[发明专利]应用于反激式电源的X电容放电控制装置有效

专利信息
申请号: 201210003248.4 申请日: 2012-01-06
公开(公告)号: CN103199690A 公开(公告)日: 2013-07-10
发明(设计)人: 雷晗;李进 申请(专利权)人: 西安展芯微电子技术有限公司
主分类号: H02M1/36 分类号: H02M1/36;H02M3/335
代理公司: 北京银龙知识产权代理有限公司 11243 代理人: 许静;赵爱军
地址: 710075 陕西省西安*** 国省代码: 陕西;61
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摘要:
搜索关键词: 应用于 反激式 电源 电容 放电 控制 装置
【权利要求书】:

1.一种应用于反激式电源的X电容放电控制装置,其特征在于,包括高压启动电路、交流电源检测电路和X电容放电电路,其中,

所述高压启动电路,用于在反激式电源的X电容两端接通交流电源后以恒定电流给反激式电源的控制芯片的电源稳压电容充电,并在该电源稳压电容两端的电压达到所述控制芯片的工作电压之后关闭;

所述交流电压检测电路,在高压启动电路关闭之后进入交流电压检测模式,检测所述X电容两端有无交流电压;当所述交流电压检测电路没有检测到所述X电容两端有交流电压时,控制所述X电容放电电路为所述X电容放电。

2.如权利要求1所述的应用于反激式电源的X电容放电控制装置,其特征在于,

所述高压启动电路包括第一薄膜晶体管、第二薄膜晶体管、第三薄膜晶体管、第四薄膜晶体管、第一电阻、第二电阻、第一二极管、第二二极管及UVLO控制模块;

所述第一薄膜晶体管,栅极分别与第一电阻的负极、第二薄膜晶体管的漏极和第四薄膜晶体管的漏极连接,源极与所述第二薄膜晶体管的栅极和第二电阻的正极连接,漏极与高压线连接;

所述第二薄膜晶体管,源极与所述第二电阻的负极以及第一二极管的阳极连接;

所述第三薄膜晶体管,栅极和漏极与所述第四薄膜晶体管的源极连接,源极接地;

所述UVLO控制模块,输入端与反激式电源的控制芯片的电源引脚连接,输出端与所述第四薄膜晶体管的栅极连接;

所述第一电阻的正极与高压线连接;

所述第一二极管的阴极与第二二极管的阳极连接;

所述第二二极管的阴极与电源稳压电容连接。

3.如权利要求2所述的应用于反激式电源的X电容放电控制装置,其特征在于,当所述电源引脚上的电压上升达到该控制芯片的启动阈值时,所述UVLO控制模块输出的UVLO信号是高电平信号,当所述电源引脚上的电压下降到该控制芯片的关断阈值时,所述UVLO控制模块输出的UVLO信号是低电平信号。

4.如权利要求2或3所述的应用于反激式电源的X电容放电控制装置,其特征在于,所述第一薄膜晶体管是高压NMOS晶体管;所述第一电阻是高压电阻。

5.如权利要求2或3所述的应用于反激式电源的X电容放电控制装置,其特征在于,

所述交流电源检测电路包括第五薄膜晶体管、第一电流源和第一计时器,其中,

所述第五薄膜晶体管的栅极与所述第三薄膜晶体管的栅极连接,构成电流镜;

所述第五薄膜晶体管的漏极分别所述第一电流源的一端和所述第一计时器的复位端连接;

所述第五NMOS晶体管的源极接地;

所述第一电流源的另一端与所述控制芯片的电源引脚连接。

6.如权利要求5所述的应用于反激式电源的X电容放电控制装置,其特征在于,

所述第一计时器,用于判断在预定时间内是否有复位信号输入所述复位端,如果有输出低电平信号,否则输出高电平信号。

7.如权利要求5所述的应用于反激式电源的X电容放电控制装置,其特征在于,

所述X电容放电电路包括第六薄膜晶体管和第三电阻元件,其中,

所述第六薄膜晶体管的漏极与第三电阻元件的负极连接;

所述第六薄膜晶体管的源极接地;

所述第六薄膜晶体管的栅极与第一计时器的输出端连接;

所述第三电阻元件的正极与高压线连接。

8.如权利要求7所述的应用于反激式电源的X电容放电控制装置,其特征在于,

所述第六薄膜晶体管为高压NMOS晶体管,所述第三电阻元件是高压电阻。

9.如权利要求7所述的应用于反激式电源的X电容放电控制装置,其特征在于,

所述第六薄膜晶体管为低压NMOS晶体管。

10.如权利要求7所述的应用于反激式电源的X电容放电控制装置,其特征在于,所述第三电阻元件是比MOS管、JFET晶体管或恒流源。

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