专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]混合波导及其制备方法-CN202211265859.6在审
  • 张永;冯成龙;徐子涵;沈健;苏翼凯 - 上海交通大学
  • 2022-10-17 - 2022-12-30 - G02B6/122
  • 一种混合波导及其制备方法,该混合波导由上而下依次包括:非晶层、用于防止沉积非晶时出现黑点杂质影响波导传输效果的薄膜氧化硅层、用于传输TE模的层、氧化硅掩埋层和衬底,其中:非晶层、薄膜氧化硅层和层沉积形成层次结构,作为波导结构中用于光传播的结构层。本发明在LTO晶圆上通过沉积和刻蚀技术实现异质集成的混合波导结构,光场会在传播过程中泄露到所述的波导的层中,从而实现光的层局域化,通过上述过程可以将这一具有优良特性的材料引入集成光波导中,实现对传统基光波导的突破。
  • 硅基钽酸锂混合波导及其制备方法
  • [发明专利]单晶薄膜键合体及其制造方法-CN201510891747.5在审
  • 胡文 - 济南晶正电子科技有限公司
  • 2015-12-04 - 2016-03-23 - C23C14/22
  • 本发明提供了一种单晶薄膜键合体和一种制造单晶薄膜键合体的方法,所述单晶薄膜键合体包括基底、铌酸单晶薄膜或单晶薄膜以及位于基底与铌酸单晶薄膜或单晶薄膜之间的基薄膜,其中,基薄膜通过沉积形成在铌酸单晶薄膜或单晶薄膜上,并通过直接键合法与基底进行键合,基薄膜为薄膜、二氧化硅薄膜或氮化硅薄膜。本发明的三层结构的单晶薄膜键合体能够有效地降低甚至消除在或铌酸单晶薄膜和基板之间的界面对光波和声波的反射作用,并且降低或消除了界面间的反射作用对于光或声波信号所造成的干扰。
  • 薄膜合体及其制造方法
  • [发明专利]高硬度喷丝头的制备方法-CN202310587602.0在审
  • 赵梓源;沈欢;薛翌倩;赵明轩;李均明 - 西安理工大学
  • 2023-05-23 - 2023-08-18 - C23C12/02
  • 本发明公开的高硬度喷丝头的制备方法,包括以下步骤:将金属板加工制造成喷丝头;利用表面技术在喷丝头表面制备一层铁镍合金;对喷丝头进行氮共渗,在其表面形成固溶铁、镍原子的氮化陶瓷层;将喷丝头抛光后进行清洗并烘干,然后放入由硝酸盐组成的熔融盐浴中,用电化学方法在喷丝头表面制备膜;将喷丝头出丝面膜抛掉,留下氮化层和镀膜时产生的过渡层;本发明可显著增强喷丝头表面强度、硬度,使其具备优异的抗划伤及抗变形能力,以提高喷丝头纺织质量和使用寿命。
  • 硬度喷丝头制备方法
  • [发明专利]一种压电单晶薄膜衬底的制备方法-CN202010645103.9有效
  • 欧欣;鄢有泉 - 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
  • 2020-07-07 - 2021-10-19 - H01L41/253
  • 本发明涉及材料制备技术领域,特别涉及一种压电单晶薄膜衬底的制备方法,包括:获取单晶晶圆片;在所述单晶晶圆片的表面制作热膨胀抑制层,对所述热膨胀抑制层和所述单晶晶圆片进行离子注入得到第一衬底结构,在所述单晶晶圆片内形成离子注入损伤层;本申请实施例所述的压电单晶薄膜衬底的制备方法,在对单晶晶圆片离子注入前先在其表面制作一层热膨胀抑制层,热膨胀抑制层在离子注入的过程中能够抑制的各向异性热膨胀形变,减小的弯曲幅度,提高离子注入的深度均匀性,并最终提高剥离的单晶薄膜的厚度均匀性。
  • 一种硅基钽酸锂压电薄膜衬底制备方法
  • [发明专利]一种改善铌酸薄膜晶圆稳定性的工艺方法-CN202210798473.5在审
  • 侯松岩 - 侯松岩
  • 2022-07-08 - 2022-09-30 - C30B29/30
  • 本发明提出一种的工艺制备过程,用来制作耐高温的单晶薄膜铌酸晶圆。在进行离子注入之后,在晶片和衬底旋涂氢倍半氧烷聚合物光刻胶,然后在进行晶圆键合,通过调整热退火的温度、时间以及气体,使晶片内部形成损伤层膨胀,进而将薄膜剥离,同时将氢倍半氧烷聚合物光刻胶变性成为致密的二氧化硅薄膜,之后对单晶铌酸晶圆另一面进行抛光打磨,得到耐高温的铌酸薄膜。利用此工艺制备的铌酸薄膜晶圆的耐高温性能将会大大提高,极大拓展了铌酸或者薄膜材料在微纳器件领域的应用。
  • 一种改善铌酸锂薄膜稳定性工艺方法

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