专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]电力转换装置-CN201880079575.3有效
  • 松冈哲矢;山平优;福岛和马;柿本规行 - 株式会社电装
  • 2018-10-22 - 2023-07-25 - H01L25/07
  • 一种电力转换装置,包括:至少一个第一及第二半导体装置(21、22),其具有多个第一及第二半导体芯片(41、42)和多个第一及第二主端子(71m、72m),其中,多个第一及第二半导体芯片具有构成上、下臂(11、12)的第一及第二开关元件(110、120),多个第一及第二主端子具有多个第一及第二高电位(C1、C2)和第一及第二电位端子(E1、E2)中的至少一个;以及桥接构件(80),其与上述第一电位端子和上述第二高电位端子一起形成上下连结部与所述第一电位端子相对于所述第一高电位端子的配置不同,所述第二电位端子相对于所述第二高电位端子的配置以所述第二轴为对称轴而呈线对称地配置。
  • 电力转换装置
  • [发明专利]半导体装置-CN201710532705.1有效
  • 宫沢繁美 - 富士电机株式会社
  • 2017-07-03 - 2021-07-30 - H02M7/00
  • 半导体装置具备:功率半导体元件,其连接在高电位的第1端子电位的第2端子之间,响应于栅极电位而被控制为导通或关断;切断条件检测部,其检测从控制端子接收并控制所述功率半导体元件的控制信号是否满足预先确定的切断条件;以及切断电路,其响应于所述切断条件检测部检测到满足所述切断条件的情况,将所述功率半导体元件的所述栅极电位控制为关断电位,所述切断条件检测部具有与所述第1端子和所述控制端子连接的输入端子,并将从所述输入端子输入的电信号作为电源使用
  • 半导体装置
  • [发明专利]等离子体显示装置-CN200810175597.8无效
  • 山崎将史;藤崎隆;金泽义一 - 株式会社日立制作所
  • 2008-11-07 - 2009-09-23 - G09G3/28
  • 本发明涉及一种等离子体显示装置,该等离子体显示装置包括连接于对Y电极施加规定电位的扫描驱动器的高电位端子电位端子之间的电容器(C1);将连接于电位的第二电位线(LN2)箝位于电位(Vs)的开关(SWY5)及箝位于接地电位的开关(SWY6);以及能够将经由(SWY6)的第二电位线(LN2)与接地电位的连接进行切断的开关(SWY7),在第二电位线(LN2)为负电位的情况下,使开关(SWY7)断开,切断与接地电位的连接,防止电流通过开关(SWY6)的寄生二极管流动。
  • 等离子体显示装置
  • [发明专利]半导体模块和包括半导体模块的驱动设备-CN201210175246.3有效
  • 增泽高志;藤田敏博;泷浩志 - 株式会社电装
  • 2012-05-30 - 2012-12-05 - H02M1/44
  • 在半导体模块(60a、60b)中,高电位导体(504、509、510、552、555、558)包括其上安装有高电位开关元件(81、82、83)的宽部(56)、与高电位源(75)耦合的高电位端子(603、608、609、652、655、658)、以及在第一方向上从宽部向高电位端子延伸的窄部(57)。宽部在第二方向上具有第一和与第一相反的第二。宽部的第一电位导体(506、507、512、553、556、559)之间的距离比宽部的第二电位导体之间的距离短。窄部从宽部的、与第二相比更靠近第一的部分延伸。
  • 半导体模块包括驱动设备
  • [发明专利]半导体器件和保护电路-CN200710136607.2有效
  • 高桥幸雄 - 恩益禧电子股份有限公司
  • 2007-07-13 - 2008-01-16 - H01L27/02
  • 在一种输入/输出端子I/O的保护电路中,包括了三种类型的PNP双极性晶体管。在第一PNP型双极性晶体管10A中,其发射极连接到输入/输出端子I/O,其基极连接到高电位电源端子VDD,以及其集电极连接到电位电源端子VSS。在第二PNP型双极性晶体管10B中,其发射极连接到输入/输出端子I/O,其基极以及集电极连接到高电位电源端子VDD。在第三PNP型双极性晶体管10C中,其发射极连接到电位电源端子VSS,其基极以及集电极连接到高电位电源端子VDD。
  • 半导体器件保护电路
  • [发明专利]半导体装置-CN201710506670.4有效
  • 宫沢繁美 - 富士电机株式会社
  • 2017-06-28 - 2021-06-25 - F02P3/05
  • 该半导体装置具备:功率半导体元件,连接于高电位的第一端子电位的第二端子之间,根据栅极电位被控制为导通或截止;第一栅极控制部,根据从控制端子输入的、控制功率半导体元件的控制信号来控制功率半导体元件的栅极电位;放电电路,连接于功率半导体元件的栅极与基准电位之间,使充电到功率半导体元件的栅极的电荷放出;第二栅极控制部,根据功率半导体元件的集电极电流来控制功率半导体元件的栅极电位;反馈部,根据功率半导体元件的集电极电位向功率半导体元件的栅极反馈电荷;以及电流切断部,根据控制信号将从第一端子流向功率半导体元件的栅极的电流切断。
  • 半导体装置
