[发明专利]氧化铝陶瓷基板30瓦贴片式负载片无效
申请号: | 201110264889.0 | 申请日: | 2011-09-08 |
公开(公告)号: | CN102361127A | 公开(公告)日: | 2012-02-22 |
发明(设计)人: | 郝敏 | 申请(专利权)人: | 苏州市新诚氏电子有限公司 |
主分类号: | H01P1/22 | 分类号: | H01P1/22 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 215000 江苏省苏州*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 氧化铝陶瓷 30 瓦贴片式 负载 | ||
技术领域
本发明涉及一种氧化铝陶瓷基板负载片,特别涉及一种氧化铝陶瓷基板30瓦贴片式负载片,功率达到30W,可使用于SMT领域,使客户端实现高速贴片,加速制程。
背景技术
目前市场上占主导地位的氧化铝陶瓷负载片价格低廉,主要用于消费类产业低功率(小于1瓦)片式电阻的生产。氧化铝氧化铝陶瓷与氮化铝陶瓷比较,其导热系数只有氮化铝陶瓷的四分之一左右,所以其导热性比较差,基于氧化铝基板的这种特性,其在大功率负载片上的应用得到了限制。而则主要用于通信行业的大功率的负载片目前主要采用采用散热更好的氮化铝基板或有毒的氧化铍陶瓷作为基板,而这两种陶瓷基板的价格为氧化铝陶瓷基板的10倍左右,甚至更高。目前多数负载片是采用的手工焊接或者回流焊工艺把负载片焊接到客户的产品上,再把引线焊接到负载片的焊盘上,此工艺的负载片背导层都是一个整体,焊接到客户的产品上后,整个背面与产品完全吻合,散热性能较好。目前有些客户采用了SMT贴片工艺,这样负载片背导层就需要留出缝隙,贴片完成后,背导层不能完全有产品接触,散热能力会变差。
然而基于生产成本的日益增加,市场需要有既要能满足功率,性能要求,又要价格低廉的产品出现。
发明内容
针对上述现有技术的不足,本发明要解决的技术问题是提供一种再价格 低廉,并且能够承受30W的功率,尺寸为6.35*6.35*1mm,性能能够达到3G使用要求的氧化铝陶瓷基板贴片式负载片。
为解决上述技术问题,本发明采用如下技术方案:
一种氧化铝陶瓷基板30瓦贴片式负载片,其包括一6.35*6.35*1mm的氧化铝基板,所述氧化铝基板的背面印刷有背导层,所述氧化铝基板的正面印刷有电阻及导线,所述导线连接所述电阻形成负载电路,所述负载电路的两端接地与所述背导层电连接,所述电阻上印刷有玻璃保护膜。
优选的,所述导线及玻璃保护膜的上表面还印刷有一层黑色保护膜。
优选的,所述背导层及导线由导电银浆印刷而成,所述电阻由电阻浆料印刷而成。
上述技术方案具有如下有益效果:该结构的30瓦贴片式负载片采用价格低廉的氧化铝基板,在保证价格优势的同时,具有良好的VSWR性能,在6.35*6.35*1mm的氧化铝陶瓷基板上的功率达到30W,适合于SMT贴片式生产工艺使用,可以使用于SMT领域进行机械化生产,从而加速制程,改变了原来的手工焊接方式,提高客户的生产效率。此技术方案拓宽了氧化铝基板的使用范围,将性能于价格更好地结合在一起,为客户提供了更多的选择以及性价比更好的产品。
上述说明仅是本发明技术方案的概述,为了能够更清楚了解本发明的技术手段,并可依照说明书的内容予以实施,以下以本发明的较佳实施例并配合附图详细说明如后。本发明的具体实施方式由以下实施例及其附图详细给出。
附图说明
图1为本发明实施例的结构示意图。
具体实施方式
下面结合附图对本发明的优选实施例进行详细介绍。
如图1所示,该氧化铝陶瓷基板30瓦贴片式负载片包括一6.35*6.35*1mm的氧化铝基板1,氧化铝基板1的背面印刷有分离的背导层6,氧化铝基板1的正面印刷有电阻3及导线2,导线2连接电阻3形成负载电路,负载电路的两端接地7与背导层通过银浆电连接,从而使负载电路接地导通。背导层及导线2由导电银浆印刷而成,电阻3由电阻浆料印刷而成。电阻3上印刷有玻璃保护膜4。导线2及玻璃保护膜4的上表面还印刷有一层黑色保护膜5。
该结构的氧化铝陶瓷基板30瓦贴片式负载片具有良好的VSWR性能,在6.35*6.35*1mm的氧化铝陶瓷基板上的功率达到30W,适合于SMT贴片式生产工艺使用,可以使用于SMT领域进行机械化生产,从而加速制程,改变了原来的手工焊接方式,提高客户的生产效率。此技术方案拓宽了氧化铝基板的使用范围,将性能于价格更好地结合在一起,为客户提供了更多的选择以及性价比更好的产品。
据检测该氧化铝陶瓷基板负载片能承受的功率非常稳定,能够完全达到通信期间吸收所需要功率的要求,
以上对本发明实施例所提供的一种氧化铝陶瓷基板30瓦贴片式负载片进行了详细介绍,对于本领域的一般技术人员,依据本发明实施例的思想,在具体实施方式及应用范围上均会有改变之处,综上所述,本说明书内容不应理解为对本发明的限制,凡依本发明设计思想所做的任何改变都在本发明的 保护范围之内。
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