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[发明专利]高电子迁移率晶体管器件-CN202210067602.3在审
发明人：艾曼·谢比卜;凯尔·特里尔 -专利权人：维西埃-硅化物公司
申请日： 2017-12-04 - 公布日： 2022-06-03 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：本发明公开了高电子迁移率晶体管器件。一种器件包括第一高电子迁移率晶体管(HEMT)和第二HEMT。第一HEMT包括第一栅极、耦合到第一栅极的源极以及耦合到第一栅极的漏极。
电子迁移率晶体管器件

[发明专利]高电子迁移率晶体管器件-CN201711261540.5有效
发明人：艾曼·谢比卜;凯尔·特里尔 -专利权人：维西埃-硅化物公司
申请日： 2017-12-04 - 公布日： 2022-02-08 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：本发明公开了高电子迁移率晶体管器件。一种器件包括第一高电子迁移率晶体管(HEMT)和第二HEMT。第一HEMT包括第一栅极、耦合到第一栅极的源极以及耦合到第一栅极的漏极。
电子迁移率晶体管器件

[发明专利]开关器件封装结构、空调器的电控板以及空调器-CN201710725884.0在审
发明人：李媛媛;冯宇翔 -专利权人：广东美的制冷设备有限公司
申请日： 2017-08-22 - 公布日： 2017-12-22 - 主分类号： H03K17/687 文献下载
摘要：本发明公开了一种开关器件封装结构、空调器的电控板以及空调器，开关器件封装结构包括基板，基板上设置有第一金属布线框；高电子迁移率晶体管，高电子迁移率晶体管采用倒装的方式设置在第一金属布线框上；设置于基板之上的MOSFET，MOSFET与高电子迁移率晶体管串联，其中，高电子迁移率晶体管的栅极与MOSFET的源极相连后作为开关器件的源极，高电子迁移率晶体管的源极与MOSFET的漏极相连，MOSFET的栅极作为开关器件的栅极，高电子迁移率晶体管的漏极作为开关器件的漏极，MOSFET的Vds电压值的绝对值与高电子迁移率晶体管的Vgs电压值的绝对值相等，从而能承受高电压且更节能、更适用于高频使用，而且可降低驱动设计要求，还可增加高电子迁移率晶体管部分的散热性能
开关器件封装结构空调器电控板以及

[发明专利]开关器件、空调器的电控板以及空调器-CN201710726238.6在审
发明人：李媛媛;冯宇翔 -专利权人：广东美的制冷设备有限公司
申请日： 2017-08-22 - 公布日： 2017-12-15 - 主分类号： H03K17/687 文献下载
摘要：本发明公开了一种开关器件、空调器的电控板以及空调器，开关器件包括基板；设置于基板之上的高电子迁移率晶体管；设置于基板之上的MOSFET，MOSFET与高电子迁移率晶体管串联，其中，高电子迁移率晶体管的栅极与MOSFET的源极相连后作为开关器件的源极，高电子迁移率晶体管的源极与MOSFET的漏极相连，MOSFET的栅极作为开关器件的栅极，高电子迁移率晶体管的漏极作为开关器件的漏极，MOSFET的Vds电压值的绝对值与高电子迁移率晶体管的由此，本发明实施例的开关器件，通过将MOSFET与高电子迁移率晶体管串联，能承受高电压且更节能、更适用于高频使用，而且可降低驱动设计要求，有效降低成本，还可防止短路直通的危险发生。
开关器件空调器电控板以及

[发明专利]高电子迁移率晶体管器件-CN202210374281.1在审
发明人：陈纪孝;郑子铭;陈威任;李凯霖 -专利权人：联华电子股份有限公司
申请日： 2022-04-11 - 公布日： 2023-10-24 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：本发明提供一种高电子迁移率晶体管(HEMT)器件及其制造方法。HEMT器件包括衬底、沟道层、阻挡层、栅极、源极、漏极与源极场板。沟道层位于衬底上。阻挡层位于沟道层上。HEMT器件可降低功率损耗并提升器件速度。
电子迁移率晶体管器件

