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[发明专利]雪崩光电平衡探测器-CN202210718970.X在审
发明人：宋俊峰;李雪童;刘小斌;李盈祉;陈柏松;李雪妍;郜峰利 -专利权人：吉林大学
申请日： 2022-06-23 - 公布日： 2022-11-01 - 主分类号： H01L31/107 文献下载
摘要：本发明提供一种雪崩光电探测器，包括：光混合分束器、第一雪崩光电探测器和第二雪崩光电探测器；将信号光和参考光分别通过光纤输入至光混合分束器，光混合分束器用于将信号光和参考光进行混合后再输出均带有信号光和参考光信息的第一光束和第二光束；第一雪崩光电探测器和第二雪崩光电探测器分别包括探测区和雪崩区；第一光束和第二光束通过光纤分别进入第一雪崩光电探测器和第二雪崩光电探测器的探测区后形成电子或空穴传输至雪崩区中；第一雪崩光电探测器和第二雪崩光电探测器的雪崩区为直接连接
雪崩光电平衡探测器

[发明专利]电荷雪崩光电探测器系统-CN201780065010.5有效
发明人：伊内斯·弗雷塞 -专利权人：弗劳恩霍夫应用研究促进协会
申请日： 2017-10-13 - 公布日： 2022-12-23 - 主分类号： H01L31/02 文献下载
摘要：公开了一种电荷雪崩光电探测器系统，包括基于电荷雪崩原理的电荷雪崩光电探测器以及电连接在所述电荷雪崩光电探测器下游的放大器电子器件(2)，所述电荷雪崩光电探测器例如为硅光电倍增器(1)，所述电荷雪崩光电探测器能够选择性的利用偏置电压或不利用这种偏置电压操作根据该偏置电压，所述电荷雪崩光电探测器能够在盖格模式、电荷积分模式和PIN光电二极管模式下操作。这使得探测器系统的动态范围被扩展，由此既能够探测低强度光信号又能够探测高强度光信号。
电荷雪崩光电探测器系统

[发明专利]一种日盲紫外单光子雪崩探测器-CN201911084018.3有效
发明人：余晨辉;李林;陈红富;徐腾飞 -专利权人：南通大学
申请日： 2019-11-07 - 公布日： 2021-09-07 - 主分类号： H01L31/0304 文献下载
摘要：本发明公开了一种日盲紫外单光子雪崩探测器，包括雪崩光电探测器和多根纳米线；所述雪崩光电探测器为工作在盖革模式下的日盲紫外铝镓氮雪崩光电探测器；所述纳米线为负光电导效应的氮化镓纳米线；所述多根纳米线设于雪崩光电探测器的光敏面上；所述多根纳米线的正极端并联后连接到电压源的正极；所述多根纳米线的负极端并联后连接到雪崩光电探测器的负电极；所述雪崩光电探测器的正电极连接电压源的负极。本发明利用纳米线的负光电导效应来工作，使得雪崩探测器中的雪崩电流在雪崩击穿后得到及时的淬灭，保护二极管，无需传统的淬灭电路，规避了淬灭电路占用面积大、不便集成、非常耗成本的缺点。
一种紫外光子雪崩探测器

[发明专利]一种雪崩光电探测器和提高雪崩光电探测器高频特性的方法-CN201310049958.5无效
发明人：李彬;韩勤;杨晓红 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2013-02-08 - 公布日： 2013-05-01 - 主分类号： H01L31/107 文献下载
摘要：本发明公开了一种雪崩光电探测器和提高雪崩光电探测器高频特征的方法，所述雪崩光电探测器用于探测目标探测光，并包括纵向依次排列的吸收层(8)、第一电荷层(61)、倍增层(5)、第二电荷层(62)和渡越层。吸收层(8)用于吸收目标探测光，将目标探测光的光子转化为光生自由载流子对；第一电荷层(6)用于调控器件内部电场分布；倍增层(5)用于使进入其中的自由载流子引发雪崩效应，产生雪崩载流子对，雪崩载流子对中的一种类型的载流子经由所述渡越层(9)纵向漂移至所述雪崩光电探测器的一端。本发明能更好地调节雪崩光电探测器的电容和载流子渡越时间，有利于其高频特性的提高。
一种雪崩光电探测器提高高频特性方法

