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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]用于Boost变换器的高精度比较器以及Boost变换器-CN202211327084.0在审
发明人：尹广东 -专利权人：江苏韩娜新能源有限公司
申请日： 2022-10-27 - 公布日： 2023-01-31 - 主分类号： H03K5/24 文献下载
摘要：所述用于Boost变换器的高精度比较器包括：第一NMOS管MN1、第二NMOS关MN2、第三NMOS管MN3、第五NMOS管MN5、第六NMOS管MN6、第七NMOS管MN7、第一PMOS管MP1、第二PMOS管MP2、第三PMOS管MP3、第四PMOS管MP4、第五PMOS管MP5、第六PMOS管MP6和反相器U1。该高精度比较器分别接收两个输入信号V1、V2，输出比较结果Pout。
用于 boost 变换器高精度比较以及

[发明专利]差动输出电路及半导体器件-CN201310364400.6有效
发明人：三石昌史;光明雅泰;砂入崇二 -专利权人：瑞萨电子株式会社
申请日： 2013-08-19 - 公布日： 2014-03-26 - 主分类号： H03F3/45 文献下载
摘要：该电路包括：由分别接收互为反相的输入信号(IN、INB)的第1及第2晶体管(MN1、MN2)构成的差动对；分别与第1及第2晶体管级联且与第1及第2晶体管为同一导电型的第3及第4晶体管(MN3、MN4)；与第3及第4晶体管各自的漏极连接的第1及第2输出端子(OUTB、OUT)；以及将第1及第2输出端子各自电位的中间电位进行分压并供给至第3及第4晶体管的栅极的分压电路(10)。
差动输出电路半导体器件

[发明专利]差动输出电路及半导体器件-CN201810208414.1有效
发明人：三石昌史;光明雅泰;砂入崇二 -专利权人：瑞萨电子株式会社
申请日： 2013-08-19 - 公布日： 2020-06-19 - 主分类号： G05F3/20 文献下载
摘要：该电路包括：由分别接收互为反相的输入信号(IN、INB)的第1及第2晶体管(MN1、MN2)构成的差动对；分别与第1及第2晶体管级联且与第1及第2晶体管为同一导电型的第3及第4晶体管(MN3、MN4)；与第3及第4晶体管各自的漏极连接的第1及第2输出端子(OUTB、OUT)；以及将第1及第2输出端子各自电位的中间电位进行分压并供给至第3及第4晶体管的栅极的分压电路(10)。
差动输出电路半导体器件

[发明专利]一种碳修饰锰锌氧纳米材料及其制备方法和应用-CN201611029322.4有效
发明人：何丹农;葛美英;孙健武;尹桂林;金彩虹 -专利权人：上海纳米技术及应用国家工程研究中心有限公司
申请日： 2016-11-22 - 公布日： 2018-08-17 - 主分类号： C01G45/00 文献下载
摘要：氮气氛围中将溶液加热，将乌洛托品溶于乙二醇中，将所得溶液慢慢滴入制得的溶液中，在氮气氛围中反应，温度降至室温，离心洗涤干燥；干燥好的粉末与葡萄糖和抗坏血酸混合，研磨在惰性气体氛围下焙烧，待温度自然降至室温，即可得到纳米Mn1同时，本发明制备的Mn1‑xZnxO@C纳米复合材料在气敏传感器、光催化降解染料、吸附水中污染物、锂电等领域有广阔的应用前景。
纳米材料修饰制备方法和应用氮气氛围电学性质乙二醇锰锌半导体材料焙烧惰性气体氛围纳米复合材料葡萄糖光催化降解气敏传感器光学性能抗坏血酸离心洗涤溶液加热温度自然乌洛托品研磨锰元素碳元素温度降染料滴入锰盐水中吸附锌盐锂电制备污染物引入调控应用

[发明专利]钙铁掺杂的锑锰锆钛酸铅压电陶瓷-CN201310421430.6无效
发明人：孙清池;徐青;马卫兵;刘群;张琦 -专利权人：天津大学
申请日： 2013-09-13 - 公布日： 2014-01-08 - 主分类号： C04B35/491 文献下载
摘要：本发明公开了一种钙铁掺杂的锑锰锆钛酸铅压电陶瓷及其制备方法，其化学计量式为Pb1.02(Mn1/3Sb2/3)0.05Zr0.47Ti0.48O3+x wt.%2CaO-Fe2O3，式中x=0.05～0.30本发明以锑锰锆钛酸铅体系压电陶瓷为基础，采用传统的氧化物混合方法，加入钙铁氧化物来调节综合性能，制备出具有较好综合性能的Pb1.02(Mn1/3Sb2/3)0.05Zr0.47Ti0.48O3+x wt
掺杂锑锰锆钛酸铅压电陶瓷

