[发明专利]液晶显示装置有效
申请号: | 200910147502.6 | 申请日: | 2009-06-16 |
公开(公告)号: | CN101609218A | 公开(公告)日: | 2009-12-23 |
发明(设计)人: | 金谷康弘;中嶋大贵;八木圭一 | 申请(专利权)人: | 索尼株式会社 |
主分类号: | G02F1/133 | 分类号: | G02F1/133;G02F1/1343;G02F1/1368 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人: | 彭久云 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 液晶 显示装置 | ||
技术领域
本发明涉及由面内切换模式(in-plane switching)的液晶进行显示的液 晶显示装置。
背景技术
已有具有面内切换模式比如边缘场切换(Fringe Field Switching,FFS) 模式的液晶结构的液晶显示装置。FFS模式的液晶显示装置具有对向电极 (opposite electrode)。具有狭缝形状的开口的像素电极设置为通过绝缘层与 对向电极相对。此外,液晶层设置在像素电极的上面。导电接触设置为在层 堆叠方向上穿透绝缘层,并且像素电极和驱动像素电极的薄膜晶体管(TFT) 通过导电接触导电。在这样的液晶显示装置中,当从连接到TFT的数据线给 像素电极施加电压时,产生从像素电极朝着像素电极下面的对向电极经由液 晶层和狭缝(slit)的电场,并且因此给液晶层施加横向电场以进行驱动。日 本未审查专利申请公开No.2008-64947揭示了FFS模式的液晶显示装置。
发明内容
因为近年来要求液晶显示装置改善亮度,所以努力增加开口率(aperture ratio)。为了增加开口率,必须尽可能大地加大透光区域的面积。如上所述, 因为必须用导电接触连接像素电极和TFT,且设置导电接触的空间是必需 的,所以未必获得足够高的开口率。然而,尚未提出这方面的改进方案。
因此,希望提供一种能够通过改善给像素电极施加驱动电压的结构来增 加亮度的液晶显示装置。
根据本发明实施例的液晶显示装置包括:像素电极,具有多个开口;对 向电极,设置为隔着绝缘层面对像素电极;液晶层,设置在像素电极的与对 向电极相反的一侧;选择线,用于选择像素;薄膜晶体管,设置在对向电极 与像素电极相反的一侧以驱动像素,并且利用选择线的一部分作为其栅极; 以及层间导体,电连接在薄膜晶体管和像素电极之间。对向电极具有允许层 间导体穿过的对向电极孔,并且对向电极孔与选择线部分地重叠。
在根据本发明实施例的液晶显示装置中,来自背光的入射光穿过像素电 极和对向电极而进入液晶层,另一方面,受选择线和层间导体的阻挡。当薄 膜晶体管由选择线提供的信号导通,并且给像素电极施加图像信号电压时, 从像素电极朝着像素电极下面的对向电极产生经由液晶层和像素电极中的 开口的电场。因此,给液晶层施加横向电场,液晶层中的液晶分子选择性旋 转,并且调制通过液晶层的光。因为允许层间导体穿过的对向电极孔提供在 与选择线重叠的位置,结果,阻挡入射光的层间导体设置为非常靠近选择线。 因此,与现有技术相比,像素电极中的开口区域可以扩大到更加靠近选择线 的位置。而且,因为选择线的一部分用作薄膜晶体管的栅极,所以从选择线 分开地引出栅极部分来构造薄膜晶体管的情况相比,相应地减少设置薄膜晶 体管的空间所产生的遮光区域,并且像素电极中的开口区域对应于该减少的 量而扩大。
在根据本发明实施例的液晶显示装置中,优选层间导体具有沿着对向电 极和选择线之间的层平面延伸的第一延伸部分,以覆盖对向电极孔与选择线 部分地重叠的重叠区域。在此情况下,层间导体沿着层堆叠平面延伸的部分 阻挡了从选择线经由对向电极孔到液晶层的泄漏电场,并且抑制了电场的干 扰。优选地,层间导体还具有与第一延伸部分不同的第二延伸部分,对向电 极的第一内边缘区域是围绕对向电极孔的整个内边缘区域的一部分,面对重 叠区域,并且对向电极的第二内边缘区域与第一内边缘区域不同,与层间导 体的第二延伸部分或者像素电极重叠,或者与层间导体的第二延伸部分和像 素电极都重叠。在对向电极的第二内边缘区域覆盖有像素电极的情况下,抑 制了第二内边缘区域不用像素电极覆盖时会产生的电场干扰。作为选择,在 层间导体的一部分与第二内边缘区域重叠的情况下,不存在对向电极的部分 覆盖有该部分的层间导体。因此,即使像素电极和对向电极之间产生的电场 受到干扰,层间绝缘膜的一部分也挡光。结果,防止低液晶控制力的部分用 于显示。因此,防止了对比度的降低。
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