[发明专利]放射线成像设备及其控制方法、放射线成像系统

权利要求书

1.一种放射线成像设备，包括：

转换单元，具有以矩阵布置的多个像素，所述多个像素中的每一个包括转换元件、第一晶体管、以及第二晶体管，所述转换元件将放射线转换成电荷，所述第一晶体管的源电极和漏电极中的一个连接到所述转换元件的第一电极，所述第二晶体管的源电极和漏电极中的一个连接到所述转换元件的所述第一电极；

在列方向上布置的多条第一栅极线，其中，所述多条第一栅极线中的每一条连接到在行方向上布置的像素中所包括的第一晶体管的栅电极；

在列方向上布置的多条第二栅极线，其中，所述多条第二栅极线中的每一条连接到在行方向上布置的像素中所包括的第二晶体管的栅电极；

在行方向上布置的多条信号线，其中，所述多条信号线中的每一条连接到在列方向上布置的像素中所包括的第一晶体管的源电极和漏电极中的另一个；

第一电源，连接到所述多个像素中所包括的转换元件的第二电极，以供给第一电位；

第二电源，连接到所述多个像素中所包括的第二晶体管的源电极和漏电极中的另一个，以供给第二电位；

读取电路单元，连接到所述多条信号线，并且能够供给第三电位；

第一驱动电路单元，连接到所述多条第一栅极线，以驱动第一晶体管；

第二驱动电路单元，连接到所述多条第二栅极线，以驱动第二晶体管；以及

控制单元，被配置为独立地控制所述第一驱动电路单元和第二驱动电路单元；

其中，所述控制单元被进一步配置为控制所述第一驱动电路单元和第二驱动电路单元以对于所述多个像素中的像素执行；

第一操作，在所述第一操作中，第一驱动电路单元接通第一晶体管并且第二驱动电路单元关断第二晶体管；

第二操作，在所述第二操作中，在第一操作之后，第一驱动电路单元关断第一晶体管；

第三操作，在所述第三操作中，在第二操作之后，第二驱动电路单元接通第二晶体管；

第四操作，在所述第四操作中，在第二操作之后在读取电路单元供给第三电位的同时，第一驱动电路单元接通第一晶体管并且第二驱动电路单元关断第二晶体管。

2.根据权利要求1的放射线成像设备，其中

所述控制单元被配置为控制所述第一驱动电路单元和第二驱动电路单元，以对每一个或更多个像素行执行第一到第四操作。

3.根据权利要求1的放射线成像设备，还包括模式选择单元，该模式选择单元被配置为从多个操作模式中选择模式，所述多个操作模式包括第一模式和第二模式；

其中，所述控制单元被配置为控制所述第一驱动电路单元和第二驱动电路单元，以使得：

当由模式选择单元选择第一模式时，第一驱动电路单元基本上同时驱动连接到一条第一栅极线的第一晶体管，以及，第二驱动电路单元基本上同时驱动连接到一条第二栅极线的第二晶体管；以及

当由模式选择单元选择第二模式时，第一驱动电路单元基本上同时驱动连接到至少两条第一栅极线的第一晶体管，以及，第二驱动电路单元基本上同时驱动连接到至少两条第二栅极线的第二晶体管。

4.根据权利要求1的放射线成像设备，其中

所述第一晶体管是利用非晶硅、多晶硅和有机半导体中的任一个而在基板上形成的薄膜晶体管，

所述第二晶体管是利用非晶硅、多晶硅和有机半导体中的任一个而在基板上形成的薄膜晶体管，

所述转换元件被布置在覆盖所述第一晶体管和第二晶体管的绝缘层之上，以及

第一晶体管的源电极和漏电极中的所述一个和第二晶体管的源电极和漏电极中的所述一个经由在所述绝缘层中填充的接触插头而电连接到转换元件的第一电极。

5.根据权利要求1的放射线成像设备，其中

所述转换元件具有MIS传感器，该MIS传感器包括在所述第一电极和第二电极之间形成的半导体层、在所述第一电极和所述半导体层之间形成的绝缘层、以及在所述第二电极和所述半导体层之间形成的杂质半导体层，以及

第一电位和第二电位向转换元件供给用于由MIS传感器执行刷新的电压，并且，第一和第三电位向转换元件供给用于由MIS传感器执行光电转换的电压。

6.根据权利要求5的放射线成像设备，其中

所述半导体层由非晶硅制成，所述转换元件进一步包括用于将放射线转换成可见光的荧光体层。

7.根据权利要求1的放射线成像设备，其中

所述转换元件是具有pin光电二极管的光电转换元件。