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[发明专利]一种硅氧氮烷聚合物的制备方法-CN201910164853.1有效
发明人：罗永明;艾丽青;徐彩虹;李永明;张宗波 -专利权人：中国科学院化学研究所
申请日： 2019-03-05 - 公布日： 2021-08-03 - 主分类号： C08G77/48 文献下载
摘要：本发明属于聚合物技术领域，具体涉及一种硅氧氮烷聚合物的制备方法。将含烷氧基二硅氮烷或含烷氧基环二硅氮烷与含氢硅氧烷或含氢硅烷进行反应、或者含氢二硅氮烷与含烷氧基硅氧烷或含烷氧基硅烷进行反应，即可得到硅氧氮烷聚合物。本发明采用分别含有烷氧基和硅氢基团的反应单体聚合反应生成特定结构的硅氧氮烷聚合物，反应条件温和，反应时间短，得到的硅氧氮烷聚合物结构较易控制，产物容易分离。
一种硅氧氮烷聚合物制备方法

[发明专利]一种聚硅氧烷/全氢聚硅氮烷杂化聚合物及其合成方法-CN201710813216.3有效
发明人：张宗波;梁倩影;徐彩虹;王丹 -专利权人：中国科学院化学研究所;中国科学院大学
申请日： 2017-09-11 - 公布日： 2020-09-08 - 主分类号： C08G77/452 文献下载
摘要：本发明属于化学和材料技术领域，具体涉及一种聚硅氧烷/全氢聚硅氮烷杂化聚合物及其合成方法。所述的聚硅氧烷/全氢聚硅氮烷杂化聚合物，包括全氢聚硅氮烷形成的骨架结构，所述骨架结构上接枝有聚硅氧烷，所述聚硅氧烷含有烷基链结构。所述的聚硅氧烷/全氢聚硅氮烷杂化聚合物的两聚合物原料结构之间的相容性好，稳定性得到改善，可以广泛应用于如光电技术、涂层等多种材料技术领域。本发明的聚硅氧烷/全氢聚硅氮烷杂化聚合物的合成方法操作简单，无需催化剂，且可在室温下进行。
一种聚硅氧烷全氢聚硅氮烷杂化聚合物及其合成方法

[发明专利]聚硅氮烷组合物、涂覆基材和多层结构体-CN201910247612.3有效
发明人：川上雅人;清森步 -专利权人：信越化学工业株式会社
申请日： 2019-03-29 - 公布日： 2022-09-16 - 主分类号： C08L83/16 文献下载
摘要：本发明提供聚硅氮烷组合物、涂覆基材和多层结构体。聚硅氮烷组合物，其包括不含Si‑H结构的有机聚硅氮烷化合物和在分子中具有至少两个硅原子的有机氧基硅烷化合物，该聚硅氮烷组合物不释放危险物质例如氢或者需要反应性溶剂。
聚硅氮烷组合基材多层结构

[发明专利]一种含环硼氮烷的硅硼氮烷陶瓷前驱体聚合物、制备方法及其应用-CN201810384994.X有效
发明人：齐会民;王帆;朱亚平;郭康康;彭翔 -专利权人：华东理工大学
申请日： 2018-04-26 - 公布日： 2021-06-25 - 主分类号： C08G79/08 文献下载
摘要：本发明公开了一种含环硼氮烷的硅硼氮烷陶瓷前驱体聚合物、制备方法及其应用。本发明所述的含环硼氮烷的硅硼氮烷陶瓷前驱体聚合物的结构特征是在聚合物分子链中含有环硼氮烷和硅氮烷结构。该陶瓷前驱体聚合物的制备方法是以氯化铵、有机伯胺、三卤化硼、二氯硅烷和氨气为主要原料，在隋性气体保护下分三步反应合成硅硼氮烷陶瓷前驱体聚合物。首先氯化铵或有机伯胺与三卤化硼反应合成三氯环硼氮烷，然后将三氯环硼氮烷与烃基溴化镁格氏试剂反应得到烃基取代的氯代环硼氮烷，再与二氯硅烷共氨解合成硅硼氮烷陶瓷前驱体聚合物。本发明的含环硼氮烷的硅硼氮烷陶瓷前驱体聚合物为无色或浅黄色粘稠状液体，可溶于常用溶剂，工艺性能优良。前驱体聚合物固化物可热解转化陶瓷，陶瓷产率高，可用于制备硅硼氮陶瓷基复合材料。
一种含环硼氮烷硅硼氮烷陶瓷前驱聚合物制备方法及其应用

