专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]一种新型窄边框触控显示屏-CN202011472154.2在审
  • 李建军 - 牧东光电科技有限公司
  • 2020-12-15 - 2021-03-19 - G06F3/044
  • 本发明公开了一种新型窄边框触控显示屏,电容感应包括第一电容感应信号区域、第二电容感应信号区域和设置在第一电容感应信号区域与第二电容感应信号区域之间的电容感应薄膜;电容驱动包括第一电容驱动信号区域、第二电容驱动信号区域和设置在第一电容驱动信号区域与第二电容驱动信号区域之间的电容驱动薄膜。本发明通过通孔的方式将电容感应电容驱动信号区域一半的走线数量分别转移到电容感应电容驱动的背面,通孔侧壁印刷有银浆可以通道电容感应电容驱动的正面和背面,相当于电容感应电容驱动信号区域的宽度减少一半
  • 一种新型边框显示屏
  • [实用新型]一种新型窄边框触控显示屏-CN202022998860.2有效
  • 李建军 - 牧东光电科技有限公司
  • 2020-12-15 - 2021-11-09 - G06F3/044
  • 本实用新型公开了一种新型窄边框触控显示屏,电容感应包括第一电容感应信号区域、第二电容感应信号区域和设置在第一电容感应信号区域与第二电容感应信号区域之间的电容感应薄膜;电容驱动包括第一电容驱动信号区域、第二电容驱动信号区域和设置在第一电容驱动信号区域与第二电容驱动信号区域之间的电容驱动薄膜。本实用新型通过通孔的方式将电容感应电容驱动信号区域一半的走线数量分别转移到电容感应电容驱动的背面,通孔侧壁印刷有银浆可以通道电容感应电容驱动的正面和背面,相当于电容感应电容驱动信号区域的宽度减少一半
  • 一种新型边框显示屏
  • [发明专利]电容结构及其制作方法-CN202011105560.5在审
  • 盛超军;陆勇 - 长鑫存储技术有限公司
  • 2020-10-15 - 2022-04-19 - H01L27/108
  • 本申请提供一种电容结构及其制作方法。该电容结构包括:衬底、第一电容接触、下电极电容介质和上电极,其中,第一电容接触阵列排布于衬底上,下电极围绕第一电容接触侧壁,并沿第一电容接触背离衬底的方向延伸,电容介质覆盖衬底上表面、下电极表面及第一电容接触上表面,上电极覆盖电容介质表面。本申请提供的电容结构及其制作方法,增加了环绕第一电容接触侧壁的电容面积,从而增大了电容的面积,降低了双面电容结构的阻值。
  • 电容结构及其制作方法
  • [发明专利]电容结构及其形成方法、半导体结构及其形成方法-CN202310502553.6在审
  • 邹道华;高谷信一郎;刘昱玮;朱晓洁 - 常州承芯半导体有限公司
  • 2023-05-06 - 2023-06-02 - H10N97/00
  • 一种电容结构及其形成方法、半导体结构及其形成方法,涉及半导体制造技术领域,其中电容结构包括:第一电容金属;第一电容钝化,覆盖第一电容金属;第二电容金属,位于第一电容钝化上;第二电容钝化,覆盖第二电容金属;第三电容金属,位于第二电容钝化上;第一电容介质,位于第三电容金属上,第一电容介质具有若干第一通孔,若干第一通孔暴露出第三电容金属的部分表面,第一通孔侧壁倾斜;位于第一电容介质上的第四电容金属利用第一通孔倾斜的侧壁能够将打线时施加的一部分压力进行反弹,进而减小压力对电容金属的冲击,减小对电容结构造成的损伤。另外将电容结构制作在打线区域上,可以有效降低芯片的尺寸。
  • 电容结构及其形成方法半导体
  • [发明专利]半导体存储器制备方法-CN201910911272.X有效
  • 朱长立;鲍锡飞 - 长鑫存储技术有限公司
  • 2019-09-25 - 2023-05-26 - H10B12/00
  • 本申请涉及半导体存储器制备方法,包括:提供半导体基底,半导体基底顶面具有多个间隔设置的电容接触区,各电容接触区上形成有电容接触结构,电容接触结构上形成有覆盖电容接触结构和相邻电容接触结构之间区域的电容隔离结构,其中,电容接触结构包括依次向上叠设的电容接触和导电材料;在电容隔离结构上形成牺牲;依次向下刻蚀牺牲电容隔离结构和导电材料,形成电容孔,通过电容孔暴露电容接触;在电容孔内依次形成下电极电容介质和上电极。通过增加导电材料,提升电容隔离层的位置并减薄牺牲,有利于对电容隔离层和牺牲进行刻蚀,降低刻蚀不到位而使下电极板不能与与电容接触电连接的风险。
  • 半导体存储器制备方法
  • [发明专利]电容器阵列结构及其制造方法-CN201711273289.4有效
  • 请求不公布姓名 - 长鑫存储技术有限公司
  • 2017-12-06 - 2023-09-29 - H01L23/64