[实用新型]一种分布式光纤拉曼测温装置-CN201922289190.4有效
发明人：金智群;翁志辉;金金 -专利权人：广州劲联智能科技有限公司
申请日： 2019-12-18 - 公布日： 2020-07-07 - 主分类号： G01K11/32 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种分布式光纤拉曼测温装置，包括：激光光源、光波分复用器、参考光纤、传感光纤、第一雪崩光电探测器、第二雪崩光电探测器、放大器、数据采集模块、温度传感器、中央处理器、散热风扇组、外壳、金属均热板，雪崩光电探测器被包裹在金属均热板中，本实用新型利用多种成熟可靠的导温器件稳定雪崩光电探测器的自身温度，并进一步通过保温材料和散热器件，降低机箱内的其他热源对雪崩光电探测器的温度影响，由此解决雪崩光电探测器由于温度不稳定输出导致的校准级和测量级的光电响应增益持续变化的技术问题
一种分布式光纤测温装置

[发明专利]雪崩光电探测器过剩噪声因子测量系统及测量方法-CN202310114825.5在审
发明人：杨晓红;刘一君;王睿;唐永升 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2023-02-07 - 公布日： 2023-05-05 - 主分类号： G01R29/26 文献下载
摘要：本公开提供了一种雪崩光电探测器过剩噪声因子测量系统及测量方法。该雪崩光电探测器过剩噪声因子测量系统包括：载物装置、光源、频谱仪、偏置器、源压表以及高频探针；载物装置用于放置待测器件，待测器件包括雪崩光电探测器芯片；光源用于向雪崩光电探测器芯片输出稳恒光以进行噪声测试；以及雪崩光电探测器芯片与偏置器相连，偏置器基于直流通路连接源压表，偏置器通过高频探针基于交流通路连接频谱仪，以形成噪声测试链路。
雪崩光电探测器过剩噪声因子测量系统测量方法

[发明专利]一种硅基线性雪崩光电探测器、制备方法及应用-CN202310218352.3有效
发明人：彭红玲;牛博文;周旭彦;张建心;王天财;赵华良;尚肖;曹澎;宋春旭 -专利权人：潍坊先进光电芯片研究院;中国科学院半导体研究所
申请日： 2023-03-09 - 公布日： 2023-07-07 - 主分类号： H01L31/107 文献下载
摘要：本发明提供一种硅基线性雪崩光电探测器、制备方法及应用，属于雪崩光电探测器领域。所述硅基线性雪崩光电探测器，包括有：π型层、p型层、n+型层、p+型层、离子注入型沟槽保护环、离子注入型沟槽截止环、第一电极本发明还提供一种硅基线性雪崩光电探测器的制备方法；以及在激光测距装置的应用。本发明的硅基线性雪崩光电探测器有效提高制得的硅基线性雪崩光电探测器的一致性，倍增、吸收区的参数更容易控制，并能够有效避免制备过程中可能的边缘击穿现象；应用于激光雷达等激光测距装置中，能够有效提高测距精度及动态范围；同时，还能够有效降低探测器偏压控制难度和复杂度，有利于探测器控制电路的小型化。
一种基线雪崩光电探测器制备方法应用

