[发明专利]一种1.5微米波段的反常色散滤光器及过滤信号的方法无效
申请号: | 201210042034.8 | 申请日: | 2012-02-22 |
公开(公告)号: | CN102545004A | 公开(公告)日: | 2012-07-04 |
发明(设计)人: | 陈景标;孙钦青 | 申请(专利权)人: | 北京大学 |
主分类号: | H01S3/0915 | 分类号: | H01S3/0915;H01S3/00;G02B27/28 |
代理公司: | 北京君尚知识产权代理事务所(普通合伙) 11200 | 代理人: | 余长江 |
地址: | 100871*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 1.5 微米 波段 反常 色散 滤光 过滤 信号 方法 | ||
1.一种5微米波段的反常色散滤光器过滤信号的方法,其步骤为:
1)在滤光光路中依次放置一第一起偏器、一铷灯、一第二起偏器;其中,所述铷灯置于一静磁场内,且靠近所述第一、二起偏器的两端可透光;
2)通过一加热装置将所述铷灯加热到设定温度范围内,并进行温度控制;
3)为所述铷灯提供所需的射频功率,使铷灯对目标信号光偏振面进行偏转;
4)调整所述第一起偏器或第二起偏器的偏振方向,对输入的信号光进行过滤,得到该目标信号光。
2.如权利要求1所述的方法,其特征在于所述静磁场为一均匀静磁场;所述静磁场方向与铷灯的滤光方向平行或垂直。
3.如权利要求1或2所述的方法,其特征在于所述静磁场、铷灯位于一磁屏蔽盒内。
4.如权利要求3所述的方法,其特征在于通过一第一磁体和一第二磁体提供所述静磁场,其中所述第一磁体和第二磁体极性相对,平行或垂直于所述铷灯的滤光方向放置。
5.如权利要求3所述的方法,其特征在于通过一射频耦合线圈为所述铷灯提供所需射频功率;其中,所述铷灯位于所述射频耦合线圈内,所述加热装置以及所述射频耦合线圈位于所述屏蔽盒内。
6.如权利要求1所述的方法,其特征在于通过一加直流电的射频耦合线圈提供所述静磁场,其中所述铷灯放置于所述射频耦合线圈内;所述静磁场为一均匀静磁场,所述静磁场和所述铷灯位于一磁屏蔽盒内。
7.如权利要求6所述的方法,其特征在于通过在所述射频耦合线圈上加一交流电,提供所述射频功率;所述加热装置以及所述射频耦合线圈位于所述屏蔽盒内。
8.如权利要求1所述的方法,其特征在于根据射频功率激发所述铷灯产生的光的颜色,确定该目标信号光所需的射频功率。
9.如权利要求1所述的方法,其特征在于所述信号光以设定角度从所述第一起偏器入射面入射;其中,所述信号光与入射面的夹角小于45°。
10.如权利要求9所述的方法,其特征在于所述第二起偏器前设有一干涉滤光片,用于滤除环境光。
11.如权利要求1所述的方法,其特征在于根据所述铷灯中铷原子及其工作能态确定所述静磁场的磁场大小和方向,使所述铷灯的滤光效果达到最大。
12.一种1.5微米波段的反常色散滤光器,其特征在于包括滤光光路中依次放置的一第一起偏器、一铷灯、一第二起偏器;其中,所述铷灯置于一静磁场内,且靠近所述第一、二起偏器的两端可透光;所述铷灯外绕有一射频耦合线圈,并设有一加热装置。
13.如权利要求12所述的滤光器,其特征在于所述静磁场为一均匀静磁场;所述静磁场方向与铷灯的滤光方向平行或垂直。
14.如权利要求13所述的滤光器,其特征在于所述静磁场、铷灯、加热装置以及所述射频耦合线位于一磁屏蔽盒内。
15.如权利要求12或13或14所述的滤光器,其特征在于通过一第一磁体和一第二磁体提供所述静磁场,其中第一磁体和第二磁体极性相对,平行或垂直于所述铷灯的滤光方向放置。
16.如权利要求12所述的滤光器,其特征在于所述射频耦合线圈上分别加一交流电和一直流电,其中通过所加直流电提供所述静磁场,通过所加交流电提供所需射频功率。
17.如权利要求16所述的滤光器,其特征在于所述静磁场为一均匀静磁场;所述铷灯放置于所述射频耦合线圈内;所述加热装置、射频耦合线圈和所述铷灯位于一磁屏蔽盒内。
18.如权利要求12所述的滤光器,其特征在于所述第二起偏器前设有一干涉滤光片,用于滤除环境光。
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