  • 本发明提供一种电容器阵列结构及其制造方法,电容器阵列结构设置于半导体衬底上,电容器阵列结构包括下电极、粘附电容介质及上电极,下电极层位于半导体衬底上;粘附覆盖于下电极的内表面及外表面,用于提高下电极电容介质之间的粘附力,以防止下电极电容介质相剥离;电容介质覆盖于粘附的内表面及外表面;上电极覆盖于电容介质的外表面。本发明的电容器阵列结构通过在下电极电容介质之间设置粘附,可以改善电容介质与下电极之间的黏着性,从而有效避免电容介质从下电极表面剥离,提高电容介质的可靠性,避免漏电流的异常增加。
  • 电容器阵列结构及其制造方法
  • [发明专利]一种宽频带的LTCC叉指电容-CN201810269187.3有效
  • 王其鹏;戴瑞萍;马强;周波 - 南京邮电大学
  • 2018-03-29 - 2020-07-17 - H01G4/005
  • 本发明公开了一种宽频带的LTCC叉指电容,所述LTCC叉指电容包括依次层叠设计的第一电容、第二电容、第三电容和第四电容,且所述第二电容和第三电容上设置有相同数量的叉指,所述第一电容、第二电容、第三电容和第四电容之间通过垂直过孔以级联的方式连接,所述第一电容和第二电容通过所述垂直过孔形成的第一连接机构和第二连接机构连接,所述第二电容和第三电容通过所述垂直过孔形成的第三连接机构和第四连接机构连接,所述第三电容和第四电容通过垂直过孔形成的第五连接机构和第六连接机构连接;本发明提出的叉指电容制备成本低,成品率高,具有可靠性高,耐高温,可适用于恶劣环境等优点;同时实现了电容的小型化。
  • 一种宽频ltcc电容
  • [发明专利]母线电容及汽车-CN202110945614.7在审
  • 韩冰;张信;何永斌;贺瑞兴 - 比亚迪股份有限公司
  • 2021-08-17 - 2023-02-17 - H01G4/38
  • 本申请公开的母线电容及汽车,母线电容包括多个电容,相邻的两个电容之间填充有电介质;多个电容包括多个正极电容和多个负极电容;母线电容设第一孔,第一孔内设第一导电件,第一导电件与多个正极电容接触,使多个正极电容电连接;母线电容设第二孔,第二孔内设第二导电件,第二导电件与多个负极电容接触,使多个负极电容电连接。本申请中,各正极电容通过第一导电件电连接,各负极电容通过第二导电件电连接。功率模块与母线电容连接时,各正极电容和负极电容与功率模块的连接距离均缩短,可降低杂散电感,缓解杂散电感对元器件的冲击,使MOSFET的优势充分发挥,使制备MOSFET的SiC的性能充分发挥。
  • 母线电容汽车
  • [发明专利]金属-绝缘体-金属电容结构及其制法-CN200310117088.7有效
  • 高境鸿 - 联华电子股份有限公司
  • 2003-12-03 - 2005-06-08 - H01G4/33
  • 本发明提供一种金属-绝缘体-金属(MIM)电容,包含有一第一金属;一第一电容介电,设于该第一金属上;一第二金属,叠设于该第一电容介电上,其中该第一金属、该第一电容介电及该第二金属构成一下电容结构;一第二电容介电,设于该第二金属上;以及一第三金属,叠设于该第二电容介电上,其中该第二金属、该第二电容介电及该第三金属构成一上电容结构;其中该第一金属及该第三金属电连接该MIM电容的第一电容端点,而该第二金属则电连接该MIM电容的第二电容端点。
  • 金属绝缘体电容结构及其制法
  • [发明专利]金属-氧化物-金属电容器的制作方法-CN202110520984.6在审
  • 陈书基;封晶;蒋晓宏;戴锦华 - 联华电子股份有限公司
  • 2021-05-13 - 2022-11-15 - H01L23/522
  • 本发明公开一种金属‑氧化物‑金属电容器(Metal‑Oxide‑Metal capacitor,MOMCAP)的制作方法,包括下述步骤:首先,根据第N预期电容值,在基材上方形成第N金属;再计算第N金属的第N实际电容值与第N预期电容值之间的第N电容误差值。根据第N电容误差值调整第N+1金属的第N+1预期电容值。以及根据调整后的第N+1预期电容值,在第N金属的上方形成具有第N+1实际电容值的第N+1金属,且使第N实际电容值和第N+1实际电容值的加总等于第N预期电容值和第N+1预期电容值的加总
  • 金属氧化物电容器制作方法
  • [发明专利]集成电路电容器及其制造方法、半导体器件-CN201810576610.4有效
  • 请求不公布姓名 - 长鑫存储技术有限公司
  • 2018-06-06 - 2023-07-04 - H01L23/64
  • 本发明提供一种集成电路电容器及其制造方法、半导体器件,在节点接触上形成第一电极板,在第一电极板上形成电容结构以及在电容结构上形成第二电极板,电容结构包括结晶相的电容介质主、连续设置的多层非结晶相的电容介质子、以及位于相邻电容介质子之间及位于电容介质主电容介质子之间的多层电流抑制子电容结构还包括一电流抑制主,位于电容介质主与由第一电极板和第二电极板所构成群组的最邻近电极板之间,并且电容介质主的单层厚度大于电容介质子的总厚度,电流抑制主的单层厚度大于电流抑制子的单层厚度,由此减小漏电流,抑制漏电流的隧穿效应。
  • 集成电路电容器及其制造方法半导体器件

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