“铌酸锂电光调制器”专利关键词查询_检索下载_查询列表_检索列表_行业专利分布_钻瓜专利网

钻瓜专利网为您找到相关结果9338208个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]一种低驱动电压铌酸锂电光调制器及其制造方法-CN201611204740.2在审
发明人：李萍;范宝泉;尚含予 -专利权人：天津领芯科技发展有限公司
申请日： 2016-12-23 - 公布日： 2018-07-03 - 主分类号： G02F1/03 文献下载
摘要：本发明公开了一种低驱动电压铌酸锂电光调制器，通过在X切Y传铌酸锂晶体上制作脊型波导结构，并将电光调制器的电极结构制作于脊型波导结构的两侧，使电光调制器电极结构之间的电场可以沿着水平方向分布。与现有铌酸锂电光调制器相比，本发明提出的铌酸锂电光调制器可以大幅提升电场对光场的调制效率，降低器件的驱动电压。另外在其他方案中，还可以采用低介电常数材料作为铌酸锂薄膜的基底晶片并在铌酸锂薄膜上制作脊型波导结构，既可以有效地提升铌酸锂电光调制器的工作带宽，又可以降低铌酸锂电光调制器的驱动电压。还提供一种低驱动电压铌酸锂电光调制器的制造方法。
铌酸锂电光调制器脊型波导结构低驱动电压电光调制器铌酸锂薄膜电场电极结构驱动电压制作低介电常数材料铌酸锂晶体调制效率工作带宽基底晶片降低器件有效地制造

[实用新型]一种低驱动电压铌酸锂电光调制器-CN201621423933.2有效
发明人：李萍;范宝泉;尚含予 -专利权人：天津领芯科技发展有限公司
申请日： 2016-12-23 - 公布日： 2017-09-05 - 主分类号： G02F1/03 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种低驱动电压铌酸锂电光调制器，通过在X切Y传铌酸锂晶体上制作脊型波导结构，并将电光调制器的电极结构制作于脊型波导结构的两侧，使电光调制器电极结构之间的电场可以沿着水平方向分布。与现有铌酸锂电光调制器相比，本实用新型提出的铌酸锂电光调制器可以大幅提升电场对光场的调制效率，降低器件的驱动电压。另外在其他方案中，还可以采用低介电常数材料作为铌酸锂薄膜的基底晶片并在铌酸锂薄膜上制作脊型波导结构，既可以有效地提升铌酸锂电光调制器的工作带宽，又可以降低铌酸锂电光调制器的驱动电压。
一种驱动电压铌酸锂电光调制器

[发明专利]一种高调制效率的铌酸锂薄膜电光调制器-CN201610911122.5在审
发明人：李萍;史云玲 -专利权人：天津领芯科技发展有限公司
申请日： 2016-10-18 - 公布日： 2018-04-24 - 主分类号： G02F1/035 文献下载
摘要：本发明公开了一种高调制效率的铌酸锂薄膜电光调制器，通过将铌酸锂电光调制器的电极制备成上下型结构，上层电极(信号极)分别位于光学波导上方，下层电极为地电极，因而上下型电极结构对光学波导可以起到100％的调制效率，远高于传统铌酸锂电光调制器的40％至50％的电光调制效率；此外，本申请采用具有单晶结构的、厚度为0.1μm至10μm的铌酸锂薄膜材料，可实现与传统铌酸锂电光调制器相比更短的电极间距。上述两方面因素可大幅降低铌酸锂电光调制器的半波电压。
一种调制效率铌酸锂薄膜电光调制器

