“双端口”专利关键词查询_检索下载_查询列表_检索列表_行业专利分布_钻瓜专利网

钻瓜专利网为您找到相关结果1096475个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]双端口SRAM-CN202110848205.5在审
发明人：陈品翰;郭成磊 -专利权人：上海华力集成电路制造有限公司
申请日： 2021-07-27 - 公布日： 2021-11-05 - 主分类号： G11C11/413 文献下载
摘要：本发明公开了一种双端口SRAM，SRAM单元结构具有双端口，在版图上，两个端口对应的选择管就近设置在对应的存储节点的下拉管附近，SRAM单元结构的单元版图结构呈中心对称，第一子单元版图结构中一个选择管和第一下拉管采用相同的有源区本发明能提高各端口对两个存储节点的读取路径的对称性从而能提高读取电流的对称性，同时还降低PMOS的电学性能的变异量，从而提高PMOS的电学性能的稳定性。
端口 sram

[发明专利]双端口SRAM-CN201410182749.2有效
发明人：李智 -专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
申请日： 2014-04-30 - 公布日： 2018-02-23 - 主分类号： G11C11/413 文献下载
摘要：一种双端口SRAM，包括比较单元、控制单元和N个选择单元。所述比较单元适于在两组地址端口的地址信号相同时输出第一电平至N个选择单元和所述控制单元，否则输出第二电平至所述N个选择单元和所述控制单元；第n个选择单元适于在接收到所述第一电平时选择所述第一组数据端口中第n个数据端口的数据输出，在接收到所述第二电平时选择所述第二组数据端口中第n个数据端口的数据输出。本发明技术方案提供的双端口SRAM，减小了两个实体同时读取所述双端口SRAM中同一地址的存储单元的噪声。
端口 sram

[发明专利]双端口SRAM-CN202010104184.1有效
发明人：陈品翰;吴栋诚;贾经尧 -专利权人：上海华力集成电路制造有限公司
申请日： 2020-02-20 - 公布日： 2022-05-27 - 主分类号： G11C5/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种双端口SRAM，将SRAM单元结构的两个端口对应的四个选择管在版图进行对称型设置，和相同的存储节点对应的两个属于不同端口的选择管设置在相同的有源区中，这样能使得不同存储节点对应的读取路径都对称且相同且不包括多晶硅线路本发明能使各端口对两个存储节点的读取路径为对称结构，从而使得各端口对两个存储节点的读取电流对称且一致以及读取速度对称且一致，提高双端口SRAM的读取对称性。
端口 sram

[实用新型]双端口调节器和用于双端口调节器的双端口组件-CN201520180892.8有效
发明人： S·V·瑞布雷努;I·巴萨;F·R·罗曼;V·C·汉塞努;A·P·奥普雷恩 -专利权人：艾默生过程管理调节技术公司
申请日： 2015-03-27 - 公布日： 2016-04-27 - 主分类号： F16K1/36 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种双端口调节器和用于双端口调节器的双端口组件。一种双端口调节器组件包括第一流体端口和第二流体端口。固定阀座组件临近第一流体端口设置，浮动阀座组件临近第二流体端口设置。第一阀塞与固定阀座组件协作以打开和关闭第一流体端口，第二阀塞与浮动阀座组件协作以打开和关闭第二流体端口。浮动阀座组件包括可相对于固定阀座移动的浮动阀座。
端口调节器用于组件

[发明专利]双端口SRAM的制造方法和双端口SRAM-CN201910742963.1在审
发明人：郭新 -专利权人：上海华力集成电路制造有限公司
申请日： 2019-08-13 - 公布日： 2019-11-01 - 主分类号： H01L27/11 文献下载
摘要：本发明涉及双端口SRAM的制造方法和双端口SRAM，涉及半导体集成电路制造方法，在双端口SRAM的制造过程中，通过在“N型轻掺杂源漏离子注入工艺”之后进行“去除P型器件的栅极结构和N型器件的栅极结构表层的硬掩模层
双端口SRAM 离子注入工艺硬掩模层栅极结构包覆层源漏半导体集成电路制造多晶硅电阻器件性能制造过程读操作匹配性良率去除制造

[发明专利]射频信号收发模块和手机-CN201110269925.2有效
发明人：罗敏丽 -专利权人：惠州TCL移动通信有限公司
申请日： 2011-09-13 - 公布日： 2012-05-02 - 主分类号： H04B1/40 文献下载
摘要：本发明提供一种射频信号收发模块和手机，该射频信号收发模块包括射频收发器、双工器、双讯器和天线，其中，射频收发器包括第一频段发射输出端口，第二频段发射输出端口和频段信号接收端口；双工器包括双工器发射端口、双工器天线端口和双工器接收端口；双讯器包括双讯器第一端口、双讯器第二端口和双讯器天线端口；且第一频段发射输出端口与双工器发射端口连接，双工器天线端口和双讯器第一端口连接，双讯器天线端口连接天线，第二频段发射输出端口连接双讯器第二端口，频段信号接收端口连接双工器接收端口。
射频信号收发模块手机

