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[发明专利]压电振动器件-CN201980013259.0在审
发明人：藤原宏树 -专利权人：株式会社大真空
申请日： 2019-03-04 - 公布日： 2020-09-29 - 主分类号： H03H9/02 文献下载
摘要：AT切石英晶体片上形成的贯穿孔具有从周边部朝着中心部的通孔(71)倾斜的倾斜面(72)，倾斜面(72)上存在：从通孔(71)朝着贯穿孔的周边部向－Z’方向侧及+X方向侧延伸的第一结晶面(S1)；从通孔(71)朝着贯穿孔的周边部向－Z’方向侧及+X方向侧延伸，并在第一结晶面(S1)的+Z’方向侧及+X方向侧与该第一结晶面接触的第二结晶面(S2)；及在第二结晶面(S2)的+X方向侧与该第二结晶面接触并与AT切石英晶体片的主面接触的第三结晶面(S3)，三个结晶面(S1～S3)与AT切石英晶体片的主面之间形成有补偿面(Sc)，该补偿面阻碍第一棱线(L1)及第二棱线(L2)到达AT切石英晶体片的主面。
压电振动器件

[发明专利]蓝宝石基板-CN201510971004.9在审
发明人：洪文庆;郭政煌 -专利权人：锐捷科技股份有限公司
申请日： 2015-12-22 - 公布日： 2017-06-30 - 主分类号： H01L33/20 文献下载
摘要：上表面的结晶方向为(0001)。各锥体结构具有第一群组的三个结晶面、第二群组的三个结晶面以及垂直上表面且通过锥体结构顶点的轴。第一群组的这些结晶面以120度旋转对称于轴，且第二群组的这些结晶面以120度旋转对称于轴。第一群组的这些结晶面的其中之一的结晶方向为第二群组的这些结晶面的其中之一位于中央的结晶方向为生长于本发明蓝宝石基板的发光二极管的磊晶结构缺陷密度低，且发光二极管的发光效率高。
蓝宝石

[实用新型]一种PU结晶网面美妆蛋和美妆工具-CN202220843085.X有效
发明人：陈现中 -专利权人：东莞市泰美化妆用品有限公司
申请日： 2022-04-12 - 公布日： 2022-08-23 - 主分类号： A45D33/00 文献下载
摘要：本实用新型属于美妆工具技术领域，具体公开了一种PU结晶网面美妆蛋和美妆工具，所述PU结晶网面美妆蛋，包括美妆蛋本体，所述美妆蛋本体的两个斜切面上分别覆盖有一层由PU涂层结晶而成的结晶面，所述结晶面上间隔设有多个凹槽形成网状本实用新型的PU结晶网面美妆蛋，通过在美妆蛋本体的斜切面上覆盖由PU涂层结晶而成的结晶面，降低美妆蛋的吸粉性，同时，在结晶面上设置多个凹槽，使结晶面的呈网状，便于存储一定量的粉底，避免用户频繁蘸取粉底，
一种 pu 结晶网面美妆蛋和美工具

[发明专利]负载有过渡金属化合物的氧化钛-CN201380048744.4有效
发明人：渡边仁志;松冈美绪 -专利权人：株式会社大赛璐
申请日： 2013-09-06 - 公布日： 2017-07-14 - 主分类号： B01J35/02 文献下载
摘要：本发明的负载有过渡金属化合物的氧化钛在结晶性氧化钛负载有过渡金属化合物，其特征为，平均短径为50nm以下，平均长宽比(长径/短径)为1.5以上。作为上述结晶性氧化钛，优选具有结晶面(110)及结晶面(111)的金红石型氧化钛和/或具有结晶面(110)、结晶面(111)及结晶面(001)的金红石型氧化钛。
载有过渡金属化合物氧化

[发明专利]一种自动油滑方锭结晶装置-CN201410762617.7在审
发明人：张涛 -专利权人：西南铝业（集团）有限责任公司
申请日： 2014-12-11 - 公布日： 2015-02-25 - 主分类号： B22D11/07 文献下载
摘要：本发明公开了一种自动油滑方锭结晶装置，包括用于使润滑油从该处流出的出油孔(1)及用于在该处形成铸锭表面薄壳的结晶面(2)，所述出油孔(1)的出油处和所述结晶面(2)之间开设有倒角(4)。本发明提供的自动油滑方锭结晶装置，由于在出油孔(1)的出油处和结晶面(2)之间开设有倒角(4)，则出油孔(1)的出油处不再和结晶面(2)在一个平面，即出油孔(1)的位置发生了改变，从而减少了在打磨结晶面
一种自动油滑结晶装置

