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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]一种低压制造工艺的集成电路及其电源电路-CN201810123022.5有效
发明人：杨明汉;钟伟金 -专利权人：珠海市一微半导体有限公司
申请日： 2018-02-07 - 公布日： 2020-08-28 - 主分类号： G05F1/56 文献下载
摘要：目前采用低压制造工艺的USB PD集成电路中只提供恒压充电的模式而不具备恒流充电的模式，USB PD集成电路的应用有所受限，本发明提供了一种低压制造工艺的集成电路及其电源电路，该集成电路支持PD3.0协议，所述低压制造工艺的集成电路相对于现有技术具备恒流模式，所述电源电路是基于低压制造工艺的集成电路设计的，该电源电路通过对输出信号的实时监测和调整，从而达到恒流/恒压的充电功能，克服市面上低压制造工艺的USBPD集成电路缺少恒流功能的缺陷，相对于采用高压制造工艺的USB PD集成电路而言降低了生产的成本，为PD充电的大量普及奠定基础。
一种低压制造工艺集成电路及其电源电路

[发明专利]一种集成电路及其制造方法-CN201310743201.6在审
发明人：黄河;克里夫·德劳利 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2013-12-27 - 公布日： 2015-07-01 - 主分类号： H01L27/06 文献下载
摘要：本发明提供一种集成电路及其制造方法，涉及硅半导体技术领域。本发明的集成电路，包括被沟槽绝缘体侧面绝缘的双面双栅极硅晶体管，相对于现有技术，可以降低晶体管的漏电流以及栅极与源极、漏极之间的耦合电容，提高晶体管的性能，进而提高整个集成电路的性能。本发明的集成电路制造方法，用于制造上述集成电路，制得的集成电路同样具有上述优点。
一种集成电路及其制造方法

[发明专利]具有镜像电路的堆叠式晶粒的集成电路器件-CN202110191479.1在审
发明人： M·金;H·刘;C·W·张 -专利权人：赛灵思公司
申请日： 2021-02-19 - 公布日： 2021-08-24 - 主分类号： H01L25/07 文献下载
摘要：本文描述了集成电路器件及其制造技术。集成电路器件利用以镜像方式制造的两对或更多对堆叠的集成电路晶粒，以降低制造的复杂性，从而降低成本。在一个示例中，提供了一种包括集成电路晶粒堆叠的集成电路器件。集成电路晶粒堆叠包括第一、第二、第三和第四集成电路晶粒。第一集成电路晶粒和第二集成电路晶粒通过它们的有源侧进行耦接，并且包括彼此为镜像的集成电路布置。第三集成电路晶粒和第四集成电路晶粒也通过它们的有源侧进行耦接，并且包括彼此为镜像的集成电路布置。
具有电路堆叠晶粒集成电路器件

[发明专利]一种集成电路及其制造方法-CN201410037719.2有效
发明人：黄河;克里夫·德劳利 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2014-01-26 - 公布日： 2018-03-30 - 主分类号： H01L27/04 文献下载
摘要：本发明提供一种集成电路及其制造方法，涉及半导体技术领域。本发明的集成电路，包括串联的晶体管以及位于串联的晶体管的栅极之间的密闭腔体，可以实现晶体管的漏极与栅极的低介电绝缘，从而降低漏极与栅极间的耦合电容，提高集成电路的性能。本发明的集成电路的制造方法，用于制造上述集成电路，制备的集成电路同样具有上述优点。
一种集成电路及其制造方法

[发明专利]集成电路设计制造方法以及集成电路设计系统-CN201510859455.3有效
发明人：黄旭霆;刘如淦;周硕彦;高蔡胜 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2015-11-30 - 公布日： 2020-10-23 - 主分类号： G06F30/392 文献下载
摘要：本发明提供一集成电路设计制造方法以及集成电路设计系统。该集成电路设计制造方法包括：接收一集成电路版图文件；以及对集成电路版图文件执行一反式电子束技术工艺以产生一最终掩膜图案，其中反式电子束技术工艺使用一单一反式电子束技术模型以模拟一掩膜工艺以及晶圆工艺。
集成电路设计制造方法以及系统

