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- [发明专利]反相交叉耦合装置-CN200610051392.X有效
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李建志;叶盛逢;郑纬
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昇达科技股份有限公司
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2006-01-04
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2007-07-11
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H01P5/04
- 本发明涉及一种反相交叉耦合装置,包括基座与调整器,该基座内部具有共振空间,于共振空间内容置有数个间隔排列且直立设置的共振体,而该基座于邻近数个共振体的共振空间内设有耦合部,且耦合部的顶面设有凹槽,并在凹槽内设有耦合激发孔,另该调整器的盖板固设于基座的顶面,则于盖板上设有与耦合部的耦合激发孔形成正对的数个穿孔,而各穿孔内设有可穿入耦合激发孔内并形成活动式上下位移的耦合调整杆,通过上述结构,使反相交叉耦合装置可轻易地调到适当的反相交叉耦合量,达到简化反相交叉耦合装置并提高产品可靠度的目的。
- 相交耦合装置
- [发明专利]硅基低漏电流悬臂梁栅MOS管交叉耦合振荡器-CN201510380084.0有效
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廖小平;王小虎
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东南大学
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2015-07-01
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2017-12-05
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H03B5/04
- 本发明的硅基低漏电流悬臂梁栅MOS管交叉耦合振荡器用具有悬臂梁栅的MOS管代替传统的MOS管。悬臂梁栅MOS管交叉耦合振荡器由交叉耦合的悬臂梁栅NMOS管,谐振LC回路和恒流源构成。该交叉耦合振荡器中的悬臂梁栅NMOS管是制作在P型Si衬底上,该悬臂梁栅MOS管的栅极是悬浮在栅氧化层上方的,形成悬臂梁栅,悬臂梁栅下方设计有下拉电极板,下拉电极板接地,相对于传统MOS管在截止时栅极氧化层很薄,导致栅极氧化层中的场强很大会产生一定的栅极漏电流,该交叉耦合振荡器中的悬臂梁栅MOS管关断时,悬臂梁栅是悬浮的,栅极氧化层中的场强比较小,栅极漏电流大大减小,从而使得该硅基悬臂梁栅MOS管交叉耦合振荡器的功耗得到有效的降低
- 硅基低漏电悬臂梁mos交叉耦合振荡器
- [实用新型]高带外抑制的管状滤波器-CN202222011158.1有效
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余雷;蒋正卿;马丁
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斯必能通讯器材(上海)有限公司
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2022-08-02
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2022-12-20
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H01P1/20
- 本实用新型公开了一种高带外抑制的管状滤波器,包括壳体、接头、内导体和交叉耦合器;其中,壳体内部空心,以形成滤波器腔体;接头分别设置在壳体的两端;内导体设置在壳体内,且内导体的两端分别与位于壳体两端的接头连接;内导体在滤波器腔体内至少形成三个谐振腔;交叉耦合器位于滤波器腔体内,且交叉耦合器至少耦接三个谐振腔,从而形成交叉耦合。本实用新型通过在壳体内设置交叉耦合器来在非相邻的谐振腔间引入交叉耦合,以产生传输零点来实现较高的带外抑制,无需通过增加阶数来实现增加带外抑制的效果,有效解决了现有技术中管状滤波器通过增加阶数来实现增加带外抑制效果
- 高带外抑制管状滤波器
- [发明专利]一种滤波器及通信设备-CN202010601604.7在审
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马基良
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大富科技(安徽)股份有限公司
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2020-06-28
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2021-12-28
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H01P1/208
- 本申请公开了一种滤波器及通信设备,该滤波器包括:壳体以及滤波支路;壳体具有相互垂直的第一方向以及第二方向;滤波支路设置在壳体上,由依次耦合的九个滤波腔组成;滤波支路的第一滤波腔与第三滤波腔之间感性交叉耦合,以形成滤波支路的一个感性交叉耦合零点,滤波支路的第五滤波腔与第七滤波腔之间设置有容性交叉耦合元件,以形成滤波支路的一个容性交叉耦合零点,其中滤波支路的带宽范围为3400MHz~3600MHz。通过此种方式,在通带高端和通带低端各自产生一个交叉耦合零点,能够提高滤波器的带外抑制性能。
- 一种滤波器通信设备
- [发明专利]一种滤波器及通信设备-CN202010409075.0在审
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马基良
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大富科技(安徽)股份有限公司
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2020-05-14
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2021-11-19
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H01P1/208
- 本申请公开了一种滤波器及通信设备,该滤波器包括:壳体以及滤波支路;壳体具有相互垂直的第一方向以及第二方向;滤波支路设置在壳体上,由依次耦合的八个滤波腔组成;滤波支路的第二滤波腔与第四滤波腔之间、滤波支路的第二滤波腔与第五滤波腔之间分别设置有容性交叉耦合元件,以形成滤波支路的两个容性交叉耦合零点,滤波支路的第六滤波腔与第八滤波腔之间感性交叉耦合,以形成滤波支路的一个感性交叉耦合零点;其中滤波支路的带宽范围为2300MHz~2400MHz。通过此种方式,在通带高端和通带低端各自产生交叉耦合零点,能够提高滤波器的带外抑制性能。
- 一种滤波器通信设备
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