[发明专利]OTP存储数据的写入与读取电路

说明书

技术领域

本发明特别涉及集成电路技术领域的一种MCU的存储器件的写入与读取电路。 

技术背景

对于可编程的OTP存储结构，数据传输端口为读写共用的双向端口，且写入数据时，OTP单元的栅极及漏极都需要加高压，因此对于OTP存储数据的烧写与读取电路，提出了特定的要求。对OTP写入数据时，栅极电压可直接通过高压管产生，写1时漏极电压需要达到“3-5V”，写0时漏极电压为低。为了达到要求的烧写电压，可以直接在烧写电路的漏极加高压结构，且不能影响读取电路，必须添加隔离读取的高压管。对OTP读取数据时，栅极电压为正常的读电平，不同的存储值，读取方式不同，存储的为0时，直接将0传输给读取电路，而读取为1时，OTP单元漏端为悬空态，需要靠读取电路将其最终输出拉高。此时读取时OTP单元漏端电压会受读取电路控制，超过1.8V，就会影响OTP工作寿命。 

发明内容

本发明目的在于提出一种结构简洁，且能正常对OTP写入与读取数据，又能保证OTP单元寿命的OTP存储数据的写入与读取电路。 

为实现上述目的，本发明提出如下技术方案： 

一种OTP存储数据的写入与读取电路，其特征在于，所述OTP存储数据的写入与读取电路包括第一、二、三、四、五、六、七、八、九、十、十一场效应管，第一、二、三、四非门，所述第五场效应管源极接接VDD，第五场效应管栅极与第七、第九场效应管栅极连接后再接Read_en信号，第五场效应管漏极与第六场效应管源极连接，第六场效应管漏极与第十一场效应管栅极、第七、第八场效应管漏极连接成一节点，第七、第八效应管源极连接后接地，第六场效应管栅极与第八场效应管栅极、第十一场效应管源极、第二、第三、第九场效应管漏极连接后再接OTP单元数据的输入输出端，第九场效应管源极接地，第十一场效应管漏极与第十场效应管漏极、第三非门输入端连接，第十场效应管源极接VDD，第十场效应管栅极接地，第三非门输出端与第四非门输入端连接，第四非门输出端与数据输出端连接，第二场效应管源极与第一场效应管漏极连接，第二场效应管栅极与第一非门输出端连接，第一场效应管源极接VDD，第一场效应管栅极与第四场效应管栅极、第二非门输出端连接，第二非门输入端与数据输入端连接，第三场效应管源极与第四场效应管漏极连接，第三场效应管栅极与第一非门输入端连接后再接Prog_en信号，第四场效应管源极接地。 

优选的，所述第一、二、五、六、十场效应管为PMOS管，第三、四、七、八、九、十一场效应管为NMOS管。 

本发明的工作原理为：OTP写入数据时，数据从数据输入端输入，当Prog_en使能信号有效时，如果数据为1，第一、第二场效应管导通，OTP单元数据的输入输出端In_out输出高电平VDD，当数据为0时，第三、第四场效应管导通，OTP单元数据的输入输出端In_out输出低电平0；OTP读出数据时，当Read_en使能信号有效时，第七、第九场效应管截止，存储的值为0时，由于第十场效应管为P管做的上拉电阻，即通过第十一场效应管，可将0传输给数据输出端Data_out，存储的值为1时，读出时，OTP单元数据的输入输出端端口悬空态，如果OTP单元数据的输入输出端电压超过1.2V，第八场效应管导通，第十一场效应管截止，通过第十场效应管的上拉作用，便可将输出端Data_out电压拉高；第九场效应管主要清零OTP单元数据线上的值，在不读也不写入的状态，清零OTP单元数据的输入输出端，保证读取时，读取正确的存储值。 

本发明的有益效果在于结构简洁，又能保证OTP工作寿命。 

附图说明

图1为OTP存储数据的写入与读取电路的整体电路图； 

图2和图3为OTP存储数据的写入电路电路图； 

图4为OTP存储数据的读取电路电路图。 

具体实施方案