[发明专利]一种采用空心硅芯生长多晶硅的方法

权利要求书

1.一种采用空心硅芯生长多晶硅的方法，其特征是：包括以下步骤，将两根竖硅芯管(3)的下端与底座(5)上部设置的插柱(4)或套管(13)或插柱(4)与套管(13)之间的间隙连接，两根竖硅芯管(3)的上端与横硅芯管(2)或方硅芯(7)或圆硅芯(10)的两边搭接，获取“∏”形导电回路。

2.根据权利要求1所述的采用空心硅芯生长多晶硅的方法，其特征是：所述两根竖硅芯管(3)的下端与底座(5)上部设置的套管(13)连接，在两底座(5)上部面中部分别设有套管(13)，所述套管(13)的内管壁(15)分别与两根竖硅芯管(3)下部的外缘面插接连接，所述套管(13)的内管壁(15)与竖硅芯管(3)的外缘面紧密配合。

3.根据权利要求1所述的采用空心硅芯生长多晶硅的方法，其特征是：所述两根竖硅芯管(3)的下端与底座(5)上部设置的插柱(4)连接，在两底座(5)上部面中部分别设有插柱(4)，插柱(4)分别与两根竖硅芯管(3)的硅芯管孔(6)插接连接，所述插柱(4)的外缘面与竖硅芯管(3)的硅芯管孔(6)壁紧密配合。

4.根据权利要求1所述的采用空心硅芯生长多晶硅的方法，其特征是：所述两根竖硅芯管(3)的下端与底座(5)上部设置的插柱(4)与套管(13)之间间隙连接，在两底座(5)上部面中部分别设有插柱(4)，插柱(4)外部的底座(5)上间隔设有套管(13)，所述两根竖硅芯管(3)下部的插入插柱(4)与套管(13)之间的间隙内形成插接连接，所述竖硅芯管(3)的外缘面或硅芯管孔(6)与插柱(4)的外缘面或套管(13)的管壁(15)紧密配合。

5.根据权利要求3或4所述的采用空心硅芯生长多晶硅的方法，其特征是：在插柱(4)的上端设有尖头(11)或圆锥台(14)。

6.根据权利要求1所述的采用空心硅芯生长多晶硅的方法，其特征是：两根竖硅芯管(3)的上端与横硅芯管(2)的两边搭接，在两根竖硅芯管(3)的上端相对面一侧分别设有斜面，所述横硅芯管(2)的两端下部分别设有对应两根竖硅芯管(3)斜面的斜面，在横硅芯管(2)的两个斜面上分别设有口部小的豁口，在两根竖硅芯管(3)的斜面上分别设有端部大的插块，横硅芯管(2)的豁口与两根竖硅芯管(3)的插块连接形成榫卯对接(1)结构。

7.根据权利要求1所述的采用空心硅芯生长多晶硅的方法，其特征是：两根竖硅芯管(3)的上端与横硅芯管(2)的两边搭接，在两根竖硅芯管(3)的上端相对面一侧分别设有斜面，所述横硅芯管(2)的两端下部分别设有对应两根竖硅芯管(3)斜面的斜面，在横硅芯管(2)的两个斜面上分别设有端部大的插块，在两根竖硅芯管(3)的斜面上分别设有口部小的豁口，横硅芯管(2)的插块与两根竖硅芯管(3)的豁口连接形成另一替换的榫卯对接(1)结构。

8.根据权利要求1所述的采用空心硅芯生长多晶硅的方法，其特征是：两根竖硅芯管(3)的上端与方硅芯(7)的两边搭接，在两根竖硅芯管(3)的上端分别设有“V”形槽(8)，所述方硅芯(7)两边的一个角分别与两根竖硅芯管(3)上端的两“V”形槽(8)搭接。

9.根据权利要求1所述的采用空心硅芯生长多晶硅的方法，其特征是：两根竖硅芯管(3)的上端与方硅芯(7)的两边搭接，在两根竖硅芯管(3)的上端分别设有上部敞口的口字型槽，所述方硅芯(7)的两边三个面分别与两根竖硅芯管(3)上端的口字型的槽底部及其两个面搭接。

10.根据权利要求1所述的采用空心硅芯生长多晶硅的方法，其特征是：两根竖硅芯管(3)的上端与圆硅芯(10)的两边搭接，在两根竖硅芯管(3)的上端分别设有“U”形槽(12)，所述圆硅芯(10)的两边分别与两根竖硅芯管(3)上端的“U”形槽(12)搭接。