[实用新型]一种高调制效率的铌酸锂薄膜电光调制器-CN201621134438.X有效
发明人：李萍;史云玲 -专利权人：天津领芯科技发展有限公司
申请日： 2016-10-18 - 公布日： 2017-04-26 - 主分类号： G02F1/035 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种高调制效率的铌酸锂薄膜电光调制器，通过将铌酸锂电光调制器的电极制备成上下型结构，上层电极(信号极)分别位于光学波导上方，下层电极为地电极，因而上下型电极结构对光学波导可以起到100％的调制效率，远高于传统铌酸锂电光调制器的40％至50％的电光调制效率；此外，本申请采用具有单晶结构的、厚度为0.1μm至10μm的铌酸锂薄膜材料，可实现与传统铌酸锂电光调制器相比更短的电极间距。上述两方面因素可大幅降低铌酸锂电光调制器的半波电压。
一种调制效率铌酸锂薄膜电光调制器

[发明专利]一种宽带低损耗型电光调制器-CN202210840474.1在审
发明人：杨鹏毅;李韬;乔鹏飞;姚宗影;刘金鹏;李子祥 -专利权人：中国电子科技集团公司第四十三研究所
申请日： 2022-07-18 - 公布日： 2022-09-16 - 主分类号： G02F1/03 文献下载
摘要：本发明公开了一种宽带低损耗型电光调制器，包括有顺次连接的输入光纤、输入模斑匹配、薄膜铌酸锂电光调制器芯片、输出模斑匹配和输出光纤，以及微波输入接口和阻抗匹配网络；微波输入接口通过阻抗匹配网络与薄膜铌酸锂电光调制器芯片连接本发明在微波输入接口与薄膜铌酸锂电光调制器芯片之间设置有阻抗匹配网络，解决了输入微波信号与薄膜铌酸锂电光调制器芯片之间阻抗匹配的问题，减少了微波信号反射，实现宽频带；输入模斑匹配和输出模斑匹配用于解决薄膜铌酸锂电光调制器芯片小尺寸光斑与相对大尺寸光纤之间的光路匹配问题
一种宽带损耗电光调制器

[发明专利]一种四工作点可调的外调制电光转换系统及方法-CN202010455708.1有效
发明人：吴晓辉;张东旭;杜茂顺;王旭辉;武华 -专利权人：北京航天时代光电科技有限公司
申请日： 2020-05-26 - 公布日： 2022-03-04 - 主分类号： H04B10/25 文献下载
摘要：一种四工作点可调的外调制电光转换系统及方法，包括宽带集成铌酸锂电光调制器‑保偏光源器件、保偏光源驱动控制电路、调制器偏压控制电路、RS485通信接口电路，所述宽带集成铌酸锂电光调制器‑保偏光源器件包括铌酸锂电光调制器和保偏光源，其中：保偏光源驱动控制电路控制所述保偏光源的电流和温度，调制器偏压控制电路给所述铌酸锂电光调制器提供稳定的工作电压。
一种工作可调外调电光转换系统方法

[实用新型]一种宽带低损耗型电光调制器-CN202221875815.0有效
发明人：杨鹏毅;李韬;乔鹏飞;姚宗影;刘金鹏;李子祥 -专利权人：中国电子科技集团公司第四十三研究所
申请日： 2022-07-18 - 公布日： 2022-11-18 - 主分类号： G02F1/03 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种宽带低损耗型电光调制器，包括有顺次连接的输入光纤、输入模斑匹配、薄膜铌酸锂电光调制器芯片、输出模斑匹配和输出光纤，以及微波输入接口和阻抗匹配网络；微波输入接口通过阻抗匹配网络与薄膜铌酸锂电光调制器芯片连接本实用新型在微波输入接口与薄膜铌酸锂电光调制器芯片之间设置有阻抗匹配网络，解决了输入微波信号与薄膜铌酸锂电光调制器芯片之间阻抗匹配的问题，减少了微波信号反射，实现宽频带；输入模斑匹配和输出模斑匹配用于解决薄膜铌酸锂电光调制器芯片小尺寸光斑与相对大尺寸光纤之间的光路匹配问题
一种宽带损耗电光调制器