  • [发明专利]起重磁铁驱动电路-CN200910126553.0有效
  • 原章文 - 住友重机械工业株式会社
  • 2009-03-12 - 2009-09-16 - B66C1/08
  • 本发明提供的能降低能量吸收部的发热的起重磁铁驱动电路(1),具有H电桥电路部(4)和能量吸收部(5),所述H电桥电路部(4),对起重磁铁(2)的励磁和消磁进行控制,包括:第1及第2开关元件(41a)、(41b),在高电位电源和电位电源之间依次串联连接;第3及第4开关元件(41c)、(41d),在高电位电源和电位电源之间串联连接;及第1~第4整流元件(42a~42d),所述能量吸收部(5),具有连接在H电桥电路部(4)的第1晶体管(41a)的高电位电源连接的端子和与第3晶体管(41c)的高电位电源连接的端子之间的阻抗元件(51),在进行起重磁铁(2)的消磁时,吸收被积蓄在起重磁铁(2)的能量。
  • 起重磁铁驱动电路
  • [发明专利]等离子体显示装置-CN200810172636.9无效
  • 金泽义一;富尾重寿;藤崎隆 - 日立等离子显示器股份有限公司
  • 2006-03-24 - 2009-07-01 - G09G3/28
  • 提供一种等离子体显示装置,该等离子体显示装置的电极驱动电路(12)包括:扫描驱动器,该扫描驱动器包括具有第一和第二开关元件(SW1,SW2)、第一和第二二极管(D1,D2)的多个驱动器;连接在扫描驱动器的高电位端子电位端子之间的电容(C4);有选择地将复位脉冲的正极性和负极性的电压、和与扫描脉冲的电压有关的多个电压供给第二开关元件的电位端子的电压供给电路;和串联连接在第一开关元件的高电位端子和接地端子之间的负复位开关(SW11
  • 等离子体显示装置
  • [发明专利]等离子体显示装置-CN200810172635.4无效
  • 金泽义一;富尾重寿;藤崎隆 - 日立等离子显示器股份有限公司
  • 2006-03-24 - 2009-07-01 - G09G3/28
  • 提供一种等离子体显示装置,该等离子体显示装置的电极驱动电路(12)包括:扫描驱动器,该扫描驱动器包括具有第一和第二开关元件(SW1,SW2)、第一和第二二极管(D1,D2)的多个驱动器;连接在扫描驱动器的高电位端子电位端子之间的电容(C4);有选择地将复位脉冲的正极性和负极性的电压、和与扫描脉冲的电压有关的多个电压供给第二开关元件的电位端子的电压供给电路;和串联连接在第一开关元件的高电位端子和接地端子之间的负复位开关(SW11
  • 等离子体显示装置
  • [发明专利]等离子体显示装置-CN200610066128.3无效
  • 金泽义一;富尾重寿;藤崎隆 - 富士通日立等离子显示器股份有限公司
  • 2006-03-24 - 2006-09-27 - G09G3/28
  • 提供一种等离子体显示装置,该等离子体显示装置的电极驱动电路(12)包括:扫描驱动器,该扫描驱动器包括具有第一和第二开关元件(SW1,SW2)、第一和第二二极管(D1,D2)的多个驱动器;连接在扫描驱动器的高电位端子电位端子之间的电容(C4);有选择地将复位脉冲的正极性和负极性的电压、和与扫描脉冲的电压有关的多个电压供给第二开关元件的电位端子的电压供给电路;和串联连接在第一开关元件的高电位端子和接地端子之间的负复位开关(SW11
  • 等离子体显示装置
  • [发明专利]半导体集成装置中的延迟电路以及逆变器-CN201110287252.3有效
  • 富田敬 - OKI半导体株式会社
  • 2011-09-15 - 2012-07-04 - H01L27/088
  • 作为半导体集成装置中的延迟电路的逆变器,采用具有如下的高电位部以及电位部的逆变器。电位部具有将各自的源极端子以及漏极端子在第一公共连接点连接在一起的一对FET;高电位部具有将各自的源极端子以及漏极端子在第二公共连接点连接在一起的一对FET。在逆变器输出处于高电位状态时,向第一公共连接点施加电源电位;在处于电位状态时,向上述第二公共连接点施加接地电位,从而使逆变器具有滞后特性。为了抑制延迟时间随着制造上的偏差或者环境温度的变化而发生变动,设置作为电源电位或者接地电位的供给源的FET。此时,为了使这样的FET一直处于导通状态,而经由两级FET向其栅极端子施加接地电位或者电源电位
  • 半导体集成装置中的延迟电路以及逆变器
  • [发明专利]供电模块-CN202011214743.0在审
  • 古捷炜;张家霖 - 精英电脑股份有限公司
  • 2020-11-04 - 2022-05-06 - G06F1/16
  • 电池组包括蓄电池、第一电路板以及第一接线端子。第一电路板分别电性连接蓄电池与第一接线端子。第一接线端子包括第一高电位端口组、第一电位端口组以及第一套接字口组。第一高电位端口组与第一电位端口组分别包括用于传输电能的多个第一高电位端口与多个第一电位端口。第一套接字口组包括用于传输通讯信号的多个第一套接字口。连接线包括第一公接头以及第二公接头,第一公接头可插拔地电性连接第一接线端子。其中第一套接字口组设于第一高电位端口组及第一电位端口组之间。
  • 供电模块

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