专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]测定方法和测定装置-CN202210668822.1在审
  • 久保敬;杉田吉平;岛津悠平 - 东京毅力科创株式会社
  • 2022-06-14 - 2023-01-06 - H05H1/00
  • 在工序(a)中,使用受光元件,按每个不同的曝光时间测定从在等离子体处理装置内生成的等离子体检测出的光的每个波长的发光强度。在工序(b)中,针对构成预先决定的波长范围的多个不同的个别波长范围,分别确定以使个别波长范围中包含的预先决定的波长的发光强度成为预先决定的范围内的发光强度的曝光时间测定出的个别波长范围中的发光强度分布在工序(c)中,从确定出的发光强度分布中选择个别波长范围的发光强度分布。在工序(d)中,输出按每个个别波长范围选择出的发光强度分布
  • 测定方法装置
  • [发明专利]混合式前照灯系统和方法-CN201810529275.2有效
  • 布兰特·波特;约翰·奥瑞斯彻 - 法雷奥北美有限公司
  • 2018-05-29 - 2021-10-22 - F21S41/141
  • 一种前照灯组件包含被配置成产生近光束分布的近光束组件。所述近光束组件包含:第一近光束固态光源模块,所述第一近光束固态光源模块具有光学地配置成发射第一发光强度分布的第一固态激光光源和光学地配置成发射第二发光强度分布的第二固态激光光源;和第二近光束固态光源模块,所述第二近光束固态光源模块具有光学地配置成发射第三发光强度分布的固态光源,所述第三发光强度分布与所述第一发光强度分布和所述第二发光强度分布中的至少一个至少部分地重叠。所述前照灯组件还具有被配置成产生远光束分布的远光束组件。
  • 混合式前照灯系统方法
  • [发明专利]半导体发光元件及其制法-CN200810187393.6有效
  • 李承士;殷寿志;谢馨仪;林神江 - 佰鸿工业股份有限公司
  • 2008-12-31 - 2010-07-07 - H01L33/00
  • 一种半导体发光元件,包含:一半导体晶片及一受激发光层。受激发光层覆盖于半导体晶片上,受激发光层对应半导体晶片的发光强度较强区域的厚度较厚,对应发光强度较弱区域厚度较薄,受激发光层对应于发光强度较强区域的厚度与对应于发光强度较弱区域的厚度比大于1而小于5。其制法,包含:a)提供一半导体晶片,并量测其出光强分布;b)依据该半导体晶片的出光强分布决定一受激发光层的形状,使受激发光层对应半导体晶片的发光强度较强区域的厚度较厚,对应发光强度较弱区域厚度较薄,以使各出光角度色温均匀,并制作一具有预定形状的治具;c)借由治具于半导体晶片上形成一受激发光层。目的在于借由受激发光层的形状补偿晶片发光强度不均的缺点,达到色度均匀。
  • 半导体发光元件及其制法
  • [实用新型]反光罩-CN93219379.X无效
  • 李亨 - 北京方圆计量工程技术公司
  • 1993-07-26 - 1995-02-22 - F21V3/02
  • 一种改变现有全向发光灯具发光强度的空间分布,使该类灯具四周的发光强度大大增加的反光罩。该反光罩的反光面对称方向的夹角大于180°,应用本实用新型的全向发光灯具发光强度的空间分布,完全符合安全、障碍、警示等示警方面的使用要求。
  • 反光
  • [发明专利]一种脉象探测设备及方法-CN201680038478.0在审
  • 郭涛;阳光 - 深圳配天智能技术研究院有限公司
  • 2016-12-30 - 2018-05-01 - A61B5/02
  • 一种脉象探测设备及方法,该方法通过传感装置与皮肤表面相接触,将皮肤表面不同部位的形变转化为传感装置表面对应不同部位的发光强度的变化;采集装置对发光强度进行采集,获取传感装置的光场分布信息;根据光场分布信息,调用预先建立的发光强度与形变信息的对应关系,根据当前发光强度确定对应的皮肤表面各部位的形变信息。本发明将皮肤表面的形变转化为分布式光场强度,使得各处形变不同直接导致材料各处发光强度的不同,极大提高了对皮肤表面形变探测的空间分辨率。利用高分辨率的光学传感技术捕捉材料各处的发光强度,最终实现对皮肤表面形变的高分辨率探测。本申请仅需做简单的处理即可用于中医理论进行进一步分析,具有实用性。
  • 一种脉象探测设备方法
  • [发明专利]半导体发光元件-CN201510029040.3有效
  • 邱新智;陈世益;吕志强 - 晶元光电股份有限公司
  • 2015-01-21 - 2019-09-03 - H01L33/26
  • 本发明公开一种半导体发光元件,包含一外延叠层具有一第一半导体层、一第二半导体层以及一有源层位于该第一半导体层以及该第二半导体层之间用以产生一光波;以及一主要出光面位于该第一半导体层之上,该光波穿透过该主要出光面;其中,该主要出光面包含一第一出光区域、一第二出光区域以及一最大近场发光强度,该第一出光区域内的近场发光强度分布介于该最大近场发光强度的70%到100%之间,该第二出光区域内的近场发光强度分布介于该最大近场发光强度
