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- [发明专利]一种新型窄边框触控显示屏-CN202011472154.2在审
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李建军
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牧东光电科技有限公司
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2020-12-15
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2021-03-19
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G06F3/044
- 本发明公开了一种新型窄边框触控显示屏,电容感应层包括第一电容感应层信号区域、第二电容感应层信号区域和设置在第一电容感应层信号区域与第二电容感应层信号区域之间的电容感应层薄膜;电容驱动层包括第一电容驱动层信号区域、第二电容驱动层信号区域和设置在第一电容驱动层信号区域与第二电容驱动层信号区域之间的电容驱动层薄膜。本发明通过通孔的方式将电容感应层和电容驱动层信号区域一半的走线数量分别转移到电容感应层和电容驱动层的背面,通孔侧壁印刷有银浆可以通道电容感应层和电容驱动层的正面和背面,相当于电容感应层和电容驱动层信号区域的宽度减少一半
- 一种新型边框显示屏
- [实用新型]一种新型窄边框触控显示屏-CN202022998860.2有效
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李建军
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牧东光电科技有限公司
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2020-12-15
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2021-11-09
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G06F3/044
- 本实用新型公开了一种新型窄边框触控显示屏,电容感应层包括第一电容感应层信号区域、第二电容感应层信号区域和设置在第一电容感应层信号区域与第二电容感应层信号区域之间的电容感应层薄膜;电容驱动层包括第一电容驱动层信号区域、第二电容驱动层信号区域和设置在第一电容驱动层信号区域与第二电容驱动层信号区域之间的电容驱动层薄膜。本实用新型通过通孔的方式将电容感应层和电容驱动层信号区域一半的走线数量分别转移到电容感应层和电容驱动层的背面,通孔侧壁印刷有银浆可以通道电容感应层和电容驱动层的正面和背面,相当于电容感应层和电容驱动层信号区域的宽度减少一半
- 一种新型边框显示屏
- [发明专利]半导体存储器制备方法-CN201910911272.X有效
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朱长立;鲍锡飞
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长鑫存储技术有限公司
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2019-09-25
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2023-05-26
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H10B12/00
- 本申请涉及半导体存储器制备方法,包括:提供半导体基底,半导体基底顶面具有多个间隔设置的电容接触区,各电容接触区上形成有电容接触结构,电容接触结构上形成有覆盖电容接触结构和相邻电容接触结构之间区域的电容隔离结构,其中,电容接触结构包括依次向上叠设的电容接触层和导电材料层;在电容隔离结构上形成牺牲层;依次向下刻蚀牺牲层、电容隔离结构和导电材料层,形成电容孔,通过电容孔暴露电容接触层;在电容孔内依次形成下电极层、电容介质层和上电极层。通过增加导电材料层,提升电容隔离层的位置并减薄牺牲层,有利于对电容隔离层和牺牲层进行刻蚀,降低刻蚀不到位而使下电极板不能与与电容接触层电连接的风险。
- 半导体存储器制备方法
- [发明专利]电容器阵列结构及其制造方法-CN201711273289.4有效
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请求不公布姓名
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长鑫存储技术有限公司
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2017-12-06
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2023-09-29
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H01L23/64
- 本发明提供一种电容器阵列结构及其制造方法,电容器阵列结构设置于半导体衬底上,电容器阵列结构包括下电极层、粘附层、电容介质层及上电极,下电极层位于半导体衬底上;粘附层覆盖于下电极层的内表面及外表面,用于提高下电极层与电容介质层之间的粘附力,以防止下电极层与电容介质层相剥离;电容介质层覆盖于粘附层的内表面及外表面;上电极层覆盖于电容介质层的外表面。本发明的电容器阵列结构通过在下电极层与电容介质层之间设置粘附层,可以改善电容介质层与下电极层之间的黏着性,从而有效避免电容介质层从下电极层表面剥离,提高电容介质层的可靠性,避免漏电流的异常增加。
- 电容器阵列结构及其制造方法
- [发明专利]一种宽频带的LTCC叉指电容-CN201810269187.3有效
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王其鹏;戴瑞萍;马强;周波
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南京邮电大学
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2018-03-29
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2020-07-17
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H01G4/005
- 本发明公开了一种宽频带的LTCC叉指电容,所述LTCC叉指电容包括依次层叠设计的第一电容层、第二电容层、第三电容层和第四电容层,且所述第二电容层和第三电容层上设置有相同数量的叉指,所述第一电容层、第二电容层、第三电容层和第四电容层之间通过垂直过孔以级联的方式连接,所述第一电容层和第二电容层通过所述垂直过孔形成的第一连接机构和第二连接机构连接,所述第二电容层和第三电容层通过所述垂直过孔形成的第三连接机构和第四连接机构连接,所述第三电容层和第四电容层通过垂直过孔形成的第五连接机构和第六连接机构连接;本发明提出的叉指电容制备成本低,成品率高,具有可靠性高,耐高温,可适用于恶劣环境等优点;同时实现了电容的小型化。
- 一种宽频ltcc电容
- [发明专利]母线电容及汽车-CN202110945614.7在审
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韩冰;张信;何永斌;贺瑞兴
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比亚迪股份有限公司
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2021-08-17
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2023-02-17
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H01G4/38
- 本申请公开的母线电容及汽车,母线电容包括多个电容层,相邻的两个电容层之间填充有电介质;多个电容层包括多个正极电容层和多个负极电容层;母线电容设第一孔,第一孔内设第一导电件,第一导电件与多个正极电容层接触,使多个正极电容层电连接;母线电容设第二孔,第二孔内设第二导电件,第二导电件与多个负极电容层接触,使多个负极电容层电连接。本申请中,各正极电容层通过第一导电件电连接,各负极电容层通过第二导电件电连接。功率模块与母线电容连接时,各正极电容层和负极电容层与功率模块的连接距离均缩短,可降低杂散电感,缓解杂散电感对元器件的冲击,使MOSFET的优势充分发挥,使制备MOSFET的SiC的性能充分发挥。
- 母线电容汽车
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