本发明提供了一种稀磁半导体的制备方法,制备方法包括如下步骤:制备复合氧化铟靶材;提供氧化铝基片,并对氧化铝基片进行清洗和抛光,得到第一氧化铝基片;将第一氧化铝基片放入真空室进行预溅射,得到第二氧化铝基片;利用脉冲激光沉积方法,在第二氧化铝基片上沉积氧化铜薄膜,得到第一复合氧化铝基片;利用脉冲激光沉积方法,在第一复合氧化铝基片上沉积氧化亚铜薄膜,得到第二复合氧化铝基片;利用脉冲激光沉积方法,在第二复合氧化铝基片上沉积铁钴钆掺杂的氧化铟薄膜。本发明通过氧化铟薄膜中掺杂铁、钴、钆原子,大幅度提高了稀磁半导体的磁性能,使得复合薄膜能够有效的用于存储器件。
1.一种稀磁半导体的制备方法,其特征在于:所述制备方法包括如下步骤:制备复合氧化铟靶材,所述复合氧化铟靶材的分子式为(In1‑x‑y‑zFexCoyGdz)2O3,其中,x=0.02‑0.04,y=0.01‑0.02,z=0.01‑0.02;提供氧化铝基片,并对所述氧化铝基片进行清洗和抛光,得到第一氧化铝基片;将所述第一氧化铝基片放入真空室进行预溅射,得到第二氧化铝基片;利用脉冲激光沉积方法,在所述第二氧化铝基片上沉积氧化铜薄膜,得到第一复合氧化铝基片;利用脉冲激光沉积方法,在所述第一复合氧化铝基片上沉积氧化亚铜薄膜,得到第二复合氧化铝基片;利用脉冲激光沉积方法,在所述第二复合氧化铝基片上沉积铁钴钆掺杂的氧化铟薄膜。
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