[发明专利]一种开关电源及其开关管的控制方法有效

专利信息
申请号: 201210028279.5 申请日: 2012-02-09
公开(公告)号: CN102594151A 公开(公告)日: 2012-07-18
发明(设计)人: 朱建培;谷文浩;董少青 申请(专利权)人: 辉芒微电子(深圳)有限公司
主分类号: H02M3/335 分类号: H02M3/335;H02M1/08
代理公司: 深圳市顺天达专利商标代理有限公司 44217 代理人: 郭伟刚;高瑞
地址: 518057 广东省深圳市南山区*** 国省代码: 广东;44
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摘要:
搜索关键词: 一种 开关电源 及其 开关 控制 方法
【权利要求书】:

1.一种开关电源,包括变压器、开关管、采样电阻和用于控制开关管通断的PWM控制芯片,其中,所述变压器的原边绕组的异名端连接直流输入电压,所述变压器的原边绕组的同名端连接所述开关管的集电极,所述开关管的基极连接PWM控制芯片的基极控制端,所述开关管的发射极通过采样电阻接地,所述开关管的发射极还连接PWM控制芯片的采样端;其特征在于,所述PWM控制芯片包括:

探测单元,用于探测当前周期的开关管导通时间;

LEB时间确定单元,用于根据所探测的当前周期的开关管导通时间确定下一周期的LEB时间,其中,所确定的下一周期的LEB时间大于开关管导通瞬间采样电阻上所产生的尖峰电压的最大持续时间,且小于开关管导通时间。

2.根据权利要求1所述的开关电源,其特征在于,所述探测单元包括:

振荡器,用于产生时钟周期;

计数器,用于根据振荡器产生的时钟周期对开关管的当前周期的基极控制信号的高电平进行计数;

译码器,用于对计数值进行译码,以确定当前周期的开关管导通时间。

3.根据权利要求2所述的开关电源,其特征在于,所述PWM控制芯片包括寄存器,且所述寄存器预先存储有开关管的多个导通时间及与每个导通时间所对应的LEB时间;

所述LEB时间确定单元用于根据所探测的当前周期的开关管导通时间,从寄存器中选择与所述当前周期的开关管导通时间相对应的LEB时间,并将所选择的LEB时间确定为下一周期的LEB时间。

4.根据权利要求2所述的开关电源,其特征在于,所述LEB时间确定单元用于将所探测的当前周期的开关管导通时间减去预设的固定时间,并将所得的差值确定为下一周期的LEB时间。

5.根据权利要求1所述的开关电源,其特征在于,所述探测单元用于通过探测当前周期的变压器的直流输入电压及PWM控制芯片内部的第二参考电压来确定当前周期的开关管导通时间。

6.根据权利要求5所述的开关电源,其特征在于,所述LEB时间确定单元包括反向器、第一开关、第二开关、充电电容、电流源、基准电压源、比较器、与门,其中,第一开关连接在比较器的反相输入端和地之间,电流源的第一端接地,电流源的第二端依次通过第二开关、充电电容接地,第二开关和充电电容的连接点接比较器的反相输入端,基准电压源的第一端接比较器的同相输入端,基准电压源的第二端接地,基极控制端分别连接第二开关的控制端和反向器的输入端,反向器的输出端连接第一开关的控制端,比较器的输出端接与门的第一输入端,与门的第二输入端接基极控制端,与门输出高电平的时间即为下一周期的LEB时间。

7.一种权利要求1所述的开关电源的开关管的控制方法,其特征在于,包括:

S1.探测当前周期的开关管导通时间;

S2.根据所探测的当前周期的开关管导通时间确定下一周期的LEB时间,其中,所确定的下一周期的LEB时间大于开关管导通瞬间采样电阻上所产生的尖峰电压的最大持续时间,且小于开关管导通时间。

8.根据权利要求7所述的开关电源的开关管的控制方法,其特征在于,所述步骤S1为:

根据振荡器产生的时钟周期,对开关管的当前周期的基极控制信号的高电平进行计数,并对计数值进行译码,以确定当前周期的开关管导通时间。

9.根据权利要求8所述的开关电源的开关管的控制方法,其特征在于,所述步骤S2为:

根据所探测的当前周期的开关管导通时间,从寄存器中选择与所述当前周期的开关管导通时间相对应的LEB时间,并将所选择的LEB时间确定为下一周期的LEB时间,其中,所述寄存器预先存储有开关管的多个导通时间及与每个导通时间所对应的LEB时间。

10.根据权利要求8所述的开关电源的开关管的控制方法,其特征在于,所述步骤S2为:

将所探测的当前周期的开关管导通时间减去预设的固定时间,并将所得的差值确定为下一周期的LEB时间。

11.根据权利要求7所述的开关电源的开关管的控制方法,其特征在于,在步骤S1中,通过探测当前周期的变压器的直流输入电压及PWM控制芯片内部的第二参考电压来确定当前周期的开关管导通时间。

12.根据权利要求11所述的开关电源的开关管的控制方法,其特征在于,在所述步骤S2中,根据所探测的当前周期的变压器的直流输入电压或PWM控制芯片内部的第二参考电压改变充电电容的充电时间,从充电电容开始充电到充电电容的电压上升到预设的参考电压的时间即为下一周期的LEB时间。

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