[发明专利]一种雪崩光电二极管探测阵列制备方法-CN201110086579.4无效
发明人：吴光;任旻;简轶;梁焰;孔伟斌;王致远;潘海峰;曾和平;王江涛 -专利权人：华东师范大学
申请日： 2011-04-07 - 公布日： 2011-11-23 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：本发明属于光电探测类，具体涉及一种雪崩光电二极管探测阵列制备方法，可以应用于激光三维成像等主动成像和测绘领域，该方法的雪崩光电二极管阵列主要由微透镜阵列、多模光纤、和雪崩光电二极管点探测器构成，该技术将多个独立运行的雪崩光电二极管点探测器重新集成，成为阵列探测器，保持了雪崩光电二极管点探测器高灵敏的探测性能，避免了单个基片上雪崩光电二极管阵列各个像元之间相互串扰，以及工作点不均匀的缺陷，实现探测信号并行输出的中小规模的雪崩光电二极管阵列，该雪崩光电二极管阵列采用微透镜阵列作为探测平面，通过改变微透镜阵列的透镜像元的分布，可以灵活的实现各种像元分布的雪崩光电二极管阵列。该技术非常适合实现高灵敏的中小规模的雪崩光电二极管阵列。
一种雪崩光电二极管探测阵列制备方法

[发明专利]近红外响应的硅基雪崩光电探测器及其制作方法-CN201611096081.5在审
发明人：黄建;江海波;李睿智;黄烈云 -专利权人：中国电子科技集团公司第四十四研究所
申请日： 2016-12-02 - 公布日： 2017-02-22 - 主分类号： H01L31/107 文献下载
摘要：本发明提出了一种近红外响应的硅基雪崩光电探测器，所述近红外响应的硅基雪崩光电探测器由衬底层、光敏区、雪崩区、保护环、截止环、增透膜、阳极接触层、反射镜层和阴极电极组成；本发明还提出了一种基于前述近红外响应的硅基雪崩光电探测器的制作方法，本发明的有益技术效果是：提供了一种近红外响应的硅基雪崩光电探测器，该探测器能够在不增加衬底层厚度和降低其他性能的条件下，获得较高的近红外响应率。
红外响应雪崩光电探测器及其制作方法

[发明专利]一种雪崩光电二极管和光电倍增管探测器-CN202110412278.X有效
发明人：胡海帆;秦秀波;赵宏鸣;刘鹏浩;李志垚;马喆;肖柯 -专利权人：中国航天科工集团第二研究院
申请日： 2021-04-16 - 公布日： 2023-01-20 - 主分类号： H01L31/0352 文献下载
摘要：本发明公开一种雪崩光电二极管和光电倍增管探测器，涉及辐射探测或弱光探测技术领域，以解决探测器探测效率低的问题。所述雪崩光电二极管包括衬底和入射光抗反射层，衬底包括多个掺杂区，掺杂区是在衬底掺入杂质离子所形成的，掺杂区包括光线入射端P型重掺杂区、N型重掺杂区、P型重掺杂区、P型掺杂区和P型低掺杂区。所述光电倍增管探测器包括多个雪崩光电二极管单元，多个雪崩光电二极管单元并联连接，每一雪崩光电二极管单元均包括淬灭电阻和上述技术方案所涉及的雪崩光电二极管，雪崩光电二极管和淬灭电阻串联连接。本发明提供的雪崩光电二极管和光电倍增管探测器用于辐射探测或弱光探测中。
一种雪崩光电二极管光电倍增管探测器

[发明专利]一种雪崩光电二极管和光电倍增管探测器-CN202110412276.0有效
发明人：胡海帆;秦秀波;刘鹏浩;赵宏鸣;李志垚;马喆;王智斌 -专利权人：中国航天科工集团第二研究院
申请日： 2021-04-16 - 公布日： 2022-11-22 - 主分类号： H01L31/0352 文献下载
摘要：本发明公开一种雪崩光电二极管和光电倍增管探测器，涉及辐射探测或弱光探测技术领域，以解决探测器探测效率低的问题。所述雪崩光电二极管包括衬底和入射光抗反射层，衬底包括多个掺杂区，掺杂区是在衬底掺入杂质离子所形成的，掺杂区包括光线入射端P型重掺杂区、N型重掺杂区、P型重掺杂区、P型掺杂区和P型低掺杂区。所述光电倍增管探测器包括多个雪崩光电二极管单元，多个雪崩光电二极管单元并联连接，每一雪崩光电二极管单元均包括淬灭电阻和上述技术方案所涉及的雪崩光电二极管，雪崩光电二极管和淬灭电阻串联连接。本发明提供的雪崩光电二极管和光电倍增管探测器用于辐射探测或弱光探测中。
一种雪崩光电二极管光电倍增管探测器