[发明专利]无线装置以及无线通信方法-CN200810185681.8有效
发明人：迪帕克·马修;如斯·梅斯特肯;普瑞何拉得·帕那索塔;托马斯·F·豪;提摩太·佩林·费雪-杰夫斯 -专利权人：联发科技股份有限公司
申请日： 2008-12-19 - 公布日： 2009-06-24 - 主分类号： H04L1/00 文献下载
摘要：所述的无线装置，包括双端口帧存储器，其具有第一及第二存取端口，数据可通过第一存取端口写入至双端口帧存储器，同时数据可通过第二存取端口从双端口帧存储器读出；比特速率处理器在输入数据上执行比特速率处理且将比特速率处理所获得的数据通过第一存取端口写入至双端口帧存储器；芯片速率处理器通过第二存取端口从双端口帧存储器读出数据且对从双端口帧存储器读出的数据执行芯片速率处理；以及数据处理器执行软件应用，软件应用通过第一存取端口写入数据至双端口帧存储器且通过第二存取端口从双端口帧存储器读出数据
无线装置以及无线通信方法

[发明专利]半导体结构-CN202210208000.5在审
发明人：廖忠志 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2022-03-04 - 公布日： 2022-08-16 - 主分类号： G11C16/04 文献下载
摘要：一种半导体结构，包括基板及基板上的多个双端口SRAM单元阵列。双端口SRAM单元阵列的每一者包括写入端口及读取端口。写入端口包括两个写入传输闸晶体管、两个写入下拉晶体管以及两个写入上拉晶体管。双端口SRAM单元的阵列包括写入端口彼此紧邻的第一及第二双端口SRAM单元。第一及第二双端口SRAM单元的两个写入传输闸晶体管共享共同栅极电极。第一及第二双端口SRAM单元的两个写入下拉晶体管的源极/漏极电极共享共同接点。第一双端口SRAM单元包括连接至共同接点的Vss导线。第二双端口SRAM单元包括连接至共同栅极电极的写入字元线着陆垫。
半导体结构

[实用新型]光纤分布系统设备内置双频双极化定向天线-CN202020056435.9有效
发明人：胡锐;何志贤;李健敏 -专利权人：佛山市迪隆通信设备有限公司
申请日： 2020-01-10 - 公布日： 2020-07-14 - 主分类号： H01Q1/36 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种光纤分布系统设备内置双频双极化定向天线，其特征在于，它包括反射底板、双端口合路器、双极化低频辐射振子、双极化高频辐射振子，反射底板设置有‑45度引出端口、+45度引出端口，双端口合路器置于反射板上面并与其紧贴，双极化低频辐射振子、双极化高频辐射振子与双端口合路器连接有同轴电缆，双极化低频辐射振子与双极化高频辐射振子信号输出至双端口合路器。
光纤分布系统设备内置双频极化定向天线

[实用新型]用于信号传输的阶层式与备用式功能整合模块-CN201220410363.9有效
发明人：张媛媛;黄起坤;蔡昭宏 -专利权人：宁波环球广电科技有限公司
申请日： 2012-08-17 - 公布日： 2013-03-06 - 主分类号： H04B10/032 文献下载
摘要：本实用新型提供一种用于信号传输的阶层式与备用式功能整合模块，它包括第一端口（1）、第二端口（2）、第三端口（3）、第四端口（4）及信号备份电路（5）,其特征在于：它还包括第一双刀双掷开关（6）、第二双刀双掷开关（7），所述第一双刀双掷开关（6）的公共端分别与第一端口（1）和第三端口（3）连接，第一双刀双掷开关（6）的常闭端与信号备份电路（5）连接，第一双刀双掷开关（6）的常开端相互连接，所述第二双刀双掷开关（7）的公共端分别与第二端口（2）和第四端口（4）连接，第二双刀双掷开关（7）的常闭端与信号备份电路（5）连接，第二双刀双掷开关（7）的常开端相互连接。
用于信号传输阶层备用功能整合模块

[发明专利]基于单控制器的精简射频开关和装置-CN201811181045.8在审
发明人：马克·弗朗西斯;谢婷婷;管剑铃;周德杭;闫朝杰;王玉娇;倪文海;徐文华 -专利权人：杭州迦美信芯通讯技术有限公司;上海迦美信芯通讯技术有限公司
申请日： 2018-10-10 - 公布日： 2019-02-15 - 主分类号： H03K17/687 文献下载
摘要：本发明提供了基于单控制器的精简射频开关和装置，包括：公共端、双掷端口、端口串行电路、端口并行电路和控制器，双掷端口包括第一双掷端口和第二双掷端口，端口串行电路包括第一串行电路和第二串行电路，端口并行电路包括第一并行电路和第二并行电路；公共端分别与第一串行电路和第二串行电路相连接，第一串行电路和第二串行电路分别和第一双掷端口和第二双掷端口相连接，第一双掷端口和第二双掷端口分别和第一并行电路和第二并行电路相连接；控制器通过向端口串行电路和端口并行电路发送控制信号改变射频开关的双掷端口的状态
串行电路并行电路射频开关控制器单控制器公共端发送控制开关功能影响射频减小芯片

