[发明专利]具有输出信号转换率控制的电子芯片有效
申请号: | 201210003001.2 | 申请日: | 2012-01-06 |
公开(公告)号: | CN102522950A | 公开(公告)日: | 2012-06-27 |
发明(设计)人: | 卢武宏 | 申请(专利权)人: | 美商威睿电通公司 |
主分类号: | H03B19/00 | 分类号: | H03B19/00 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人: | 钱大勇 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 具有 输出 信号 转换率 控制 电子 芯片 | ||
技术领域
本发明涉及电子芯片的输出信号的转换率控制(slew rate control),特别是涉及用于改善该输出信号对负载电容的电流过冲(current overshoot)现象。
背景技术
随着制造工艺的进步,电子芯片的工作频率提升、信号上升/下降时间受限、且芯片操作电压降低。伴随以上现象,电子芯片的数字输出级电路的转换率控制(slew rate control)需更严谨考虑电流过冲(current overshoot)问题,以避免电源杂讯、电磁干扰(EMI)与闭锁(latch up)等现象。
发明内容
本发明揭示一种具有输出信号转换率控制的电子芯片。
根据本发明一种实施方式所实现的一电子芯片包括:一转换率控制电路、以及耦接该电子芯片一输出脚位的一转换率控制充电晶体管与一转换率控制放电晶体管。根据该电子芯片的一输出级输入信号以及该输出脚位上的信号,该转换率控制电路产生一转换率控制充电信号以及一转换率控制放电信号,分别操控上述转换率控制充电晶体管与转换率控制放电晶体管充/放电该输出脚位所耦接的上述负载电容。
根据本发明另外一种实施方式所实现的一电子芯片包括多个转换率控制电路、以及耦接该电子芯片一输出脚位的多组转换率控制充电与放电晶体管。根据该电子芯片一输出级输入信号以及该输出脚位上的信号,所述转换率控制电路产生多组转换率控制充电与放电信号;不同转换率控制电路产生的这些组转换率控制充电与放电信号不同。上述多组转换率控制充电与放电晶体管是由上述多组转换率控制充电与放电信号分别控制,以充/放电该输出脚位所耦接的负载电容。
根据本发明另外一种实施方式所实现的一电子芯片包括多个转换率控制电路、以及耦接该电子芯片一输出脚位的多组转换率控制充电与放电晶体管。根据该电子芯片的一输出级输入信号以及该输出脚位上的信号,所述转换率控制电路产生多组转换率控制充电与放电信号。上述多组转换率控制充电与放电晶体管是由上述多组转换率控制充电与放电信号分别控制,以充/放电该输出脚位所耦接的负载电容。在此实施方式中,所述转换率控制电路是基于该负载电容的大小选择性致能。
为使本发明的上述目的、特征和优点能更明显易懂,下文特举实施例,并结合附图详细说明如下。
附图说明
图1图解所揭示的电子芯片的输出级设计;
图2图解该转换率控制输出缓冲器102的一种实施方式;
图3A至图3C图解转换率控制电路的多种实施方式。
附图符号说明
102~转换率控制输出缓冲器;
104~电路,包括封装与印刷电路板的寄生电阻、电感与电容;
202~前驱动电路;
300~转换率控制电路;
302~反相电路;
304~反相输出信号;
306~延迟输出信号;
308、310~反相器;
312~电阻;
322、324、326、328~传输门;
330~转换率控制电路;
332~反相电路;
334~第一反相输出信号;
336~第一延迟输出信号;
338~第二反相输出信号;
340~第二延迟输出信号;
342~反相器;
344~或非门;
346~反相器;
348~与非门;
350~反相器;
352~电阻;
362、364、366、368~传输门;
CL~外接负载的电容;
CSb~基准充电晶体管控制信号;
CS1...CSi...CSN~转换率控制充电信号;
DE<0:k>~数字控制信号;
DSb~基准放电晶体管控制信号;
DS1...DSi...DSN~转换率控制放电信号;
EN~致能信号;
IN~输出级输入信号;
Mpb、Mnb~基准充、放电晶体管;
Mp1-MpN~转换率控制充电晶体管;
Mn1-MnN~转换率控制放电晶体管;
OUT~输出脚位;
PI、NI、OI~转换率控制电路的输入端;
PO、NO~转换率控制电路的输出端;
QE~控制信号;
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