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- [发明专利]一种硅材料制作方法-CN201910871221.9有效
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邹星礼;庞忠亚;唐蔚;施天宇;汪淑娟;鲁雄刚;许茜
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上海大学
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2019-09-16
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2021-06-22
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C25B1/33
- 本发明公开了一种直接由二氧化硅或硅酸钙连续制备高纯硅的方法。以二氧化硅为原料,通过添加氧化钙辅助熔解形成硅酸根离子,或直接利用硅酸钙为原料,在氯化钙熔盐中直接电沉积制备高纯硅。本发明采用高纯石英坩埚为反应容器、高纯石墨棒/石墨片或金属、合金为电极、高纯氩气为保护气氛,通过对氯化钙熔盐进行间歇性预电解技术净化,并通过周期性加入高纯二氧化硅或硅酸钙原料,从而实现直接电沉积连续制备高纯硅在恒电流或脉冲电流条件下,在850℃可实现高纯晶体硅膜(99.999%)、硅纳米线、晶硅粉的可控制备并实现原位电掺杂形成p型/n型硅。本发明可实现从廉价二氧化硅或硅酸钙直接制备高纯硅膜用于光伏应用。
- 一种材料制作方法
- [发明专利]一种脱除高纯硼酸中痕量钙的方法-CN202111588056.X有效
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宁桂玲;贺正燕;毕胜男;田朋;叶俊伟;林源
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大连理工大学
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2021-12-23
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2023-03-03
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C01B35/10
- 本发明属于高纯无机产品制备技术领域,提供了一种脱除高纯硼酸中痕量钙的方法。该方法基于硼酸中硼的缺电子性质,选取含有孤对电子和电负性较强官能团的有机或无机分子,在硼酸结晶过程中对金属离子杂质特别是钙离子进行束缚,在适当降温梯度范围内降低金属离子与硼酸结晶面之间相互作用。通过该过程可以获得钙杂质含量小于1ppm的硼酸,同时也降低其它金属杂质含量,可方便嫁接到酯化法高纯硼酸制备工艺中,也可以分析纯硼酸为原料。脱钙工艺操作方便,设备简单,整个过程不引进有害杂质。该方法为高纯硼酸进一步深度脱除其中痕量钙杂质提供了有效途径,有望在核用高纯硼酸及其它对钙等金属杂质含量严格限制的高端应用领域得到应用。
- 一种脱除高纯硼酸痕量方法
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