[发明专利]自来水水垢消除器无效

专利信息
申请号: 201110406720.4 申请日: 2011-12-08
公开(公告)号: CN102491538A 公开(公告)日: 2012-06-13
发明(设计)人: 王寅寅;何林 申请(专利权)人: 王寅寅
主分类号: C02F5/00 分类号: C02F5/00
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 233010 安徽省蚌埠*** 国省代码: 安徽;34
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摘要:
搜索关键词: 自来水 水垢 消除
【说明书】:

技术领域

发明属于电子技术与水处理技术领域,是关于一种自来水水垢消除器。

背景技术

自来水中水垢的主要成分是钙、镁、铁、铝、锰离子形成的碳酸盐、硫酸盐及硝酸盐等盐类,常含有汞、镉、砷、铅等少量有害元素。自来水中的水垢如不及时加以清除,将直接影响工业生产和人们日常生活。在工业上影响造纸、制药、电子、化工、食品饮料等行业的化学试验结果,严重时甚至会导致一定的后果;锅炉内沉积水垢不仅浪费燃料、缩短锅炉使用年限。在日常生活上,自来水的硬度过高,非常容易在容器内形成水垢,一旦形成水垢使烧开水将浪费1/3以上的燃料。不仅如此,水壶或电热水器使用一段时间后,其内壁就会结满一层厚厚的白色水垢,如不及时清除,反复用来烧水、装水后,有害元素的积累会越来越多,并且有些元素可能再次溶于水中,长期饮用这样水后就会影响人体的健康。

因此,人们在日常生活中采用了一些趋利避害的措施,如:借助电子消除装置产生的交变高压电场,干扰或重组自来水中用于形成水垢的钙、镁等离子,改变自来水中绝大部分的碳酸钙镁、碳酸钙镁及汞、镉、铅、砷离子原有特性,从而阻止水垢的形成,使自来水在煮沸过程中难于在容器中形成沉淀。

本发明所述的自来水水垢消除器即用此工作原理,通过附着在PPR自来水管上的两块半圆形金属片形成的高频电场来实现除垢。自来水水垢消除器可用于工业、实验室、居家、饮食用水的处理等方面。

以下详细说明本发明所述的自来水水垢消除器在制作过程中所涉及的相关技术内容。

发明内容

发明目的及有益效果:自来水中的水垢如不及时清除,将直接影响工业生产和人们的日常生活。在工业上,影响造纸、制药、电子、化工、食品饮料等行业的化学试验结果和生产;锅炉结垢不仅浪费燃料、缩短锅炉使用年限,甚至可能引起爆炸。在生活上,自来水的硬度过高,非常容易在容器内形成水垢,一旦形成水垢使烧开水将会浪费1/3以上的燃料。本发明是借助电子消除装置产生的交变高频电场,干扰或重组自来水中绝大部分的碳酸钙镁、碳酸钙镁及汞、镉、铅、砷离子原有特性,使自来水在煮沸过程中难于在容器中形成沉淀。自来水水垢消除器可用于工业、实验室、居家、饮食用水的处理。

电路的工作原理:自来水管中的水垢可以借助高压电场来消除。本发明所述的自来水水垢消除器即用此工作原理,通过附着在PPR塑料自来水管外壁上下的两块半圆形金属片来实现除垢功能。

采用时基电路IC1接成无稳态多谐振荡器。为了取得较强的、交变的高压电场,将高频振荡变压器T的输出峰值交变电压提升到≥400V,电容C2与高频荡频变压器T的初级线圈L1组成串联谐振电路。为了安全,高频荡频变压器T的次级线圈L2通过降压电阻R3使高频电压输出呈高阻抗状态。高频电场输出端子a和b通过两根软线连接到产生高压电场的两块金属片上,两块金属片要做好绝缘处理,以防止人体触及而感不适。

技术特征:自来水水垢消除器,由12V直流电源、无稳态多谐振荡器、升压电路及高频电场模块组成,其特征在于:

无稳态多谐振荡器电路中时基电路IC1选用的型号为NE555;

无稳态多谐振荡器:由时基电路IC1、电阻R1、电位器RP、电容C1组成,时基电路IC1的4脚和8脚接12V直流电源的正极VCC,时基电路IC1的2脚和6脚与电位器RP的一端及其活动臂、电容C1的一端相连,电容C1的另一端和时基电路IC1的1脚接电路地GND,电位器RP的另一端和电阻R1的一端接时基电路IC1的7脚,电阻R1的另一端接12V直流电源的正极VCC,时基电路IC1的3脚接升压电路;

升压电路:由电容C2、升压变压器T、降压电阻R2和高频电场模块组成,电容C2的一端接时基电路IC1的3脚,电容C2的另一端接升压变压器T初级线圈L1的一端,升压变压器T初级线圈L1的另一端接电路地GND,升压变压器T次级线圈L2的一端串接降压电阻R3后接高频电场模块输出端子a,升压变压器T次级线圈L2的另一端接高频电场模块输出端子b。

12V直流电源DC的负极接电路地GND。

附图说明

附图1是本发明提供一个自来水水垢消除器的实施例电路工作原理图;高频电场模块输出端子a和b分别接在两块半圆形的金属片上,12V直流电源DC的负极接电路地GND。

具体实施方式

按照附图1所示自来水水垢消除器的电路工作原理图和附图说明,并且按照发明内容所述的各部分电路中元器件之间的连接关系,以及实施方式中所述的元器件技术参数要求进行实施即可实现本发明。

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