[实用新型]高电子迁移率晶体管器件-CN201822016567.4有效
发明人：陈彦良;大藤彻;谢明达 -专利权人：捷苙半导体制造(香港)有限公司
申请日： 2018-12-03 - 公布日： 2019-12-06 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：一种高电子迁移率晶体管器件，由下而上依序包含硅基板、晶种层(nucleation layer)、缓冲层、第一氮化镓层、第二氮化镓层、阻障层及覆盖层，其特征在于，阻障层为氮化铝铟(Al_yIn_1‑_yN)，据此，利用具有高阻障能带的氮化铝铟(Al_yIn_1‑yN)取代现有技术中阻障能带低的氮化镓铝(AlGaN)，可以使二维电子气密度增加，使得二维电子气浓度上升，减少二维电子气通道所处接口的缺陷能量，以降低组件操作时的启动电阻(R_on)，进而达到节能的目的。
二维电子气氮化铝铟氮化镓层阻障层高电子迁移率晶体管器件氮化镓铝密度增加启动电阻组件操作覆盖层硅基板缓冲层晶种层节能

[发明专利]高电子迁移率晶体管器件及制作高电子迁移率晶体管的方法-CN202111656493.0在审
发明人：阿布舍克·班纳吉;皮特·莫昂;赫伯特·德维利斯古威尔;彼得·科庞 -专利权人：半导体元件工业有限责任公司
申请日： 2021-12-30 - 公布日： 2022-07-08 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：本发明描述了高电子迁移率晶体管器件及制作高电子迁移率晶体管的方法，该高电子迁移率晶体管(HEMT)器件具有环形栅极、设置在环形栅极内的漏极区以及设置在环形栅极周围的环形源极区。
电子迁移率晶体管器件制作方法

[发明专利]一种采用半浮栅结构的氮化镓功率器件-CN201410404475.7有效
发明人：王鹏飞;刘晓勇;黄泓帆;张卫 -专利权人：复旦大学
申请日： 2014-08-17 - 公布日： 2017-01-25 - 主分类号： H01L27/02 文献下载
摘要：本发明属于半导体功率器件技术领域，具体为一种采用半浮栅结构的氮化镓功率器件。该氮化镓功率器件包括一个常开型高压氮化镓高电子迁移率晶体管和一个常关型低压氮化镓高电子迁移率晶体管，其中常开型高压氮化镓高电子迁移率晶体管的第一源极和第一控制栅分别与常关型低压氮化镓高电子迁移率晶体管的第二漏极和第二控制栅连接；且常开型高压氮化镓高电子迁移率晶体管的第一浮栅通过一个第一二极管与常关型低压氮化镓高电子迁移率晶体管的第二源极连接。本发明的氮化镓功率器件可以在同一个氮化镓基底上形成，结构简单、易于封装、适合高压、高速操作并且具有很高的可靠性。
一种采用半浮栅结构氮化功率器件

[发明专利]提高InAlN/GaN高电子迁移率晶体管电学性能的方法-CN202111558290.8在审
发明人：崔鹏;陈思衡;林兆军;韩吉胜;徐现刚 -专利权人：山东大学
申请日： 2021-12-20 - 公布日： 2022-04-15 - 主分类号： H01L21/335 文献下载
摘要：本发明涉及提高InAlN/GaN高电子迁移率晶体管电学性能的方法，该方法在不改变器件结构和材料组分的情况下，通过使用双(三氟甲烷)磺酰亚胺对已经制备完成的InAlN/GaN高电子迁移率晶体管进行表面处理，即在空气环境下将InAlN/GaN高电子迁移率晶体管置于特定浓度的TFSI溶液中浸泡一定的时间，溶液中的氢离子会中和InAlN势垒层中的部分极化电荷，降低极化库仑场散射，从而提高InAlN/GaN高电子迁移率晶体管二维电子气迁移率及器件性能
提高 inaln gan 电子迁移率晶体管电学性能方法

[发明专利]半导体器件、制造方法以及晶体管电路-CN201410363381.X在审
发明人：竹前义博;细田勉;佐藤俊哉 -专利权人：创世舫电子日本株式会社
申请日： 2012-02-09 - 公布日： 2014-11-26 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：一种晶体管电路包括：第一高电子迁移率晶体管；以及第二高电子迁移率晶体管，具有负阈值电压，其中第二高电子迁移率晶体管的源极耦接至第一高电子迁移率晶体管的栅极，以及第二高电子迁移率晶体管的栅极耦接至第一高电子迁移率晶体管的源极本发明可以提高高电子迁移率晶体管的耐受电压。
半导体器件制造方法以及晶体管电路