[发明专利]制造装置、测试装置、制造方法及集成电路封装件-CN201010508341.1无效
发明人：小暮吉成;高须诚一;田中贞树 -专利权人：爱德万测试株式会社
申请日： 2010-10-15 - 公布日： 2011-06-01 - 主分类号： H01L21/00 文献下载
摘要：本发明涉及制造装置、测试装置、制造方法及集成电路封装件。制造一种精度良好地连接集成电路芯片与基板的集成电路封装件。提供一种制造装置，用于将集成电路芯片进行封装制造集成电路封装件，该装置包括使集成电路芯片平坦化的平坦化部、保持底座基板的保持部、搬运被平坦化的集成电路芯片并载置到由保持部保持的底座基板上的搬运部、将集成电路芯片及底座基板作为集成电路封装件进行封装的封装部
制造装置测试方法集成电路封装

[发明专利]MIM电容的制造方法及一MIM电容-CN201910862712.7在审
发明人：毛永吉 -专利权人：上海华力集成电路制造有限公司
申请日： 2019-09-12 - 公布日： 2019-12-31 - 主分类号： H01L23/64 文献下载
摘要：本发明涉及MIM电容的制造方法及一MIM电容，涉及半导体集成电路制造技术，在形成金属栅极结构的过程中形成MIM电容的下极板，并在半导体集成电路的制造必须工艺过程中形成MIM电容的上极板以及位于下极板和上极板之的电容介电层，以将MIM电容的制造工艺集成在半导体集成电路制造的固有的工艺中，从而在半导体集成电路制造过程中同时完成MIM电容的制造，不增加半导体集成电路制造工艺步骤，成本低，且形成的MIM电容具有高电容密度、低漏电及小电压线性的特性
半导体集成电路制造上极板下极板半导体集成电路制造金属栅极结构电容介电层工艺步骤工艺过程制造工艺漏电高电容小电压

[发明专利]一种集成电路及其制造方法-CN201310242362.7有效
发明人：黄河;克里夫·德劳利 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2013-06-18 - 公布日： 2017-08-01 - 主分类号： H01L27/02 文献下载
摘要：本发明提供一种集成电路及其制造方法，涉及半导体技术领域。本发明的集成电路，将采用不同侧壁和底部绝缘的第一组晶体管、第二组晶体管、第三组晶体管以及集成无源器件等组件集成到单一芯片之上，相对于现有技术中的射频前端模块，具有更高的信噪比、更低的功耗、更小的器件尺寸以及更低的成本本发明的集成电路的制造方法，用于制造上述集成电路，在制得的集成电路具有上述优点的同时，可以降低封装复杂度和制造成本。
一种集成电路及其制造方法

[发明专利]一种集成电路及其制造方法-CN201310243252.2有效
发明人：黄河;克里夫·德劳利 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2013-06-18 - 公布日： 2017-11-10 - 主分类号： H01L27/06 文献下载
摘要：本发明提供一种集成电路及其制造方法，涉及半导体技术领域。本发明的集成电路，将采用不同侧壁和底部绝缘的第一组晶体管、第二组晶体管、第三组晶体管以及集成无源器件和MEMS器件等组件集成到单一芯片之上，相对于现有技术中的射频前端模块，具有更高的信噪比、更低的功耗、本发明的集成电路的制造方法，用于制造上述集成电路，在制得的集成电路具有上述优点的同时，可以降低封装复杂度和制造成本。
一种集成电路及其制造方法

[发明专利]集成电路虚拟制造方法及系统-CN202310503313.8在审
发明人：陈一宁;乔驿博;高大为 -专利权人：浙江大学
申请日： 2023-04-28 - 公布日： 2023-08-04 - 主分类号： G06F30/398 文献下载
摘要：本发明涉及一种集成电路虚拟制造方法及系统，通过预先构建针对集成电路的虚拟制造模型，并将获取到的待执行虚拟制造的集成电路的初始产品信息、制造工艺流程信息集合以及材料信息集合作为输入数据输入到虚拟制造模型中，从而得到集成电路3D虚拟模型和对应虚拟制造过程的量测数据。如此，通过虚拟制造集成电路的方式来测试集成电路3D虚拟模型的相关性能以及获取相应的量测数据，简单高效执行集成电路的制造，不需要进行实际的集成电路制造过程测试，降低了集成电路产品前期测试的投入成本和耗时。
集成电路虚拟制造方法系统