[实用新型]一种自动油滑方锭结晶器-CN201420784412.4有效
发明人：张涛 -专利权人：西南铝业（集团）有限责任公司
申请日： 2014-12-11 - 公布日： 2015-06-10 - 主分类号： B22D11/07 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种自动油滑方锭结晶器，包括用于使润滑油从该处流出的出油孔(1)及用于在该处形成铸锭表面薄壳的结晶面(2)，所述出油孔(1)的出油处和所述结晶面(2)之间开设有倒角(4)。本实用新型提供的自动油滑方锭结晶器，由于在出油孔(1)的出油处和结晶面(2)之间开设有倒角(4)，则出油孔(1)的出油处不再和结晶面(2)在一个平面，即出油孔(1)的位置发生了改变，从而减少了在打磨结晶面
一种自动油滑结晶器

[实用新型]一种温度测量装置-CN201922487135.6有效
发明人：孙自鹏;朱继业;汪永红 -专利权人：西南铝业（集团）有限责任公司
申请日： 2019-12-31 - 公布日： 2020-07-03 - 主分类号： G01K7/02 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种温度测量装置，包括Π型的支架，支架的顶部沿同一结晶面开设有镂空的导向条，导向条内插装有多个热电偶，且各个热电偶的高度可调节。上述温度测量装置沿同一结晶面开设有镂空的导向条，且导向条内插装有多个热电偶，故该热电偶可以同时对同一结晶面不同高度的温度进行测量，并得到该结晶面不同深度下的温度分布情况，以获得有效的数据组。因此，本实用新型提出的温度测量装置，能够对结晶面的温度分布进行有效采集，解决了现阶段该领域的难题。
一种温度测量装置

[发明专利]一种复合食用盐及其制备方法-CN202211398057.2在审
发明人：董建忠;蒋勇;姜泽芬;刘利;陈宇;陈春蓉;董明明;蒋沛文;陈丽萍;陶若华 -专利权人：四川登顶科技有限责任公司
申请日： 2022-11-09 - 公布日： 2023-03-07 - 主分类号： A23L27/40 文献下载
摘要：所述复合食用盐的制备方法主要可以包括如下步骤：S1、对基础盐进行加热，使得基础盐自然结晶面爆裂开，在基础盐自然结晶面上形成缝隙；S2、将添加物加入自然结晶面爆裂开后的基础盐中并搅拌均匀，使得添加物能够进入基础盐自然结晶面爆裂开后形成的缝隙中；S3、使基础盐自然结晶面上形成的缝隙闭合，使得进入基础盐自然结晶面爆裂缝隙中的添加物被包裹在基础盐中。
一种复合食用及其制备方法

[发明专利]负载有过渡金属化合物的氧化钛的悬浮液-CN201380048722.8有效
发明人：渡边仁志 -专利权人：株式会社大赛璐
申请日： 2013-09-06 - 公布日： 2017-05-10 - 主分类号： C01G23/00 文献下载
摘要：本发明提供一种负载有过渡金属化合物的氧化钛的悬浮液，其含有负载有过渡金属化合物的氧化钛结晶，离子性杂质的含量极低，对于可见光的响应性优异，且发挥优异的光催化剂能力。本发明的负载有过渡金属化合物的氧化钛的悬浮液是过渡金属化合物负载在结晶性氧化钛上而成的平均长宽比(长径/短径)为1.5以上的负载有过渡金属化合物的氧化钛的悬浮液，其中，含有上述负载有过渡金属化合物的氧化钛作为上述结晶性氧化钛，优选具有结晶面(110)及结晶面(111)的金红石型氧化钛和/或具有结晶面(110)、结晶面(111)及结晶面(001)的金红石型氧化钛。
载有过渡金属化合物氧化悬浮液

[发明专利]半导体基板、半导体装置以及半导体基板的制造方法-CN201280009953.3有效
发明人：高田朋幸;山中贞则;岛田雅夫;秦雅彦;板谷太郎;石井裕之;久米英司 -专利权人：住友化学株式会社;独立行政法人产业技术综合研究所
申请日： 2012-03-05 - 公布日： 2013-11-20 - 主分类号： H01L31/10 文献下载
摘要：提供一种半导体基板，该半导体基板具有：基底基板，其表面的全部或一部分是硅结晶面；抑制体，其位于基底基板之上，具有到达硅结晶面的开口，抑制结晶的生长；第一结晶层，其位于从开口露出的硅结晶面之上，由SixGe1-x(0≤x＜1)构成；第二结晶层，其位于第一结晶层之上，由禁带宽度比第一结晶层大的III-V族化合物半导体构成；以及一对金属层，其位于抑制体以及第二结晶层之上，一对金属层中的每一个金属层与第一结晶层以及第二结晶层分别接触
半导体装置以及制造方法

