专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [实用新型]磁性接地极-CN200420063523.2无效
  • 王方友 - 王方友
  • 2004-10-08 - 2006-05-31 - H01R11/30
  • 本实用新型公开了一种磁性接地极包括金属壳体1、磁材料2、接地线卡头3和隔热材料4;所述的金属壳体1的内中部纵向均匀装有三个所述的磁性材料2;所述的金属壳体1内及所述的磁性材料2之间充满所述的隔热材料
  • 磁性接地
  • [发明专利]磁性装置-CN202010125817.7在审
  • 及川忠昭;李永珉;吉野健一;北川英二;泽田和也;矶田大河 - 铠侠股份有限公司
  • 2020-02-27 - 2021-03-12 - H01L27/22
  • 实施方式提供一种维持保留特性且减小饱和磁化及膜厚的积的磁性装置。实施方式的磁性装置具备磁阻效应元件。所述磁阻效应元件包含第1磁性体、第2磁性体、所述第1磁性体与所述第2磁性体之间的第1非磁性体、以及与所述第1非磁性体之间夹着所述第1磁性体的第2非磁性体。所述第1非磁性体及所述第2非磁性体含有氧化镁(MgO)。所述第1磁性体与所述第2非磁性体的界面比所述第1磁性体与所述第1非磁性体的界面含有更多的硼(B)。
  • 磁性装置
  • [发明专利]复杂磁性体的航空勘探方法和勘探系统-CN202110926636.9有效
  • 陈龙伟;陈欣;张钱江;张智 - 桂林理工大学
  • 2021-08-12 - 2023-09-12 - G01V3/08
  • 复杂磁性体的航空勘探方法和勘探系统,根据地下目标区域、磁性体的展布范围、磁性体的磁化率分布数据,计算地下目标区域磁性体的磁场;根据地上观测高度、水平观测点坐标、地下目标区域磁性体的磁场,计算地上观测高度磁性体的磁场以及磁场梯度张量;若地上观测高度磁性体的磁场、磁场梯度张量分别与仪器测得的地上观测高度磁性体的实际磁场、磁场梯度张量相同,将磁性体的磁化率分布数据作为所述磁性体的实际磁化率分布数据以用于航空勘探所述磁性体。本发明能高效、高精度地适用于计算磁性体的磁场和磁场梯度张量,从而提高利用磁场和磁场梯度数据进行精细反演和解释的精度。
  • 复杂磁性航空勘探方法系统
  • [发明专利]磁阻效应元件及磁存储器-CN201380015011.0有效
  • 佐藤英夫;深见俊辅;山内路彦;池田正二;松仓文礼;大野英男 - 国立大学法人东北大学
  • 2013-03-25 - 2017-04-26 - H01L21/8246
  • 所述磁阻效应元件具备包含磁化方向不变的第一磁性层(106)、磁化方向可变的第二磁性层(109)、设置在第一磁性层(106)和第二磁性层(109)之间的第一非磁性层(110)、与第一磁性层及第二磁性层连接的电流供给端子(201、202)、设置在第二磁性层(109)的与第一非磁性层(110)相反侧的面上的非磁耦合层(203)、设置在非磁耦合层(203)的与第二磁性层(109)的相反侧的面上的磁化方向可变的第三磁性层(204)、设置在第三磁性层(204)的与所述非磁耦合层(203)相反侧面上的第二非磁性层(205);所述第二磁性层(109)与所述第三磁性层(204)磁化方向相同,通过电流进行自旋注入磁化反转。
  • 磁阻效应元件磁存储器
  • [发明专利]CPP型巨磁电阻元件和使用它的磁部件及磁装置-CN200480003354.6无效
  • 猪俣浩一郎;手束展规 - 独立行政法人科学技术振兴机构
  • 2004-01-23 - 2006-05-10 - H01L43/08
  • CPP型巨磁电阻元件和磁部件及磁装置,能通过膜面垂直方向的自旋相关电流显现巨磁电阻效应,其中,CPP型巨磁电阻元件(10、20、50)具有反磁性层(9)、磁性固定层(11、11A)、非磁性导电层(12)和磁性自由层(13、13A)的叠层结构,磁性自由层(13、13A)的第1磁性层(14、14A)和第2磁性层(16、16A)间隔着磁性耦合体(15、15A)而磁反平行耦合,第1磁性层(14、14A)的磁化(17、17’)与第2磁性层(16、16A)的磁化(18、18A)的大小不同。上旋电子(5)和下旋电子(6)根据磁性固定层(11、11A)和磁性自由层(13、13A)的磁化方向而自旋相关散射,CPP-GMR经过传导通道(1、2、3、4)而增大。另外,在具有磁性固定层(11)、非磁性导电层(12)和磁性自由层(13A)的CPP型巨磁电阻元件(30)中,在磁性固定层(11)与非磁性导电层(12)之间、及/或磁性自由层(13A)的表面,设置由钌
  • cpp磁电元件使用部件装置
  • [发明专利]磁性二度体的勘探方法和勘探系统-CN202110926619.5有效
  • 陈龙伟;彭嘉祥;陈欣;张智 - 桂林理工大学
  • 2021-08-12 - 2023-08-29 - G01V3/08
  • 本发明旨在提供一种磁性二度体的勘探方法和勘探系统,包括:根据地下目标区域、磁性二度体的展布范围、磁性二度体的磁化率分布数据,计算地下目标区域磁性二度体的磁场;根据地面观测高度、水平观测点坐标、地下目标区域磁性二度体的磁场,计算水平观测点位置处磁性二度体的磁场;判断计算得到的水平观测点位置处磁性二度体的磁场与仪器测量得到的水平观测点位置处磁性二度体的磁场相同,如果相同,则将磁性二度体的磁化率分布数据作为所述磁性二度体的实际磁化率分布数据以用于勘探所述磁性二度体
  • 磁性二度勘探方法系统
  • [发明专利]三维磁性体的勘探方法及勘探系统-CN201811274214.2有效
  • 欧阳芳;陈龙伟;赵建国;戴世坤;熊斌 - 桂林理工大学
  • 2018-10-30 - 2020-11-20 - G01V3/08
  • 本发明提出了一种三维磁性体的勘探方法和勘探系统,所述三维磁性体的勘探方法包括:设置目标区域、三维磁性体的展布范围和三维磁性体的磁化率分布数据;根据所述目标区域、所述展布范围、所述磁化率分布数据和三维磁性体的磁场计算方法,计算所述三维磁性体的磁场;以及若所述磁场和利用磁力仪测量得到的所述三维磁性体的实际磁场相同,将所述磁化率分布数据作为所述三维磁性体的实际磁化率分布数据以用于勘探所述三维磁性体。本发明实施例解决了目前三维磁性体的勘探方法和勘探系统难以平衡计算效率和计算精度、无法满足大规模磁场数据精细反演成像需求等问题。
  • 三维磁性勘探方法系统

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