[发明专利]在体硅上制造1T－DRAM的方法-CN200710100618.5有效
发明人：吴宗泽;陈若文 -专利权人：马维尔国际贸易有限公司
申请日： 2007-03-15 - 公布日： 2007-09-19 - 主分类号： H01L27/04 文献下载
摘要：一种集成电路，包括体效应技术集成电路(bulk IC)，体效应技术集成电路包括体硅层和制造在体硅层上的互补MOSFET(CMOS)晶体管。集成电路还包括单晶体管动态随机存取存储器(1T DRAM)单元，该单元相邻于体效应集成电路并集成在体效应集成电路中。
体硅上制造 dram 方法

[发明专利]用于有效地制成可抽换式外围卡的方法-CN200480017458.2有效
发明人：赫姆·P·塔奇亚 -专利权人：桑迪士克股份有限公司
申请日： 2004-06-16 - 公布日： 2006-07-26 - 主分类号： H01L23/31 文献下载
摘要：本发明揭示用于制造集成电路产品的改良的技术。这些改良的技术能够使集成电路产品更小且制造成本更低。本发明的一个方面在于，集成电路产品是每次一批地制成，且将该批集成电路产品单分成单独的集成电路产品是使用非线性(例如非矩形或曲线形)锯割或切割作业，以使所形成的单独集成电路封装不再需要完全为矩形。本发明的另一个方面在于，集成电路产品可使用半导体组装处理来制成，以使提供外部封装或容器这一需要变成可选的。
用于有效地制成抽换外围方法

[发明专利]一种集成电路及其制造方法-CN201310243253.7有效
发明人：黄河;克里夫·德劳利 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2013-06-18 - 公布日： 2017-09-01 - 主分类号： H01L27/06 文献下载
摘要：本发明提供一种集成电路及其制造方法，涉及半导体技术领域。本发明的集成电路，将采用不同侧壁的第一组晶体管、第二组晶体管、第三组晶体管，以及集成无源器件和MEMS器件等组件，通过晶圆加工流程集成到单一芯片之上，相对于现有通过系统集成封装技术所制作的射频前端模块，本发明的集成电路的制造方法，用于制造上述集成电路，在制得的集成电路具有上述优点的同时，可以降低最终射频前端模块封装的复杂度和制造成本。
一种集成电路及其制造方法

[发明专利]一种集成电路及其制造方法-CN201310242363.1有效
发明人：黄河;克里夫·德劳利 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2013-06-18 - 公布日： 2017-09-01 - 主分类号： H01L27/06 文献下载
摘要：本发明提供一种集成电路及其制造方法，涉及半导体技术领域。本发明的集成电路，将采用不同侧壁和底部绝缘的第一组晶体管、第二组晶体管、第三组晶体管以及集成无源器件和MEMS器件等组件，通过晶圆加工流程集成到单一芯片之上，相对于现有通过系统集成封装技术所制作的射频前端模块本发明的集成电路的制造方法，用于制造上述集成电路，在制得的集成电路具有上述优点的同时，可以降低最终射频前端模块封装的复杂度和制造成本。
一种集成电路及其制造方法

[发明专利]凹陷沟道型PNPN场效应晶体管的集成电路及其制造方法-CN201010221408.3无效
发明人：臧松干;刘昕彦;王鹏飞;张卫 -专利权人：复旦大学
申请日： 2010-07-08 - 公布日： 2010-11-24 - 主分类号： H01L27/088 文献下载
摘要：本发明属于集成电路技术领域，具体公开了一种半导体集成电路。该半导体集成电路包括一个栅控PNPN晶体管和一个MOS晶体管。所述集成电路中的栅控PNPN晶体管和MOS晶体管均采用凹陷型沟道结构，可在提高驱动电流的同时抑制漏电流的增加，即在降低芯片功耗的同时提高了芯片的性能。本发明还公开了所述半导体集成电路的制造方法。本发明所提出的半导体集成电路，特别适用于低功耗集成电路芯片的制造。
凹陷沟道 pnpn 场效应晶体管集成电路及其制造方法

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