[发明专利]耐温度变化的光导模制体及其制法-CN91110737.1无效
发明人：托马斯·思特林;约根·泰斯;逖劳·瓦斯;马丁·布柳克;安德里思·伯劳克麦尔 -专利权人：赫彻斯特股份公司
申请日： 1991-11-15 - 公布日： 1992-05-27 - 主分类号： C08J5/00 文献下载
摘要：由聚硅氮烷或聚氢氯硅氮烷制造光导模制体的方法。在此方法中将聚硅氮烷或聚氢氯硅氮烷挤压成模制体，或者将其溶于一种溶剂中并挤压成模制体，接着暴露在温度为10至200℃，相对湿度为20至100％的气体环境中0.1至24小时。此模制体具有皮层/芯结构，其中皮层由1至3重量％氧，20至25重量％氮和30至40重量％硅组成，芯100重量％由聚硅氮烷或聚氢氯硅氮烷组成。
耐温变化光导模制体及其制法

[发明专利]聚硅氮烷的制备方法-CN88108250.3无效
发明人：迪罗·威斯;汉斯-杰尔·克来诺;玛塞鲁斯·波克特;马丁·布吕克 -专利权人：赫彻斯特股份公司
申请日： 1988-12-02 - 公布日： 1993-06-30 - 主分类号： C08G77/62 文献下载
摘要：本发明涉及新型聚硅氮烷、其制备方法、将其进一步加工成含四氯化三硅的陶瓷材料的方法和该陶瓷材料本身。为了制备该聚硅氮烷，用结构式为RSiC12-NR1-SiCl2R的Si，Si1-二有机基-N-烷基-四氯-二硅氮烷与氨反应。然后可将该聚硅氮烷热解为含四氮化三硅的陶瓷材料。本发明的聚硅氮烷溶于通常的质子惰性溶剂。
聚硅氮烷制备方法

[发明专利]纳米氟化沥青复合航空涂层及其制备方法-CN202211470514.4有效
发明人：刘福春 -专利权人：广东腐蚀科学与技术创新研究院
申请日： 2022-11-23 - 公布日： 2023-07-21 - 主分类号： C09D183/16 文献下载
摘要：本发明公开了纳米氟化沥青复合航空涂层及其制备方法，制备方法的步骤包括：将聚硅氮烷树脂、氟化沥青粉体和稀释剂混合制备纳米氟化沥青复合航空涂料；将聚硅氮烷树脂和稀释剂混合得到聚硅氮烷清漆，将聚硅氮烷清漆喷涂在基材上；将铜网平铺在基材表面，待清漆干燥后揭去铜网得到具有微柱阵列结构的聚硅氮烷清漆涂层；将纳米氟化沥青复合航空涂料喷涂在聚硅氮烷清漆涂层表面形成具有微柱阵列结构的纳米氟化沥青复合航空涂层；本发明的纳米氟化沥青复合航空涂料具有优异的防冰和耐蚀性能
纳米氟化沥青复合航空涂层及其制备方法

[发明专利]含四氮化三硅的陶瓷材料和其制备方法-CN91103490.0无效
发明人：迪罗·威斯;汉斯-杰尔·克来诺;玛塞鲁斯·波克特;马丁·布吕克 -专利权人：赫彻斯特股份公司
申请日： 1988-12-02 - 公布日： 1994-02-16 - 主分类号： C01B21/068 文献下载
摘要：本发明涉及由新型聚硅氮烷加工成含四氮化三硅的陶瓷材料的方法和该陶瓷材料本身。为了制备该聚硅氮烷，用结构式为RSiCl2-NR′-SiCl2R的Si，Si′-二有机基-N-烷基-四氯-二硅氮烷与氨反应。然后可将该聚硅氮烷热解为含四氮化三硅的陶瓷材料。
氮化陶瓷材料制备方法