[发明专利]一种整流器及无源RFID标签-CN201811620862.9在审
发明人：朱云祥 -专利权人：西安科锐盛创新科技有限公司
申请日： 2018-12-28 - 公布日： 2020-07-07 - 主分类号： H02M7/217 文献下载
摘要：本发明公开了一种整流器，包括：开关管(SW)、第一NMOS管(MN1)、第二NMOS管(MN2)、第一PMOS管(MP1)、第二PMOS管(MP2)、第一电容(C1)、第二电容(C2)、第三电容(C3)和电阻(R1)；本发明的整流器通过在整流器的接地端设置开关管(SW)。
一种整流器无源 rfid 标签

[发明专利]一种彩色动态及静态双通道传感器-CN201710775312.3在审
发明人：刘洪杰 -专利权人：刘洪杰
申请日： 2017-08-31 - 公布日： 2019-03-05 - 主分类号： H04N5/335 文献下载
摘要：本发明的目的在于公开一种彩色动态及静态双通道传感器，它包括静态像素单元和动态像素单元，所述静态像素单元为由晶体管MN1、MN2、MN3、MN4、MN5和电容Cp组成的电路，所述静态像素单元分别连接R,G
静态像素彩色动态动态像素单元双通道传感器光电二极管时间分辨率高分辨率数据稀疏特征通道位置通道电容双通道传感器晶体管电路

[实用新型]一种复用读取电路的熔丝电路-CN202220897167.2有效
发明人：孙权;陈阳;袁婷;苏建峰;张龙 -专利权人：西安航天民芯科技有限公司
申请日： 2022-04-18 - 公布日： 2022-11-08 - 主分类号： G01R31/316 文献下载
摘要：本实用新型属于模拟集成电路领域，公开了一种复用读取电路的熔丝电路，其特征在于，包括第一N型MOS管MN1、第二N型MOS管MN2、第一P型MOS管MP1、第二P型MOS管MP2、第三P型MOS管MP3、反相器INV1、第一熔丝F1以及第二熔丝F2；第一熔丝F1的第一端与第一N型MOS管MN1的漏极以及第一P型MOS管MP1的源极均连接，第一熔丝F1的第二端与第三P型MOS管MP3的漏极以及第二熔丝F2的第一端均连接，第二熔丝F2的第二端与第二N型MOS管MN2的漏极以及第二P型MOS管MP2的源极均连接；第一P型MOS管MP1的漏极以及第二P型MOS管MP2的漏极均与反相器INV1的输入端连接。
一种读取电路

[发明专利]电流检测电路、半导体器件和半导体系统-CN202010191695.1在审
发明人：木村圭助;田岛英幸;斋藤航 -专利权人：瑞萨电子株式会社
申请日： 2020-03-18 - 公布日： 2020-10-02 - 主分类号： H03K17/16 文献下载
摘要：根据一个实施例，电流检测电路12包括：感测晶体管Tr11，与流过驱动晶体管MN1的电流成比例的第一感测电流流过感测晶体管Tr11；运算放大器AMP1，用于将外部输出端子OUT的电压与用于输出第一感测电流的感测晶体管Tr11的源极电压的电势差放大；与感测晶体管Tr11串联提供的晶体管Tr12，并且运算放大器AMP1的输出电压施加到晶体管Tr12的栅极；以及开关SW3，被提供在外部输出端子OUT与感测晶体管Tr11的源极之间，开关SW3在驱动晶体管MN1关断时接通。
电流检测电路半导体器件半导体系统

[发明专利]一种新型的电机驱动芯片中的欠压保护电路-CN201210524313.8有效
发明人：姚远;黄武康;杨志飞;代军;湛衍;马琳;张伟;潘慧君;杨小波;殷明 -专利权人：嘉兴禾润电子科技有限公司
申请日： 2012-12-04 - 公布日： 2013-04-10 - 主分类号： H02H7/09 文献下载
摘要：电阻R4与NMOS管MN1串联后和电阻R3并联，电阻R3与PMOS管MP0、电阻R1、电阻R2串联在电源VDD和地GND之间，PMOS管MP0的栅极接地；电阻R1和电阻R2之间的电压VA加载在带隙基准电路上带隙基准电路的第一输入端和第二输入端分别连接第一电流镜电路的两个电流支路；带隙基准电路的第二输入端经过PMOS管MP5连接到第二电流镜电路以控制输出电压VOUT的电平，PMOS管MP5通过第一反相器控制NMOS管MN1
一种新型电机驱动芯片中的保护电路

