[发明专利]固态图像拾取装置有效

申请号：	201210024578.1	申请日：	2012-02-06
公开（公告）号：	CN102637753A	公开（公告）日：	2012-08-15
发明（设计）人：	小林昌弘	申请（专利权）人：	佳能株式会社
主分类号：	H01L31/0352	分类号：	H01L31/0352;H01L27/146
代理公司：	中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038	代理人：	杨小明
地址：	日本***	国省代码：	日本;JP
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摘要：
搜索关键词：	固态图像拾取装置
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【说明书】：

技术领域

本发明涉及固态图像拾取装置，并且特别涉及固态图像拾取装置的元件隔离结构。

背景技术

日本专利公开No.2009-016810公开了光电转换部分和像素晶体管(有源元件)之间的元件隔离结构。特别地，公开了具有以下特性的元件隔离结构。首先，在导电类型与像素晶体管的源极区域和漏极区域相反的半导体区域中形成元件隔离区域。第二，在不具有段差(level differences)的平坦状态中形成设置在从像素晶体管的沟道区域到元件隔离区域的区域中的绝缘膜。根据日本专利公开No.2009-016810，可通过这种元件隔离结构减少由像素晶体管占据的面积。

发明内容

根据本发明的固态图像拾取装置具有：包含有源区的半导体基板；第一导电类型的第一半导体区域；第二导电类型的第二半导体区域；浮动扩散区域；被设置在半导体基板上的绝缘体；和通过绝缘体被设置在半导体基板上并被配置为控制从第一半导体区域到浮动扩散区域的电荷的传送的传送栅电极，其中，第一半导体区域、第二半导体区域和浮动扩散区域被设置在有源区中，第一半导体区域的一部分被设置为与传送栅电极的一部分重叠，第一半导体区域的一部分和第二半导体区域被设置为在沿半导体基板和绝缘体的界面的方向上相互邻近，并且，从所述界面到第一半导体区域的所述一部分的杂质浓度峰的位置的距离不同于从所述界面到第二半导体区域的杂质浓度峰的位置的距离。

从参照附图对示例性实施例进行的以下描述，本发明的其它特征将变得清晰。

附图说明

图1是根据本发明的例子1的固态图像拾取装置的平面结构的示意图。

图2是根据本发明的例子1的固态图像拾取装置的等价电路图。

图3A是根据本发明的例子1的固态图像拾取装置的截面结构的示意图。

图3B是根据本发明的例子1的固态图像拾取装置的截面结构的示意图。

图3C是根据本发明的例子1的固态图像拾取装置的截面结构的示意图。

图4A是示出根据本发明的例子1的固态图像拾取装置的杂质分布的示图。

图4B是示出根据本发明的例子1的固态图像拾取装置的杂质分布的示图。

图5A是根据本发明的例子2的固态图像拾取装置的截面结构的示意图。

图5B是根据本发明的例子2的固态图像拾取装置的截面结构的示意图。

图5C是根据本发明的例子2的固态图像拾取装置的截面结构的示意图。