[发明专利]一种聚硅硼氮烷裂解产物的介电性能测试试样及其制备方法和测试方法-CN202111417188.6在审
发明人：韩耀;张冰清;张剑;董衡;吕毅;赵英民;张昊 -专利权人：航天特种材料及工艺技术研究所
申请日： 2021-11-26 - 公布日： 2022-03-01 - 主分类号： G01N27/22 文献下载
摘要：本发明涉及一种聚硅硼氮烷裂解产物的介电性能测试试样及其制备方法和测试方法。所述制备方法为：将聚硅硼氮烷进行固化和裂解，得到聚硅硼氮烷裂解产物；将聚硅硼氮烷裂解产物进行处理，得到聚硅硼氮烷裂解产物粉体；将聚硅硼氮烷裂解产物粉体放入干压模具中，然后往干压模具中加入聚硅硼氮烷液体胶液并使聚硅硼氮烷液体胶液与聚硅硼氮烷裂解产物粉体混合均匀后进行压制成型，得到由聚硅硼氮烷裂解产物和聚硅硼氮烷液体胶液组成的混合物；将所述混合物进行固化、裂解和机加，得到聚硅硼氮烷裂解产物的介电性能测试试样。本发明有效解决了聚硅硼氮烷裂解产物难以制备出介电性能测试试样，从而无法测试出不同裂解条件下材料的介电性能的技术难题。
一种聚硅硼氮烷裂解产物性能测试试样及其制备方法

[发明专利]一种聚硅氮烷裂解产物的介电性能测试试样及其制备方法和测试方法-CN202111417291.0在审
发明人：韩耀;张冰清;张剑;董衡;吕毅;赵英民;张昊 -专利权人：航天特种材料及工艺技术研究所
申请日： 2021-11-26 - 公布日： 2022-03-01 - 主分类号： G01N27/22 文献下载
摘要：本发明涉及一种聚硅氮烷裂解产物的介电性能测试试样及其制备方法和测试方法。所述制备方法包括：将聚硅氮烷依次进行固化和裂解，得到聚硅氮烷裂解产物；将聚硅氮烷裂解产物进行处理，得到聚硅氮烷裂解产物粉体；将聚硅氮烷裂解产物粉体放入干压模具中，然后往干压模具中加入聚硅氮烷液体胶液并使聚硅氮烷液体胶液与聚硅氮烷裂解产物粉体混合均匀后进行压制成型，得到由聚硅氮烷裂解产物和聚硅氮烷液体胶液组成的混合物；将所述混合物依次进行固化、裂解和机加，得到聚硅氮烷裂解产物的介电性能测试试样。本发明有效解决了聚硅氮烷裂解产物难以制备出介电性能测试试样，从而无法测试出不同裂解条件下材料的介电性能的技术难题。
一种聚硅氮烷裂解产物性能测试试样及其制备方法

[发明专利]聚硅氮烷涂覆方法和装置-CN202180046826.X在审
发明人：阿瓦尔·利勒博;金斯利·奥迪纳卡·伊乌 -专利权人：纳尼泽公司
申请日： 2021-06-28 - 公布日： 2023-04-21 - 主分类号： C08G77/62 文献下载
摘要：本发明涉及硅氮烷涂料的形成。本发明提供了用于限制聚硅氮烷断裂的聚硅氮烷涂覆方法及用于实施限制聚硅氮烷断裂的所述聚硅氮烷涂覆方法的组件。
聚硅氮烷涂覆方法装置

