本发明提供了一种沟槽型功率器件及其制作方法。所述沟槽型功率器件的制作方法包括:在第一N型外延层表面制作氧化层,并在所述氧化层形成注入窗口;利用所述注入窗口进行P型注入,并在所述第一N型外延层形成P型埋层,其中所述P型埋层包括位于分压区域的第一P型埋层和位于场限环区域的至少一个第二P型埋层;在所述第一N型外延层表面形成第二N型外延层;对所述第二N型外延层进行刻蚀,并在所述第一P型埋层的两侧分别形成主结沟槽和场限环沟槽;对所述主结沟槽和所述场限环沟槽进行第一次P型注入,并在所述主结沟槽和所述场限环沟槽的侧壁形成P型注入区域;对所述第一P型埋层两侧的主结沟槽和场限环沟槽进行第二次P型注入。
1.一种沟槽型功率器件的制作方法,其特征在于,包括:在第一N型外延层表面制作氧化层,并在所述氧化层形成注入窗口;利用所述注入窗口进行P型注入,并在所述第一N型外延层形成P型埋层,其中所述P型埋层包括位于分压区域的第一P型埋层和位于场限环区域的至少一个第二P型埋层;在所述第一N型外延层表面形成第二N型外延层,其中所述第二N型外延层覆盖所述第一P型埋层和所述第二P型埋层;对所述第二N型外延层进行刻蚀,并在所述第一P型埋层的两侧分别形成主结沟槽和多个场限环沟槽,其中一个场限环沟槽与所述第二P型埋层相对应;对所述主结沟槽和所述场限环沟槽进行第一次P型注入,并在所述主结沟槽和所述场限环沟槽的侧壁形成P型注入区域;对所述第一P型埋层两侧的主结沟槽和场限环沟槽进行第二次P型注入,以使得所述沟槽型功率器件的主结的P型注入区域延伸到所述第一N型外延层,且临近于所述第一P型埋层的场限环的P型注入区域延伸到其下方的位于所述第一N型外延层的第二P型埋层。
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/tech/sell/s_234583.html,转载请声明来源钻瓜专利网。