[发明专利]移位寄存器及其栅线驱动装置有效

专利信息
申请号: 200910080787.6 申请日: 2009-03-27
公开(公告)号: CN101847445A 公开(公告)日: 2010-09-29
发明(设计)人: 胡明;徐宇博 申请(专利权)人: 北京京东方光电科技有限公司
主分类号: G11C19/28 分类号: G11C19/28;G09G3/20
代理公司: 北京中博世达专利商标代理有限公司 11274 代理人: 申健
地址: 100176 北京*** 国省代码: 北京;11
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摘要:
搜索关键词: 移位寄存器 及其 驱动 装置
【权利要求书】:

1.一种移位寄存器,其特征在于,包括:

第一薄膜晶体管,其栅极和源极连接在一起与触发信号端连接,其漏极与作为上拉节点的第一节点连接;

第二薄膜晶体管,其栅极与所述第一节点连接,其源极与时钟信号端连接,其漏极与本级输出端连接;

第三薄膜晶体管,其栅极与所述时钟信号端连接,其源极与所述第一节点连接,其漏极与本级输出端连接;

第四薄膜晶体管,其栅极与所述反馈信号端连接,其源极与所述第一节点连接,其漏极与低电平信号端连接;

第五薄膜晶体管,其栅极与反馈信号端连接,其源极与本级输出端连接,其漏极与低电平信号端连接;

电容,连接在所述第一节点与本级输出端之间;

第一工作模块,连接在第一工作信号端与所述第一节点之间,且与低电平信号端连接;

第二工作模块,连接在第二工作信号端与所述第一节点之间,且与低电平信号端连接;

其中,所述第一工作模块与第二工作模块交替工作,并且所述第一工作模块和第二工作模块分别用于在所述移位寄存器不工作时,保持所述第二薄膜晶体管的栅极和漏极都为低电平。

2.根据权利要求1所述的移位寄存器,其特征在于,

所述第一工作模块包括:

第六薄膜晶体管,其栅极和源极同时与第一工作信号端连接,其漏极与作为下拉节点的第二节点连接;

第七薄膜晶体管,其栅极与反馈信号端连接,其源极与第一工作信号端连接,其漏极与所述第二节点连接;

第八薄膜晶体管,其栅极与所述第二节点连接,其源极与第一节点连接,其漏极与低电平信号端连接;

第九薄膜晶体管,其栅极与所述第一节点连接,其源极与第二节点连接,其漏极与低电平信号端连接;

第十薄膜晶体管,其栅极与所述第二节点连接,其源极与本级输出端连接,其漏极与低电平信号端连接;

第十一薄膜晶体管,其栅极与所述第一工作信号端连接,其源极与作为下拉节点的第三节点连接,其漏极与低电平信号端连接;

所述第二工作模块包括:

第十二薄膜晶体管,其栅极和源极同时与第二工作信号端连接,其漏极与所述第三节点连接;

第十三薄膜晶体管,其栅极与反馈信号端连接,其源极与所述第二工作信号端连接,其漏极与所述第三节点连接;

第十四薄膜晶体管,其栅极与所述第三节点连接,其源极与所述第一节点Q连接,其漏极与低电平信号端连接;

第十五薄膜晶体管,其栅极与所述第一节点连接,其源极与所述第三节点Qb连接,其漏极与低电平信号端连接;

第十六薄膜晶体管,其栅极与所述第三节点连接,其源极与本级输出端连接,其漏极与低电平信号端连接;

第十七薄膜晶体管,其栅极与所述第二工作信号端连接,其源极与所述第二节点连接,其漏极与低电平信号端连接。

3.根据权利要求2所述的移位寄存器,其特征在于,

所述第六薄膜晶体管和第十三薄膜晶体管具有相同的结构;所述第七薄膜晶体管和所述第十二薄膜晶体管具有相同的结构;所述第八薄膜晶体管和所述第十四薄膜晶体管具有相同的结构;所述第九薄膜晶体管和所述第十五薄膜晶体管具有相同的结构;所述第十薄膜晶体管和所述第十六薄膜晶体管具有相同的结构;所述第十一薄膜晶体管和所述第十七薄膜晶体管具有相同的结构。

4.一种采用权利要求1或2或3所述移位寄存器的栅线驱动装置,包括与信号发生单元连接的数个移位寄存器,其特征在于,所述移位寄存器具有一个时钟信号端、一个第一工作信号端、一个第二工作信号端、一个本级输出端、一个接收前一级移位寄存器输出信号的触发信号端和一个接收后一级移位寄存器输出信号的反馈信号端;

所述移位寄存器接收至少两个所述信号发生单元发出的输入信号。

5.根据权利要求4所述移位寄存器的栅线驱动装置,其特征在于,所述信号发生单元发出的输入信号为幅值相等且互为相反的第一工作信号和第二工作信号以及周期性交替的第一时钟信号和第二时钟信号,则所述移位寄存器接收至少两个所述信号发生单元发出的输入信号具体为:

所述第一工作信号端接收所述第一工作信号;

所述第二工作信号端接收所述第二工作信号;

所述时钟信号端接收所述第一时钟信号和第二时钟信号中的一个时钟信号。

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