本发明涉及一种脊状型LED,包括:SOI衬底(101)、改性Ge层(1025)及SiO2钝化层(106),所述改性Ge层(1025)及所述SiO2钝化层(106)依次层叠于所述SOI衬底(101)之上;本发明提供的改性Ge脊状波导型LED因其具有改性Ge脊状波导型LED有源区,使得器件发光效率提升。
1.一种脊状型LED,其特征在于,包括:SOI衬底(101)、改性Ge层(102)、本征Ge层(103)、钝化层(104)、N型Ge区域(105)和P型Ge区域(106),所述改性Ge层(102)、所述本征Ge层(103)及所述钝化层(104)依次层叠于所述SOI衬底(101)上;所述改性Ge层(102)是在所述SOI衬底(101)生长Ge外延层、氧化层之后,通过对整个衬底材料进行LRC工艺晶化处理,并刻蚀氧化层后形成的,其中,LRC工艺中激光波长为808nm,激光光斑尺寸10mm×1mm,激光功率为1.5kW/cm2,激光移动速度为25mm/s,所述N型Ge区域(105)及所述P型Ge区域(106)分布在所述改性Ge层(102)和所述本征Ge层(103)的两侧。/n
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