[发明专利]一种聚硅氮烷材料的制备方法及应用-CN201910097510.8有效
发明人：康文兵 -专利权人：大晶信息化学品（徐州）有限公司
申请日： 2019-01-31 - 公布日： 2021-11-02 - 主分类号： C08G77/62 文献下载
摘要：本发明涉及高分子材料领域，具体涉及一种聚硅氮烷材料的制备方法及应用。具体步骤为：通过预定的合成方法获得第一聚硅氮烷溶液；将所述第一聚硅氮烷吡啶溶液加入有机溶剂进行稀释，获得第二聚硅氮烷溶液；向所述第二聚硅氮烷吡啶溶液中加入引发剂，搅拌反应获得聚硅氮烷材料。该制备方法通过在聚硅氮烷溶液中加入可以产生自由基的引发剂，促进了小分子聚硅氮烷之间的交联反应，反应条件温和，且进一步提高了聚硅氮烷材料的分子量。
一种聚硅氮烷材料制备方法应用

[发明专利]环氧硅氮烷化合物、包含该化合物的组合物以及使用了其的二氧化硅质膜的形成方法-CN201780072646.2有效
发明人：冈村聪也;中段直孝;B·巴尼科尔;小崎力生;中本奈绪子 -专利权人：睿智弗尤德收购公司
申请日： 2017-11-21 - 公布日： 2022-01-11 - 主分类号： C08G77/54 文献下载
摘要：本发明提供一种可缩短二氧化硅质膜成膜工艺的时间的环氧硅氮烷化合物与包含该环氧硅氮烷化合物的组合物。一种环氧硅氮烷化合物、以及包含该环氧硅氮烷化合物的组合物，该环氧硅氮烷化合物是具有特定的结构的环氧硅氮烷化合物，其中O原子相对于O原子与N原子的总数的比率为5％以上且25％以下，且在基于反门控去耦法对前述环氧硅氮烷化合物进行
环氧硅氮烷化合物包含组合以及使用二氧化硅质膜形成方法

[发明专利]一种镁合金表面涂层材料、涂层及其制备方法-CN202310296224.0在审
发明人：孙小英;王艳;施利毅;郝永强;冉超阳;邓亮;杭建忠 -专利权人：上海大学;上海大学（浙江·嘉兴）新兴产业研究院
申请日： 2023-03-24 - 公布日： 2023-06-30 - 主分类号： C09D183/16 文献下载
摘要：所述涂层材料的组分包括：聚硅氮烷树脂以及溶剂；其中，所述溶剂的含量为19重量％～98.8重量％，并根据所述聚硅氮烷树脂的类别以设定所述聚硅氮烷树脂的含量。若所述聚硅氮烷树脂为有机聚硅氮烷，则所述有机聚硅氮烷的含量为2重量％～80重量％。若所述聚硅氮烷树脂为无机聚硅氮烷，则所述无机聚硅氮烷的含量为1重量％～20重量％。
一种镁合金表面涂层材料及其制备方法

[发明专利]绝缘涂料、电绝缘层、复合非晶纳米晶带材及制备方法-CN202211136526.3在审
发明人：孙小英;王艳;施利毅;杭建忠 -专利权人：上海大学
申请日： 2022-09-19 - 公布日： 2022-11-08 - 主分类号： C09D183/16 文献下载
摘要：本申请涉及绝缘涂料领域，尤其涉及绝缘涂料、电绝缘层、复合非晶纳米晶带材及制备方法；所述绝缘涂料包括聚硅氮烷树脂和有机硅类流平剂；其中，所述聚硅氮烷树脂的质量为所述绝缘涂料的质量的12％～85％，所述有机硅类流平剂的质量为所述绝缘涂料的质量的0.4％～0.7％；由于聚硅氮烷树脂能发生水解缩合反应，可以在非晶纳米晶带材的表面形成一层具有Si‑O‑Si结构的电绝缘层，因此使得聚硅氮烷树脂形成的电绝缘层具有良好的绝缘性和耐高温性能，但是聚硅氮烷树脂的流动性较差，通过聚硅氮烷树脂和有机硅类流平剂之间的相互配合，能够综合提高电绝缘层的绝缘性和耐高温性。
绝缘涂料复合纳米晶带材制备方法

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