[发明专利]半导体器件、制造方法以及晶体管电路-CN201210031265.9有效
发明人：竹前义博;细田勉;佐藤俊哉 -专利权人：富士通半导体股份有限公司
申请日： 2012-02-09 - 公布日： 2012-09-19 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：一种晶体管电路包括：第一高电子迁移率晶体管；以及第二高电子迁移率晶体管，具有负阈值电压，其中第二高电子迁移率晶体管的源极耦接至第一高电子迁移率晶体管的栅极，以及第二高电子迁移率晶体管的栅极耦接至第一高电子迁移率晶体管的源极本发明可以提高高电子迁移率晶体管的耐受电压。
半导体器件制造方法以及晶体管电路

[发明专利]半导体器件-CN202211022269.0在审
发明人：杜卫星;游政昇 -专利权人：英诺赛科（苏州）科技有限公司
申请日： 2020-10-20 - 公布日： 2022-11-11 - 主分类号： H01L27/085 文献下载
摘要：半导体器件包括衬底、第一氮化镓型高电子迁移率晶体管、第二氮化镓型高电子迁移率晶体管、第一内连接器、第二内连接器。第一氮化镓型高电子迁移率晶体管及第二氮化镓型高电子迁移率晶体管配置在衬底的上方。第一内连接器配置在衬底上方，与第一氮化镓型高电子迁移率晶体管相邻，且第一内连接器的长度大于第一氮化镓型高电子迁移率晶体管。第二内连接器配置在衬底上方，与第二氮化镓型高电子迁移率晶体管相邻，且第二内连接器的长度大于第二氮化镓型高电子迁移率晶体管。
半导体器件

[发明专利]一种高电子迁移率晶体管源漏电极的制备方法-CN202011572185.5有效
发明人：陈宜方;祝鸣赛 -专利权人：复旦大学
申请日： 2020-12-27 - 公布日： 2022-10-11 - 主分类号： H01L21/28 文献下载
摘要：本发明属于晶体管制备技术领域，具体为一种高电子迁移率晶体管源漏电极的制备方法。本发明制备方法采用角向蒸发自对准工艺，基本内容包括：基于T型栅生长工艺，利用高电子迁移率晶体管栅极独特的T型结构，通过角向蒸发的方式精确控制高电子迁移率晶体管器件源极与栅极距离和漏极与栅极的距离，从而使高电子迁移率晶体管器件的源、漏电极与T型栅的位置达到位置可控的自对准的目的，最终为器件性能的提高提供了一个新的可调节的几何参数自由度。本发明方法可以用于制备具有T型栅极结构的高电子迁移率晶体管器件，得到对称或非对称的源极与栅极间距和漏极与栅极间距，同时与现有半导体工艺兼容。
一种电子迁移率晶体管漏电制备方法

[发明专利]一种阈值可调节的GaN器件-CN202211331418.1在审
发明人：陈敬沧 -专利权人：上海百功微电子有限公司
申请日： 2022-10-28 - 公布日： 2023-01-31 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：本发明公开了一种阈值可调节的GaN器件，涉及GaN器件技术领域，本发明包括输入电源、解码器、电荷泵、电平移位器、氮化镓高电子迁移率晶体管以及输出电源，氮化镓高电子迁移率晶体管的数量有若干个，氮化镓高电子迁移率晶体管本发明为一种阈值可调节的GaN器件，通过利用若干个氮化镓高电子迁移率晶体管作为分流电路，每个氮化镓高电子迁移率晶体管根据输入阈值命令在其绝缘栅极收到相应的通电压或关电压，从而开启/关闭其漏极‑源极通道，
一种阈值调节 gan 器件

[发明专利]砷化镓双极结型高电子迁移率晶体管及其制作方法-CN202210311792.9在审
发明人：樊永辉;许明伟;樊晓兵 -专利权人：深圳市汇芯通信技术有限公司
申请日： 2022-03-28 - 公布日： 2022-08-05 - 主分类号： H01L27/06 文献下载
摘要：本申请公开了一种砷化镓双极结型高电子迁移率晶体管及其制作方法，砷化镓双极结型高电子迁移率晶体管包括：硅衬底；砷化镓高电子迁移率晶体管外延层，设置在所述硅衬底上；砷化镓高电子迁移率晶体管，设置在所述砷化镓高电子迁移率晶体管外延层上；砷化镓异质结双极型晶体管外延层，设置在所述硅衬底上；砷化镓异质结双极型晶体管，设置在所述砷化镓异质结双极型晶体管外延层上；以及隔离带，设置在所述硅衬底上，且设置在所述砷化镓高电子迁移率晶体管外延层与所述砷化镓异质结双极型晶体管外延层之间本申请通过上述方案以提升器件集成度。
砷化镓双极结型高电子迁移率晶体管及其制作方法

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