|
钻瓜专利网为您找到相关结果 1185287个,建议您 升级VIP下载更多相关专利
- [发明专利]复杂强磁性体的航空勘探方法和勘探系统-CN202110926636.9有效
-
陈龙伟;陈欣;张钱江;张智
-
桂林理工大学
-
2021-08-12
-
2023-09-12
-
G01V3/08
- 复杂强磁性体的航空勘探方法和勘探系统,根据地下目标区域、强磁性体的展布范围、强磁性体的磁化率分布数据,计算地下目标区域强磁性体的磁场;根据地上观测高度、水平观测点坐标、地下目标区域强磁性体的磁场,计算地上观测高度强磁性体的磁场以及磁场梯度张量;若地上观测高度强磁性体的磁场、磁场梯度张量分别与仪器测得的地上观测高度强磁性体的实际磁场、磁场梯度张量相同,将强磁性体的磁化率分布数据作为所述强磁性体的实际磁化率分布数据以用于航空勘探所述强磁性体。本发明能高效、高精度地适用于计算强磁性体的磁场和磁场梯度张量,从而提高利用磁场和磁场梯度数据进行精细反演和解释的精度。
- 复杂磁性航空勘探方法系统
- [发明专利]磁阻效应元件及磁存储器-CN201380015011.0有效
-
佐藤英夫;深见俊辅;山内路彦;池田正二;松仓文礼;大野英男
-
国立大学法人东北大学
-
2013-03-25
-
2017-04-26
-
H01L21/8246
- 所述磁阻效应元件具备包含磁化方向不变的第一强磁性层(106)、磁化方向可变的第二强磁性层(109)、设置在第一强磁性层(106)和第二强磁性层(109)之间的第一非磁性层(110)、与第一强磁性层及第二强磁性层连接的电流供给端子(201、202)、设置在第二强磁性层(109)的与第一非磁性层(110)相反侧的面上的非磁耦合层(203)、设置在非磁耦合层(203)的与第二强磁性层(109)的相反侧的面上的磁化方向可变的第三强磁性层(204)、设置在第三强磁性层(204)的与所述非磁耦合层(203)相反侧面上的第二非磁性层(205);所述第二强磁性层(109)与所述第三强磁性层(204)磁化方向相同,通过电流进行自旋注入磁化反转。
- 磁阻效应元件磁存储器
- [发明专利]CPP型巨磁电阻元件和使用它的磁部件及磁装置-CN200480003354.6无效
-
猪俣浩一郎;手束展规
-
独立行政法人科学技术振兴机构
-
2004-01-23
-
2006-05-10
-
H01L43/08
- CPP型巨磁电阻元件和磁部件及磁装置,能通过膜面垂直方向的自旋相关电流显现巨磁电阻效应,其中,CPP型巨磁电阻元件(10、20、50)具有反强磁性层(9)、强磁性固定层(11、11A)、非磁性导电层(12)和强磁性自由层(13、13A)的叠层结构,强磁性自由层(13、13A)的第1磁性层(14、14A)和第2磁性层(16、16A)间隔着磁性耦合体(15、15A)而磁反平行耦合,第1磁性层(14、14A)的磁化(17、17’)与第2磁性层(16、16A)的磁化(18、18A)的大小不同。上旋电子(5)和下旋电子(6)根据强磁性固定层(11、11A)和强磁性自由层(13、13A)的磁化方向而自旋相关散射,CPP-GMR经过传导通道(1、2、3、4)而增大。另外,在具有强磁性固定层(11)、非磁性导电层(12)和强磁性自由层(13A)的CPP型巨磁电阻元件(30)中,在强磁性固定层(11)与非磁性导电层(12)之间、及/或强磁性自由层(13A)的表面,设置由钌
- cpp磁电元件使用部件装置
- [发明专利]三维强磁性体的勘探方法及勘探系统-CN201811274214.2有效
-
欧阳芳;陈龙伟;赵建国;戴世坤;熊斌
-
桂林理工大学
-
2018-10-30
-
2020-11-20
-
G01V3/08
- 本发明提出了一种三维强磁性体的勘探方法和勘探系统,所述三维强磁性体的勘探方法包括:设置目标区域、三维强磁性体的展布范围和三维强磁性体的磁化率分布数据;根据所述目标区域、所述展布范围、所述磁化率分布数据和三维强磁性体的磁场计算方法,计算所述三维强磁性体的磁场;以及若所述磁场和利用磁力仪测量得到的所述三维强磁性体的实际磁场相同,将所述磁化率分布数据作为所述三维强磁性体的实际磁化率分布数据以用于勘探所述三维强磁性体。本发明实施例解决了目前三维强磁性体的勘探方法和勘探系统难以平衡计算效率和计算精度、无法满足大规模磁场数据精细反演成像需求等问题。
- 三维磁性勘探方法系统
|