专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]一种无铁磁性织构镍/镍/镍复合基带的制备方法-CN201610787452.8有效
  • 刘志勇;宋孝辉;张娜;尚淑英;黎文峰 - 河南师范大学
  • 2016-08-31 - 2018-09-07 - B22F7/04
  • 本发明公开了一种无铁磁性织构镍/镍/镍复合基带的制备方法,将熔炼得到的的原子百分含量为9.5%‑11%的镍合金表面的氧化皮打磨后,作为复合坯锭的外层材料,将球磨获得的的原子百分含量为10%的镍混合粉末,作为复合坯锭的芯层材料,将镍合金和镍混合粉末按照镍‑镍‑镍的顺序放置到模具中,采用放电等离子体烧结技术获得镍/镍/镍复合坯锭;将镍/镍/镍复合坯锭进行大变形量冷轧,道次变形量为10%‑15%,总变形量为99.5%‑99.9%,最后在氮气保护气氛下采用1250‑1350℃保温200min再结晶热处理得到无铁磁性、高强度、强立方织构的镍/镍/镍复合基带。本发明制得的镍/镍/镍复合基带无铁磁性、高机械强度且具有强立方织构。
  • 一种铁磁性织构镍钨镍钒复合基带制备方法
  • [发明专利]一种制备掺氧化薄膜的方法-CN201110202231.7有效
  • 吴志明;蒋亚东;杜明军;罗振飞;王涛;许向东 - 电子科技大学
  • 2011-07-19 - 2011-11-23 - C23C14/06
  • 本发明公开了一种制备掺氧化薄膜的方法,包括以下步骤:首先将清洗后的基片放入高真空腔室中;其次将高纯氩气通入真空腔室,在基片用基片挡板遮住的情况下通过开启靶溅射电源和靶溅射电源分别对金属靶和金属靶表面进行预溅射清洗,将高纯氧气通入真空腔室中,打开基片挡板,关闭靶挡板,开启靶溅射电源,沉积底层氧化薄膜;待底层氧化薄膜沉积完毕后,关闭氧气,关闭靶溅射电源和靶挡板,开启靶溅射电源和靶挡板,沉积中间层金属薄膜;待金属薄膜沉积完毕后,关闭靶溅射电源和靶挡板,再次通入氧气,开启靶溅射电源和靶挡板,沉积上层氧化薄膜;最后对沉积得到的复合薄膜进行原位退火处理。
  • 一种制备氧化薄膜方法
  • [发明专利]一种从废弃SCR催化剂中提取回收的工艺-CN201610115250.9有效
  • 张鹏 - 成都万里蓝环保科技有限公司
  • 2016-03-01 - 2017-06-27 - C22B7/00
  • 本发明公开的一种从废弃SCR催化剂中提取、钛、的方法是先进行顺流多级浸取将废弃SCR催化剂加入到碱浸液进行反应,过滤后得碱浸液和碱浸渣;在碱浸液中加入中强碱反应除,过滤得除碱浸液和渣;再将废弃SCR催化剂浸入除碱浸液中并补充强碱继续反应,过滤得碱浸液和碱浸渣;向碱浸液中加入中强碱反应、过滤得除碱浸液和渣;然后进行逆流多级碱浸将各级得到的碱浸渣用碱液按逆方向浸取、过滤直到将顺流第一步碱浸渣浸取为结束整个工艺可得酸钠产品、可出售的渣以及高钛渣。本发明能将碱浸液中的有效分离,又不消耗溶液中的强碱并且碱液回用,避免了用酸调解所带来的成本增加问题。
  • 一种废弃scr催化剂提取回收工艺
  • [发明专利]一种新型苯羟基化制苯酚催化剂的制备方法-CN202011251863.8在审
  • 董鹏;李贵贤;李春强;赵鹬;季东;王东亮;李宁 - 兰州理工大学
  • 2020-11-11 - 2021-02-19 - B01J23/30
  • 本发明提供了一种新型苯羟基化制苯酚催化剂的制备方法,选取合适的源与源在模板剂中进行材料合成反应,制备出高结晶度的双金属氧化物催化剂,然后将其在空气中干燥,干燥后进行焙烧,得到活性相,完成制备,源具体为偏酸铵、偏酸钠、五氧化二、四氯化中的任意一种或几种;源具体为偏酸铵、仲酸铵、三氧化酸钠中的任意一种或几种,本发明利用源与源在模板剂,完成制备用于苯羟化制苯酚反应的催化剂的制备,合成方法具有操作简便,常压进行的有点,同时,合成物为表面光滑的棒状双金属氧化物纳米材料,结晶度高,形貌均匀,用于苯羟化制苯酚反应,表现出良好的催化性能。
  • 一种新型羟基苯酚催化剂制备方法
  • [发明专利]掺杂单层二硫化薄膜的制备方法-CN202211006800.5有效
  • 邱海龙;王金航;张宏伟;胡章贵;吴以成 - 天津理工大学
  • 2022-08-22 - 2023-06-27 - C23C14/08
  • 本发明涉及一种掺杂单层二硫化薄膜及其制备方法,首先使用蒸镀法,将氧化和氧化在碳布上蒸成纳米线结构;再使用化学气相沉积法,以Si/SiO2为衬底,长有氧化和氧化纳米线的碳布作为源和钼源;将碳布放在衬底上,与硫蒸气发生反应,在衬底上制备获得所述的掺杂的单层二硫化薄膜。本发明通过一步化学气相沉积法实现掺杂单层二硫化的制备,高温下元素能够有效地部分取代元素,从而获得掺杂的单层二硫化。该方法操作简单、成本低、无催化剂且对环境友好。
  • 掺杂单层硫化薄膜制备方法
  • [发明专利]一种胺类萃取杂多酸杂质制备高纯的方法-CN201310377023.X有效
  • 宁朋歌;曹宏斌;张懿 - 中国科学院过程工程研究所
  • 2013-08-26 - 2014-01-29 - C22B3/28
  • 本发明涉及胺类萃取杂多酸杂质制备高纯的方法。普通的溶液中通常会掺杂铬、硅、磷、、钼、砷等杂质,在此溶液中加入酸,则会形成磷、磷、硅、磷钼、硅钼、钼砷、砷等杂多酸,采用胺类和协萃剂复配协同萃取普通溶液中的杂多酸除去溶液所含杂质,得到纯化的含萃余液,然后将含萃余液蒸发浓缩至元素40g/L,再在浓缩液中加入铵盐获得偏酸铵固体,再通过纯水洗涤、干燥、氧气气氛煅烧得到纯度大于99.9%的五氧化二;萃取杂多酸后的有机相用含碱溶液将杂多酸反萃形成杂多酸水相使有机相得到再生循环
  • 一种萃取杂多杂质制备高纯方法

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