[发明专利]一种铌酸锂电光调制器芯片-CN201810272816.8在审
发明人：周建伟;夏君磊;郑国康;刘瑞丹;乔建坤;宁智超;徐玉亮 -专利权人：北京航天时代光电科技有限公司
申请日： 2018-03-29 - 公布日： 2018-10-16 - 主分类号： G02F1/03 文献下载
摘要：本发明涉及一种铌酸锂电光调制器芯片，特别涉及一种低直流漂移铌酸锂电光调制器芯片，属于铌酸锂电光调制器技术领域。本发明将直流偏置电极区域的二氧化硅层去除，将直流偏置电极直接制备在铌酸锂晶体表面。即保证了调制器的高频性能，又降低了调制器的直流漂移。
铌酸锂电光调制器直流偏置电极二氧化硅层直流漂移芯片调制器铌酸锂晶体高频性能速度匹配行波电极影响光波直接制备去除微波保留保证

[实用新型]高效率铌酸锂电光调制器电极-CN202123279316.3有效
发明人：陈伟;陈朋鑫;范瑄聪;刘柳 -专利权人：苏州易缆微光电技术有限公司
申请日： 2021-12-24 - 公布日： 2022-08-16 - 主分类号： G02F1/035 文献下载
摘要：本实用新型公开了高效率铌酸锂电光调制器电极，包括调制器外壳，调制器外壳匹配设有第一光纤和第二光纤，调制器外壳两端对称固定设有两个支块，调制器外壳侧面匹配固定设有电信号输入接口和电信号输出接口，调制器外壳内部固定有铌酸锂电光晶体基片，铌酸锂电光晶体基片上侧固定设有波导，铌酸锂电光晶体基片上侧设有与波导匹配的凹槽，波导匹配设有第一电极和第二电极以及第三电极，铌酸锂电光晶体基片下侧设有两个槽体。
高效率铌酸锂电光调制器电极

[发明专利]采用法拉第旋转镜实现偏振无关的铌酸锂电光相位调制器-CN201810208679.1在审
发明人：舒平;华勇;田自君;郑帅峰 -专利权人：中国电子科技集团公司第四十四研究所
申请日： 2018-03-14 - 公布日： 2018-09-04 - 主分类号： G02F1/03 文献下载
摘要：本发明公开了一种采用法拉第旋转镜实现偏振无关的铌酸锂电光相位调制器，其创新在于：所述铌酸锂电光相位调制器包括铌酸锂芯片、法拉第旋转镜和反射镜；本发明的有益技术效果是：提出了一种采用法拉第旋转镜实现偏振无关的铌酸锂电光相位调制器，该装置结构简单巧妙，可以在不降低任何指标的条件下，实现完全的偏振无关调制。
法拉第旋转镜相位调制器铌酸锂电光偏振无关铌酸锂芯片技术效果装置结构反射镜调制

[发明专利]采用四分之一玻片实现偏振无关的铌酸锂电光相位调制器-CN201810208680.4在审
发明人：华勇;舒平;田自君;雷成龙 -专利权人：中国电子科技集团公司第四十四研究所
申请日： 2018-03-14 - 公布日： 2018-09-04 - 主分类号： G02F1/03 文献下载
摘要：本发明公开了一种采用四分之一玻片实现偏振无关的铌酸锂电光相位调制器，其创新在于：述铌酸锂电光相位调制器包括铌酸锂芯片和四分之一玻片；本发明的有益技术效果是：提出了一种采用四分之一玻片实现偏振无关的铌酸锂电光相位调制器，该装置结构简单巧妙，可以在不降低任何指标的条件下，实现完全的偏振无关调制。
相位调制器铌酸锂电光偏振无关玻片铌酸锂芯片技术效果装置结构调制