[发明专利]Ni基耐热合金焊接接头的制法及由该方法制造的焊接接头-CN201510316419.2有效
发明人：平田弘征;净徳佳奈;浜口友彰;吉泽满;小野敏秀;伊势田敦朗 -专利权人：新日铁住金株式会社
申请日： 2015-06-10 - 公布日： 2017-08-18 - 主分类号： C21D9/50 文献下载
摘要：将C0.03～0.12％、Si1％以下、Mn1％以下、P0.015％以下、S0.005％以下、Co8～25％、Cr18～24％、Mo5～12％、Ti0.1～2.5％、Al0.2～2.0％、B0.0001～0.01％、REM0.001～0.5％、N0.02％以下、O0.01％以下、剩余部分Ni和杂质的合金母材用C0.06～0.15％、Si1％以下、Mn1％以下、P0.01％以下、S0.005％以下、Co8
ni 耐热合金焊接接头制法方法制造

[发明专利]一种基于{Mn9-CN202111372753.1在审
发明人：张超;孟献瑞;张东娣 -专利权人：河南大学
申请日： 2021-11-12 - 公布日： 2022-01-28 - 主分类号： C01B33/00 文献下载
摘要：本发明的目的在于提出一种新型结构的基于{Mn9W8}单元的锰钨簇及其合成方法。MnIII2MnIV9O10)(HSiW10O37)]·xH2O(化合物1)化合物1聚阴离子中的Mn具有不同的化合价，分别是+2价的MnII(Mn1)、+3价的MnIII(Mn2)和+4价的MnIV(Mn3‑Mn7)。
一种基于 mn base sub

[发明专利]一种用于无线NFC能量采集的新型整流器电路-CN202010396042.7有效
发明人：不公告发明人 -专利权人：苏州芯达微电子科技有限公司
申请日： 2020-05-12 - 公布日： 2021-04-27 - 主分类号： H02M7/217 文献下载
摘要：本发明公开的属于整流电路技术领域，具体为一种用于无线NFC能量采集的新型整流器电路，包括Vin+端、Vin‑端和Vout端，还包括电容C1、C2、C3、C4、C5、C6、C7、C8、COUT，PMOS管MP1、MP2、MP3、MP4、MP5、MP6，NMOS管MN1、MN2、MN3、MN4、MN5、MN6，不使用肖特基二极管，而仅使用电容和MOS管，完全兼容普通CMOS工艺，另外，相较于传统MOS管型整流器
一种用于无线 nfc 能量采集新型整流器电路

[发明专利]一种DDR4标准的高速接收器电路-CN201810405812.2在审
发明人：孙嘉斌;贾一平;刘紫璇;胡凯;张超;陈倩;孙晓哲 -专利权人：南京胜跃新材料科技有限公司
申请日： 2018-04-29 - 公布日： 2018-07-20 - 主分类号： G11C7/10 文献下载
摘要：本发明公开了一种DDR4标准的输入接收器电路，包括第一晶体管MP1、第二晶体管MP2、第三晶体管MP3、第四晶体管MP4、第五晶体管MP5、第六晶体管MN1、第七晶体管MN2、第八晶体管MN3、第九晶体管MN4、第一反相器、第二反向器、第三反相器和第四反相器，其中MN4、MP5组成占空比调节电路，用于改善输出占空比。
晶体管反相器高速接收器电路占空比调节电路输出占空比输入接收器传输带宽传输延时反向器

[实用新型]DDR4标准的高速接收器电路-CN201820634282.4有效
发明人：孙嘉斌;贾一平;刘紫璇;胡凯;张超;陈倩;孙晓哲 -专利权人：南京胜跃新材料科技有限公司
申请日： 2018-04-29 - 公布日： 2018-11-20 - 主分类号： G11C7/10 文献下载
摘要：本实用新型提供一种DDR4标准的输入接收器电路，包括第一晶体管MP1、第二晶体管MP2、第三晶体管MP3、第四晶体管MP4、第五晶体管MP5、第六晶体管MN1、第七晶体管MN2、第八晶体管MN3、第九晶体管MN4、第一反相器、第二反向器、第三反相器和第四反相器，其中MN4、MP5组成占空比调节电路，用于改善输出占空比。
晶体管反相器本实用新型高速接收器电路占空比调节电路输出占空比输入接收器传输带宽传输延时反向器

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