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- [发明专利]一种可用于选区原子层沉积的微纳加工方法-CN202011348432.3有效
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董红;罗锋;王一同
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南开大学
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2020-11-26
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2022-07-26
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C23C16/04
- 本发明属于半导体加工技术领域,公开了一种可用于选区原子层沉积的微纳加工方法,以材料LiPON作为抑制剂为例,但并不限于LiPON,LiPON只是可通过原子层沉积得到的抑制剂其中之一。通过原子层沉积的方法生长抑制剂薄膜,抑制剂薄膜能够抑制后续的氧化物的原子层沉积的生长,有抑制剂薄膜覆盖的位置实现后续氧化物原子层沉积的抑制,无抑制剂覆盖的部分原子层沉积可正常进行,实现选区原子层沉积。本发明能够在原位情况下很好的抑制后续氧化物的原子层沉积,具有很强的抑制后续氧化物的原子层沉积的生长的效果,从而达到提高选择率的目的。本发明解决了仅在非沉积区吸附一层抑制剂分子,抑制效果难以调节的问题。
- 一种用于选区原子沉积加工方法
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