[发明专利]一种应用活化硅源制备低硅NaX沸石的方法无效
| 申请号： | 201110257029.4 | 申请日： | 2011-09-02 |
| 公开（公告）号： | CN102417190A | 公开（公告）日： | 2012-04-18 |
| 发明（设计）人： | 王润伟;李守贵;曾尚景 | 申请（专利权）人： | 吉林大学 |
| 主分类号： | C01B39/22 | 分类号： | C01B39/22 |
| 代理公司： | 长春吉大专利代理有限责任公司 22201 | 代理人： | 张景林;刘喜生 |
| 地址： | 130012 吉*** | 国省代码： | 吉林;22 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 应用 活化 制备 nax 方法 | ||
1.一种应用活化硅源制备低硅NaX沸石的方法，其步骤如下：
1)制备活化硅源：向硅源中加入碱性铝源溶液，调节各原料的用量，使反应混合物中各成份的摩尔比为Na2O∶Al2O3∶SiO2∶H2O＝14～22∶1∶15～20∶250～400，然后将该反应体系陈化后得到活化硅源；
2)合成低硅NaX沸石：向活化硅源中加入铝源溶液及非必需的碱或酸溶液，调节各原料的用量，使反应混合物中各成份的摩尔比为Na2O∶Al2O3∶SiO2∶H2O＝1.8～5.0∶1∶2.1～2.5∶90～350；然后将反应混合物经晶化、过滤、洗涤和干燥步骤后得到低硅NaX沸石，其中SiO2与Al2O3的摩尔比低于2.10。
2.如权利要求1所述的一种应用活化硅源制备低硅NaX沸石的方法，其特征在于：步骤1)中的硅源为水玻璃、硅溶胶或无定形二氧化硅。
3.如权利要求1所述的一种应用活化硅源制备低硅NaX沸石的方法，其特征在于：步骤1)中的碱性铝源溶液是碱和铝源制成的溶液。
4.如权利要求1所述的一种应用活化硅源制备低硅NaX沸石的方法，其特征在于：步骤1)中的陈化是在25～60℃温度条件下陈化0.25～7天。
5.如权利要求1所述的一种应用活化硅源制备低硅NaX沸石的方法，其特征在于：步骤2)中的铝源为铝酸钠或氢氧化铝。
6.如权利要求1所述的一种应用活化硅源制备低硅NaX沸石的方法，其特征在于：步骤2)中的碱是氢氧化钠，酸是硫酸、盐酸或硝酸。
7.如权利要求1所述的一种应用活化硅源制备低硅NaX沸石的方法，其特征在于：步骤2)中的晶化是将反应物置于反应釜中，在30～100℃温度条件下静止晶化1～10天。
8.如权利要求1所述的一种应用活化硅源制备低硅NaX沸石的方法，其特征在于：步骤2)中的晶化是将反应物置于反应釜中，首先在50～60℃温度条件下晶化7～10h，然后在90～100℃温度条件下晶化5～10h。
9.如权利要求1所述的一种应用活化硅源制备低硅NaX沸石的方法，其特征在于：步骤2)中的干燥是在25～100℃温度条件下干燥。
10.如权利要求1所述的一种应用活化硅源制备低硅NaX沸石的方法，其特征在于：步骤2)中SiO2与Al2O3的摩尔比为2.0～2.10。
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