[实用新型]一种手机-CN201120030932.2无效
发明人：罗敏丽 -专利权人：惠州TCL移动通信有限公司
申请日： 2011-01-28 - 公布日： 2011-08-24 - 主分类号： H04M1/725 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种手机，该手机包括：天线、选择开关、第一双讯器以及射频芯片。天线用于接收以及发射射频信号。选择开关包括第一以及第二开关端口，第一开关端口连接天线，将天线接收的第一和第二频段信号传输至第二开关端口。第一双讯器包括第一、第二以及第三双讯器端口，第一双讯器端口连接第二开关端口以接收第一频段信号和第二频段信号，第一双讯器将第一频段信号传输至第二双讯器端口并将第二频段信号传输至第三双讯器端口。射频芯片包括第一以及第二射频芯片端口，第一射频芯片端口连接第二双讯器端口，第二射频芯片端口连接第三双讯器端口。通过上述方式，本实用新型简化了手机射频模块中的选择开关，并且降低了手机的成本。
一种手机

[发明专利]信号干扰抑制装置-CN201010596098.3无效
发明人：蔡汉才;黄志伟;黄沛江;尹小华;韩永佳;林玉辉;黄景民;夏功想 -专利权人：中国移动通信集团广东有限公司;京信通信系统（中国）有限公司
申请日： 2010-12-10 - 公布日： 2012-07-04 - 主分类号： H04B15/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种信号干扰抑制装置，包括第一双工器、第二双工器、第三双工器、第四双工器、第一合路器、第二合路器、第一环形器、第二环形器、第一衰减器以及第二衰减器；第一双工器的TX/RX端口与基站的第一端口连接，其TX端口经第一环形器连接至第一合路器，其RX端口经由第一衰减器连接至第二合路器；第二双工器的TX/RX端口与基站的第二端口连接，其TX端口经由第二环形器连接至第一合路器，其RX端口经由第二衰减器连接至第二合路器；第一合路器与第三双工器的TX端口和第四双工器的TX端口连接，第二合路器与第三双工器的RX端口以及第四双工器的RX端口连接，第三双工器的TX/RX端口与天馈系统的第一端口连接，第四双工器的TX/RX端口与天馈系统的第二端口连接
信号干扰抑制装置

[发明专利]一种双波段极化非敏感无线功率和信息协同传输系统-CN202111008309.1在审
发明人：张浩;高丽鹏 -专利权人：西北工业大学太仓长三角研究院
申请日： 2021-08-31 - 公布日： 2021-11-30 - 主分类号： H04B7/026 文献下载
摘要：本发明公开一种双波段极化非敏感无线功率和信息协同传输系统，所述系统包括基站电路与终端电路；基站电路包括双波段正交混合耦合器、双波段双线极化天线；终端电路包括双波段双线极化天线、双波段正交混合耦合器；基站电路中双波段正交混合耦合器直通、耦合端口分别连接双波段双线极化天线垂直、水平极化端口；终端电路中双波段双线极化天线垂直、水平极化端口分别接双波段正交混合耦合器输入、隔离端口；从而实现基站电路中双波段正交混合耦合器输入端口至终端电路中双波段正交耦合器耦合端口极化非敏感无线功率和信息协同传输以及基站电路中双波段正交混合耦合器隔离端口至终端电路中双波段正交耦合器直通端口极化非敏感无线功率和信息协同传输
一种波段极化敏感无线功率信息协同传输系统

[实用新型]一种基于无线射频识别双重判据的仓储装置-CN201820863611.2有效
发明人：余定峰;孟亚文;韦朴;唐蕾 -专利权人：南京工程学院
申请日： 2018-06-05 - 公布日： 2019-01-08 - 主分类号： G07C9/00 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种基于无线射频识别双重判据的仓储装置，包括中央处理器、电子锁控、HUB集线器、RFID阅读器、微波天线、数据库服务器、身份识别模块；中央处理器的第一输出端口与电子锁控的双向端口连接；中央处理器的第二双向端口与HUB集线器的第一双向端口连接，HUB集线器的第二双向端口与RFID阅读器的第一双向端口连接，RFID阅读器的第二双向端口与微波天线连接；HUB集线器的第三双向端口与数据库服务器连接；中央处理器的第三双向端口与身份识别模块的第一双向端口连接；中央处理器的第四双向端口与身份识别模块的第二双向端口连接。
双向端口中央处理器身份识别模块数据库服务器无线射频识别仓储装置微波天线电子锁判据本实用新型存储功能人员验证实时动态输出端口

1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
下一页»
尾页
共 100000 条