[发明专利]硅纳米线阵列或硅纳米孔阵列肖特基结型太阳能电池及其制备方法

权利要求书

1.一种硅纳米线阵列或硅纳米孔阵列肖特基结型太阳能电池，其特征是具有如下结构：

在P型硅基底层(7)的底面设置Al金属膜背电极层(6)，作为背面引出电极；P型硅基底层(7)位于Al金属膜背电极层(6)之上，作为太阳能电池的基区；P型硅纳米线阵列层(8)位于所述P型硅基底层(7)的上表面，在所述P型硅纳米线阵列层(8)的表面包裹有Ti金属层(9)，以所述Ti金属层(9)与所述P型硅纳米线阵列层(8)形成肖特基结；在所述Ti金属层(9)上设置Ti栅型电极(10)，作为正面引出电极；所述硅纳米线阵列或为硅纳米孔阵列。

2.一种权利要求1所述的硅纳米线阵或硅纳米孔阵列肖特基结型太阳能电池的制备方法，其特征是按如下过程进行：

首先采用金属辅助化学刻蚀的方法在P型硅基底层(7)的上表面制备P型硅纳米线阵列(8)；随后采用磁控溅射镀膜方法在所述P型硅纳米线阵列(8)的表面沉积包裹形成Ti金属层(9)，以所述Ti金属层(9)与P型硅纳米线阵列(8)形成肖特基结；之后采用电子束镀膜并使用掩模法在Ti金属层(9)的表面制备与所述Ti金属层(9)欧姆接触的Ti栅型电极(10)；用电子束镀膜在所述P型硅基底层(7)的底面沉积金属Al，形成Al金属膜背电极层(6)，作为背面欧姆接触电极，从而形成P型硅纳米线阵列或硅纳米孔阵列肖特基结型太阳能电池结构；所述硅纳米线阵列或为硅纳米孔阵列。

3.一种硅纳米线阵列或硅纳米孔阵列肖特基结型太阳能电池，其特征是具有如下结构：

在N型硅基底层(7)底面设置Ti金属膜背电极层(6)，作为背面引出电极；N型硅基底层(7)位于Ti金属膜背电极层(6)之上，作为太阳能电池的基区；N型硅纳米线阵列层(8)位于所述N型硅基底层(7)的上表面；在所述N型硅纳米线阵列层(8)的表面包裹有Au金属层或Pt金属层(9)，以所述Au金属层或Pt金属层(9)与所述N型硅纳米线阵列层(8)形成肖特基结；在所述Au金属层或Pt金属层(9)上设置Ag栅型电极(10)，作为正面引出电极；所述硅纳米线阵列或为硅纳米孔阵列。

4.根据权利要求3所述的硅纳米线阵列或硅纳米孔阵列肖特基结型太阳能电池的制备方法，其特征是按如下过程进行：

首先采用金属辅助化学刻蚀的方法在N型硅基底层(7)的上表面制备N型硅纳米线阵列(8)；随后采用磁控溅射镀膜方法在所述N型硅纳米线阵列(8)的表面沉积包裹形成Au金属层或Pt金属层(9)，以所述Au金属层或Pt金属层(9)与N型硅纳米线阵列(8)形成肖特基结，之后采用电子束镀膜并使用掩模法在Au金属层或Pt金属层(9)的表面制备与所述Au金属层或Pt金属层(9)欧姆接触的Ag栅型电极(10)；用电子束镀膜在所述N型硅基底层的底面沉积金属Ti，形成Ti金属膜背电极层(6)，作为背面欧姆接触电极，从而形成N型硅纳米线阵列或硅纳米孔阵列肖特基结型太阳能电池结构；所述硅纳米线阵列或为硅纳米孔阵列。