保护插头,包含有外壳和插销、相线、零线、地线、零序电流互感器、试验回路、电磁脱扣与锁扣装置,该电磁脱扣与锁扣装置包含电磁线圈及其驱动电路、触头,所述电磁线圈的驱动电路主要由第1整流电路、第1可控硅组成,所述零序电流互感器次级绕组的一输出端与另一输出端分别和所述电磁线圈的驱动电路的一输入端与另一输入端连接,其特征在于:还设有第1阻容元件、第2阻容元件、光电耦合器、触发电路;在所述地线与零线之间连接有由所述第1阻容元件、所述光电耦合器的一输入端与另一输入端、所述第2阻容元件串联而成的检测回路;所述光电耦合器输出的信号送入所述触发电路的输入端,所述触发电路的输出端与所述电磁线圈的驱动电路的控制端连接。
2.根据权利要求1所述的漏电保护插头,其特征在于:在所述检测回路中还设有第2整流电路;所述第1阻容元件一端与所述地线连接,第1阻容元件另一端与第2整流电路一输入端连接,第2整流电路另一输入端与第2阻容元件一端连接,第2阻容元件另一端与所述零线连接;第2整流电路一输出端与另一输出端分别与所述光电耦合器的一输入端与另一输入端连接。
3.根据权利要求1所述的漏电保护插头,其特征在于:在所述检测回路中还设有第1二极管;所述第1二极管一端与所述地线连接,第1二极管另一端与第1阻容元件一端连接,第1阻容元件另一端与光电耦合器的一输入端连接,光电耦合器的另一输入端与第2阻容元件一端连接,第2阻容元件另一端与所述零线连接。
4.根据权利要求1所述的漏电保护插头,其特征在于:在所述检测回路中还设有第2二极管,所述第1阻容元件另一端与所述光电耦合器的一输入端的连接点和所述第2二极管一端连接,所述第2阻容元件一端与所述光电耦合器的另一输入端的连接点和所述第2二极管另一端连接。
5.根据权利要求1所述的漏电保护插头,其特征在于:所述第1或第2阻容元件为电阻或电容或电阻与电容的组件。
6.根据权利要求1所述的漏电保护插头,其特征在于:在所述电磁线圈的驱动电路中还设有放大电路,所述电磁线圈的驱动电路的一输入端与另一输入端分别为所述放大电路的一输入端与另一输入端,所述放大电路触发输出端输出的触发信号送入第1可控硅触发极。
7.根据权利要求1所述的漏电保护插头,其特征在于:所述电磁线圈的驱动电路的一输入端与另一输入端分别为所述第1可控硅的触发极与阴极。
8.根据权利要求1所述的漏电保护插头,其特征在于:在所述电磁线圈的驱动电路中还设有第1电阻、第2电阻、第3二极管、第1稳压二极管,所述第1电阻一端与所述第1整流电路输出端正极连接,第1电阻另一端与第2电阻一端连接,第2电阻另一端与第3二极管正极连接,第3二极管负极与所述第1整流电路输出端负极连接,第1电阻另一端与第2电阻一端的连接点和第1稳压二极管负极连接,第1稳压二极管正极与第1整流电路输出端负极连接,所述电磁线圈的驱动电路的一输入端与另一输入端分别为所述第1可控硅触发极与所述第3二极管正极。
9.根据权利要求1或6所述的漏电保护插头,其特征在于:所述触发电路由第1三极管、第3电阻组成;所述光电耦合器的一输出端分别与所述放大电路的电源端、所述第1三极管的集电极连接,所述光电耦合器的另一输出端分别与所述第1三极管的基极、第3电阻一端连接,第3电阻另一端分别与所述放大电路地端、第1整流电路输出端负极连接,第1三极管的发射极与所述第1可控硅的触发极连接。
10.根据权利要求1或7所述的漏电保护插头,其特征在于:在所述电磁线圈的驱动电路中还设有第2可控硅;其触发电路由第1三极管、第3电阻、第4电阻、第2稳压二极管组成;所述第4电阻一端与第1整流电路输出端正极连接,第4电阻另一端与第2稳压二极管负极连接,第2稳压二极管正极与所述第1整流电路输出端负极连接,所述光电耦合器的一输出端分别与所述第2稳压二极管负极、第1三极管的集电极连接,所述光电耦合器的另一输出端分别与所述第1三极管的基极、第3电阻一端连接,第3电阻另一端分别与第2稳压二极管正极、第1整流电路输出端负极连接,所述第1三极管的发射极与第2可控硅触发极连接,第2可控硅的阳极与阴极分别和第1可控硅的阳极与阴极并联连接。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于佛山市新基德电子厂有限公司,未经佛山市新基德电子厂有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201210057399.8/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。