[发明专利]半导体装置及其制造方法-CN201010518047.9有效
发明人：许俊豪 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2010-10-20 - 公布日： 2011-05-25 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体装置及其制造方法，上述半导体装置的制造方法包括提供一半导体基板；于上述半导体基板中形成一沟槽，其中上述沟槽的一底面具有一第一结晶面方向，且上述沟槽的一侧面具有一第二结晶面方向；进行一外延工艺，于上述沟槽中生长一半导体材料，其中上述外延工艺利用一蚀刻成分，且其中上述第一结晶面方向上的一第一生长速率不同于上述第二结晶面方向的一第二生长速率。
半导体装置及其制造方法

[发明专利]贴合晶片及贴合晶片的制造方法-CN02824295.5有效
发明人：三谷清;出水清史;横川功;大见忠弘;须川成利 -专利权人：信越半导体株式会社
申请日： 2002-11-25 - 公布日： 2005-03-23 - 主分类号： H01L27/12 文献下载
摘要：本发明的贴合晶片，在单晶硅晶片上积层了单晶硅层，其特征为，该单晶硅层的结晶面方位为{110}，而且，前述单晶硅晶片的结晶面方位为{100}。另外，本发明的贴合晶片的制造方法，其特征为至少使结晶面方位为{110}的第1单晶硅晶片与结晶面方位为{100}的第2单晶硅晶片直接或者间隔着绝缘膜来进行贴合，然后使所述第1单晶硅晶片薄膜化。
贴合晶片制造方法

[发明专利]热电变换器件和辐射检测器以及使用它的辐射检测方法-CN201080003897.3无效
发明人：高桥宏平;菅野勉 -专利权人：松下电器产业株式会社
申请日： 2010-05-27 - 公布日： 2012-02-15 - 主分类号： G01J1/02 文献下载
摘要：本发明的辐射检测器(1)包括：基板(11)；第一倾斜薄膜(12)，其配置在基板(1)的第一主面上，具有各向异性基准结晶面，该各向异性基准结晶面相对于第一主面倾斜排列；第二倾斜薄膜(13)，其配置在基板(1)的与第一主面相反的一侧的第二主面上，具有各向异性基准结晶面，该各向异性基准结晶面相对于第二主面倾斜排列；第一电极对(17、18)，其配置在第一倾斜薄膜(12)上，在第一倾斜薄膜(12)的各向异性基准结晶面相对于第一主面倾斜排列的方向上相互对置；和第二电极对(18、19)，其配置在第二倾斜薄膜(13)上，在第二倾斜薄膜(13)的各向异性基准结晶面相对于第二主面倾斜排列的方向上相互对置。构成第一电极对的任一方的电极和构成第二电极对的任一方的电极相互电连接，第一倾斜薄膜(12)和第二倾斜薄膜(13)形成各向异性基准结晶面沿单一的方向倾斜的串联连接。
热电变换器件辐射检测器以及使用检测方法

[其他]天然金刚石晶体的激光定向方法-CN87102712无效
发明人：袁哲俊;郝新锋;李晋年;周明 -专利权人：哈尔滨工业大学
申请日： 1987-04-09 - 公布日： 1988-04-06 - 主分类号： G10N21/87 文献下载
摘要：本发明应用激光作为光源，进行天然金刚石晶体的结晶面网的确定，从而可找到金刚石的结晶面网，该发明具有投资少，对人体无害、准确、方便等特点。
天然金刚石晶体激光定向方法

[发明专利]钻石裝置上的石墨烯及其相关方法-CN201210008314.7有效
发明人：宋健民 -专利权人：宋健民
申请日： 2012-01-12 - 公布日： 2012-07-18 - 主分类号： C01B31/04 文献下载
摘要：例如，一方面，提供一种在钻石基材上形成石墨烯的方法，该方法可包括涂布一金属层至钻石基材的结晶面；以及在真空下加热该钻石基材，以将位于结晶面的一部分钻石基材转变为石墨烯。另一方面，金属层仅涂布在具有相同结晶配向的钻石基材面上。又一方面，该金属层仅涂布在该钻石基材的单一结晶面。此外，再一方面，将位于结晶面的一部分钻石基材转变为石墨烯包括通过一麻田散体变态转变该部分的钻石基材。
钻石裝置上石墨及其相关方法

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