[发明专利]一种提高电光调制器带宽的电极结构-CN201910570770.2在审
发明人：杨登才;陈雨康;向美华;王云新;刘萍萍 -专利权人：北京工业大学
申请日： 2019-06-28 - 公布日： 2019-10-01 - 主分类号： G02F1/03 文献下载
摘要：本发明涉及一种提高电光调制器带宽的电极结构，属于铌酸锂电光调制技术领域。为了解决电光调制器的相速失配问题，本发明在调制器芯片行波电极底部设计了一个镂空结构，可以不填充材料，也可以填充二氧化硅等低介电常数材料，经过计算能够有效降低微波等效折射率，大幅增大电光调制器的器件带宽，为提高铌酸锂电光调制器带宽提供了新的方法。
电光调制器带宽电极结构铌酸锂电光调制器低介电常数材料等效折射率调制器芯片铌酸锂电光调制技术二氧化硅填充材料行波电极镂空结构失配填充微波

[发明专利]一种薄膜铌酸锂电光调制器及制备方法-CN202110888815.8在审
发明人：胡紫阳;陈力锋;蔡文杰 -专利权人：江苏铌奥光电科技有限公司
申请日： 2021-08-04 - 公布日： 2021-08-31 - 主分类号： G02F1/03 文献下载
摘要：本发明公开了一种薄膜铌酸锂电光调制器及制备方法，薄膜铌酸锂电光调制器包括从下到上布置的硅衬底、埋氧层和铌酸锂层，铌酸锂层上表面刻蚀形成薄膜铌酸锂光波导；薄膜铌酸锂光波导包括马赫曾德尔结构；在马赫曾德尔结构每条光波导臂两侧分别设置行波信号电极和行波接地电极，在行波信号电极和行波接地电极之间设置用于对光波导臂内的光信号调制的电容负载型T结构电极；马赫曾德尔结构每条光波导臂两侧和下方设置有用于降低微波信号有效折射率的镂空隔离结构。该种电光调制器在硅基衬底下实现了超低驱动电压，超低微波损耗，超大电光带宽的薄膜铌酸锂电光调制器，便于未来在光通信，光传感，光集成等领域实现超高速，超低能耗的电光调制。
一种薄膜铌酸锂电光调制器制备方法

[发明专利]一种电光调制器-CN202211242455.5在审
发明人：李雪征 -专利权人：北京世维通科技股份有限公司
申请日： 2022-10-11 - 公布日： 2023-01-31 - 主分类号： G02F1/035 文献下载
摘要：本申请公开了一种电光调制器，用以防止铌酸锂电光调制器沿晶体的解理面裂开。所述电光调制器包括：铌酸锂晶体，以及设置于铌酸锂晶体的光波导结构、高频调制电极；所述高频调制电极具有与外电路连接的电极引出结构，其中，所述电极引出结构设置于铌酸锂晶体的外平面；所述电极引出结构包括平行设置的多个条状电极，所述多个条状电极所在直线平行于所述铌酸锂晶体的解理方向。采用本申请所提供的电光调制器能够减小电极与铌酸锂晶体之间的应力，进而降低了铌酸锂晶体沿解理面裂开的风险。
一种电光调制器

[实用新型]防折铌酸锂电光调制器电极-CN202223586560.9有效
发明人：陈朋鑫;陈伟;曹桂津;曹二闯;金卫彬 -专利权人：苏州易缆微半导体技术有限公司
申请日： 2022-12-30 - 公布日： 2023-06-02 - 主分类号： G02F1/035 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种通信设备技术领域的防折铌酸锂电光调制器电极，包括调制器外壳、第一光纤、第二光纤、电信号输入接口和电信号输出接口，所述调制器外壳的一端安装有第一光纤，所述调制器外壳的另一端安装有第二光纤，所述调制器外壳的相邻一端安装有电信号输入接口，本实用新型结构科学合理，通过设置的防折保护机构，可对第一光纤和第二光纤与调制器外壳连接处进行防护，并可对第一光纤和第二光纤的外侧进行防折断保护，增加了该防折铌酸锂电光调制器电极使用时的保护，通过设置的调整安装机构，能够对调制器外壳进行调整安装，增加了该防折铌酸锂电光调制器电极使用时的安装可调性，也增加了该防折铌酸锂电光调制器电极使用时的安装可调整性。
防折铌酸锂电光调制器电极

1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
下一页»
尾页
共 100000 条