[实用新型]雪崩光电探测器以及激光雷达系统-CN201821734340.7有效
发明人：邹颜;刘宏亮;杨彦伟;陆一锋 -专利权人：深圳市芯思杰智慧传感技术有限公司
申请日： 2018-10-24 - 公布日： 2019-08-09 - 主分类号： H01L31/107 文献下载
摘要：本申请公开了一种雪崩光电探测器以及激光雷达系统中，设置雪崩光电探测器的感光区域为直径范围在100μm～300μm的圆形区域，相对于感光区域为50μm的传统雪崩光电探测器，可以使得探测距离到达200m以上
雪崩光电探测器激光雷达系统感光区域探测距离圆形区域暗电流响应度申请

[发明专利]雪崩光电探测器、制作方法以及激光雷达系统-CN201811246844.9在审
发明人：邹颜;刘宏亮;杨彦伟;陆一锋 -专利权人：深圳市芯思杰智慧传感技术有限公司
申请日： 2018-10-24 - 公布日： 2019-01-15 - 主分类号： H01L31/107 文献下载
摘要：本发明公开了一种雪崩光电探测器、制作方法以及激光雷达系统中，设置雪崩光电探测器的感光区域为直径范围在100μm～300μm的圆形区域，相对于感光区域为50μm的传统雪崩光电探测器，可以使得探测距离到达200m
雪崩光电探测器激光雷达系统感光区域探测距离圆形区域暗电流响应度制作

[发明专利]基于宏观组装石墨烯/外延硅肖特基结的红外雪崩光电探测器及其制备方法-CN202210858802.0在审
发明人：徐杨;李宗文;曹小雪;张致翔;田丰;柴健;俞滨 -专利权人：浙江大学
申请日： 2022-07-20 - 公布日： 2022-11-11 - 主分类号： H01L31/108 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于宏观组装石墨烯/外延硅肖特基结的红外雪崩光电探测器及其制备方法，主要解决现有雪崩光电探测器暗电流大、增益小、雪崩阈值电压过高等问题，并提出了一种分离吸收层和倍增层的低雪崩阈值电压新型红外光电探测器该光电探测器以宏观组装石墨烯作为红外光吸收层，以外延硅层作为载流子倍增层，通过吸收倍增层的分离有效抑制噪声电流倍增，实现微弱光信号的灵敏探测；在较大的反向偏压下，光生载流子越过势垒与耗尽区内硅晶格发生碰撞电离，激发出指数型倍增的载流子贡献到光电流中，实现一个很大的内部增益；本发明光电探测器可以探测红外光谱，解决传统肖特基势垒探测器对红外光探测响应低的问题，利于通信波段信息的传递。
基于宏观组装石墨外延硅肖特基结红外雪崩光电探测器及其制备方法

[发明专利]一种雪崩光电探测器信号补偿装置和方法-CN201110434643.3无效
发明人：靳占军;霍佃恒;张勇;张永庆;马宏 -专利权人：烟台睿创微纳技术有限公司
申请日： 2011-12-22 - 公布日： 2012-06-27 - 主分类号： G01F1/50 文献下载
摘要：本发明涉及一种雪崩光电探测器信号补偿装置及方法，属于分布式光纤传感领域，本发明通过一种基于负反馈的硬件检测控制装置，包括数字温度传感器、电压综合控制模块、外部E2PROM、雪崩光电探测器（APD），使用非线性的曲线拟合数据计算方法，精确补偿雪崩光电探测器（APD）的响应非线性，使雪崩光电探测器（APD）在较宽的温度范围内（零下5至50℃）增益保持恒定，很大程度的提高分布式光纤传感器在较宽温度范围的测量精度和稳定性。
一种雪崩光电探测器信号补偿装置方法

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