本发明涉及一种LED灯及LED封装工艺,该封装工艺包括:选择LED芯片;将所述LED芯片焊接在热沉(21)上,将所述热沉(21)放置于支架上;在所述LED芯片上形成多层硅胶层以实现对LED芯片的封装,其中,在所述多层硅胶层中与所述LED芯片接触的硅胶层内不含荧光粉。本发明提供的LED封装方法,荧光粉与LED芯片分离,解决了高温引起的荧光粉的量子效率下降的问题;与LED芯片接触的硅胶为耐高温的硅胶,解决了硅胶老化发黄引起的透光率下降的问题。
1.一种LED封装工艺,其特征在于,包括:/n选择LED芯片;/n将所述LED芯片焊接在热沉(21)上,将所述热沉(21)放置于支架上;/n在所述LED芯片上形成多层硅胶层以实现对LED芯片的封装,其中,在所述多层硅胶层中与所述LED芯片接触的硅胶层内不含荧光粉;/n在所述LED芯片上形成多层硅胶层,包括:/n在所述热沉(21)上制备第一硅胶层(22);/n在所述第一硅胶层(22)上制备第一透镜层(23);/n在第一透镜层(23)上制备第二硅胶层(24);/n在所述第二硅胶层(24)上制备第三硅胶层(25);/n在所述第三硅胶层(25)制备第二透镜层(26);/n在所述第二透镜层(26)上制备第四硅胶层(27)。/n
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