  • 半导体发光元件
  • [发明专利]半导体发光元件-CN201910728100.9有效
  • 邱新智;陈世益;吕志强 - 晶元光电股份有限公司
  • 2015-01-21 - 2021-09-21 - H01L33/02
  • 本发明公开一种半导体发光元件,包含一外延叠层具有一第一半导体层、一第二半导体层以及一有源层位于该第一半导体层以及该第二半导体层之间用以产生一光波;以及一主要出光面位于该第一半导体层之上,该光波穿透过该主要出光面;其中,该主要出光面包含一第一出光区域、一第二出光区域以及一最大近场发光强度,该第一出光区域内的近场发光强度分布介于该最大近场发光强度的70%到100%之间,该第二出光区域内的近场发光强度分布介于该最大近场发光强度
  • 半导体发光元件
  • [发明专利]一种利用电致发光材料监测导体表面电场的方法-CN202210416098.3在审
  • 卞星明;齐雯 - 华北电力大学
  • 2022-04-20 - 2022-08-02 - G01R29/08
  • 本发明属于导体表面电场测量技术领域,具体公开了一种利用电致发光材料监测导体表面电场的方法,包括:获取ZnS:Cu/环氧树脂复合材料;在被测导体上设置一层ZnS:Cu/环氧树脂复合材料的电致发光层;实验测得电致发光层的电致发光强度,根据电致发光强度与电场强度的拟合曲线得到被测导体表面的电场强度分布情况。本发明通过旋涂技术在导体基材表面制备电致发光层,在不同的外加电场强度下,分别用亮度计测试其电致发光强度;得到电致发光强度与电场强度的关系后,将电致发光层置于被测导体表面,利用电致发光层的电致发光强度反映导体表面电场的分布情况
  • 一种利用电致发光材料监测导体表面电场方法
  • [发明专利]背光模组的控制方法-CN200610078794.9无效
  • 林峰立 - 启萌科技有限公司
  • 2006-05-11 - 2007-11-14 - G09G3/34
  • 本发明是有关于一种背光模组的控制方法,其中背光模组是至少具有一第一发光组件、一第二发光组件及一第三发光组件,而控制方法是包括以下步骤:检测第一发光组件及第二发光组件的一总发光强度;检测第二发光组件及第三发光组件的一总发光强度;检测第三发光组件及第一发光组件的一总发光强度;依据该等总发光强度,而分别得到第一发光组件的发光强度、第二发光组件的发光强度及第三发光组件的发光强度;以及分别将第一发光组件的发光强度、第二发光组件的发光强度及第三发光组件的发光强度调整至其相对应的一预设发光强度
  • 背光模组控制方法
  • [发明专利]确定2DEG浓度沿栅宽分布的方法及系统-CN202111495770.4有效
  • 陈雷雷;闫大为;顾晓峰 - 无锡芯鉴半导体技术有限公司
  • 2021-12-08 - 2023-03-24 - G01N21/66
  • 本发明涉及一种确定2DEG浓度沿栅宽分布的方法,包括利用器件的C‑V曲线计算得到2DEG平均浓度,基于2DEG平均浓度与栅极宽边的乘积,得到2DEG沿栅极宽边的总浓度;在器件的栅极施加不等的电压来调节器件的电致发光强度,获取不等栅压下的器件发光图;根据器件发光图得到不等栅压下电致发光强度沿栅极宽边的分布状态,基于电致发光强度沿栅极宽边的分布状态计算得到总光强随栅压的变化关系,并确定某一栅压下沿栅极宽边的总光强和2DEG总浓度,得到单位光强下的2DEG浓度;基于单位光强下的2DEG浓度和电致发光强度计算得到沿栅极宽边分布的2DEG浓度。本发明能够测试出2DEG浓度在器件内的实际分布,对提高临界电压、临界场强等器件参数的精确度有重要意义。
  • 确定deg浓度沿栅宽分布方法系统
  • [发明专利]基板处理装置和该装置的分析方法-CN200710167538.1有效
  • 田中秀树;齐藤进 - 东京毅力科创株式会社
  • 2007-10-26 - 2008-05-14 - H01L21/00
  • 在处理模块(2)中,测定在腔室内零件即将更换前的导入腔室前的处理气体的发光强度(42)和通过腔室内后的处理气体的发光强度(43),在腔室内零件刚更换后,导入腔室前的处理气体的发光强度(44)与发光强度(42)一致的情况下,测定通过腔室内后的处理气体的发光强度(45),计算该发光强度(45)和发光强度(43)的变动量(47),在对晶片(W)的等离子体处理开始后,测定通过腔室内后的处理气体的发光强度(48),从该发光强度(48)之中除去所述发光强度的变动量(47),计算真正反映腔室(10)内的状态的发光强度(49),并由该发光强度(49)检知等离子体处理的终点。
  • 处理装置分析方法

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