[发明专利]太阳能电池面板的接线盒无效
申请号: | 201210014740.1 | 申请日: | 2006-10-03 |
公开(公告)号: | CN102544156A | 公开(公告)日: | 2012-07-04 |
发明(设计)人: | 永井刚;石田淳 | 申请(专利权)人: | 欧南芭株式会社 |
主分类号: | H01L31/048 | 分类号: | H01L31/048;H01L31/02 |
代理公司: | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人: | 李玲 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 太阳能电池 面板 接线 | ||
本申请是于2006年10月3日提交、于2007年5月30日进入中国国家阶段、PCT国际申请号为PCT/JP2006/319779、中国国家申请号为200680001325.5、发明名称为“太阳能电池面板的接线盒”的申请之分案申请。
技术领域
本发明涉及用于晶体硅太阳能电池面板的接线盒,该接线盒可通过使用肖特基势垒二极管作为旁路二极管有效防止二极管和接线盒的温度升高。
背景技术
太阳能电池面板的接线盒一般配备有旁路二极管,该旁路二极管用于使通过在太阳能电池面板的电动势下降时施加从一个外连电缆到另一外连电缆的反向电压产生的电流短路。当旁路二极管实际执行该功能时,较大的电流沿二极管的正向流动,使得二极管一般剧烈发热。这会增加二极管可能坏掉的可能性,或者,二极管的寿命会大大缩短,或者构成接线盒的树脂会由于二极管产生的热而变形以从太阳能电池面板脱落。特别地,由于接线盒要在被安装在太阳能电池面板上的状态下在户外被使用长达二十年或更长时间,因此这种可能性很高。因此,考虑到长期安全性或可靠性的改进,需要在旁路二极管操作时有效防止旁路二极管的温度升高。
常规上,作为用于有效防止二极管温度升高的手段,一般采用通过在接线盒内配置散热板等允许二极管产生的热逸散到环境大气中的手段(日本专利申请公开公报(JP-A)No.2005-150277)。总之,这些手段的目标在于,通过允许二极管产生的热有效耗散,抑制二极管的温度升高。
另一方面,近年来,根据对增加太阳能电池的输出的需求,晶体硅太阳能电池比非晶硅太阳能电池更多地得到使用。但是,由于晶体硅太阳能电池的输出电流比非晶硅太阳能电池大30倍或更多倍,因此,晶体硅太阳能电池与非晶硅太阳能电池相比,二极管操作时流过二极管的电流的量大大增加,随之产生的热的量大大增加。因此,在被用于晶体硅太阳能电池中的接线盒中,不能通过简单地使用仅使用散热板等使二极管产生的热耗散的常规的一般手段完全抑制二极管的温度升高。
发明内容
鉴于这种常规技术的当前环境设计了本发明,并且,其目的在于,提供一种用于在用于晶体硅太阳能电池面板中的接线盒中有效防止旁路二极管操作时(即,当出现太阳能电池面板的异常时)的二极管的温度升高的更有效的手段。
为了解决上述问题,本发明的发明人对用于有效防止用于晶体硅太阳能电池面板中的接线盒中的二极管的温度升高的手段进行了深入的研究,结果,构思了抑制二极管本身的发热的思想而不是允许二极管产生的热耗散的手段。然后,本发明的发明人对其特定手段进行了进一步的研究,并意想不到地发现,可通过使用肖特基势垒二极管作为二极管有效抑制二极管本身的发热,并且可以在不暴露肖特基势垒二极管具有的缺点的情况下使用它们,由此完成本发明。
即,本发明是一种用于配备有旁路二极管的晶体硅太阳能电池面板的接线盒,其特征在于,所述旁路二极管是肖特基势垒二极管。根据本发明的接线盒的优选实施例,上述肖特基势垒二极管具有150℃或更高的结温度保证值,并且,通过10A的电流时的上述肖特基势垒二极管的正向电压降在25℃的结温度下为0.50V或更低(更优选为0.45V或更低),在100℃的结温度下为0.40V或更低(更优选为0.35V或更低),且在150℃的结温度下为0.35V或更低(更优选为0.30V或更低)。根据本发明的接线盒的另一优选实施例,接线盒还配备有用于允许由旁路二极管产生的热逸散的散热板和/或用于允许由旁路二极管产生的热逸散的加大的接线板。根据本发明的接线盒的另一优选实施例,肖特基势垒二极管是表面安装型或非绝缘型封装二极管。
在本发明的接线盒中,肖特基势垒二极管被用作旁路二极管,使得与常规上使用的PN二极管相比,操作二极管时的发热可被明显抑制。并且,由于本发明的接线盒针对晶体硅太阳能电池面板,因此肖特基势垒二极管具有的缺点可得到容许。因此,使用本发明的接线盒,二极管操作时的二极管和接线盒的温度升高可被预先防止。因此,将不存在二极管的破坏或寿命缩短,并且将不存在由于接线盒的变形导致的接线盒从太阳能电池面板的脱落,由此,可进一步提高接线盒的安全性和可靠性。
附图说明
图1是表示PN二极管和肖特基势垒二极管的结温度(Tj)和正向电压降(VF)之间的关系的示图。
图2表示配备有散热板的本发明的接线盒的一个例子。
图3表示配备有加大的接线板的本发明的接线盒的另一个例子。
图4表示表面安装型或非绝缘型封装二极管的底面结构。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
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H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的