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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

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B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]一种铁酸铋纳米柱阵列及其制备方法-CN202310395496.6在审
发明人：宋睿烜;阮罗渊;陈焕坚;孙沐晨;唐燕如;白石根;杜瑀;林虹宇;单玉凤;邓惠勇;戴宁 -专利权人：之江实验室
申请日： 2023-04-10 - 公布日： 2023-07-25 - 主分类号： C03C17/34 文献下载
摘要：本发明公开了一种铁酸铋纳米柱阵列及其制备方法，包括：准备衬底和铁酸铋溶胶；在衬底上旋涂铁酸铋溶胶得到铁酸铋薄膜，对铁酸铋薄膜刻蚀得到铁酸铋纳米柱阵列模板；在铁酸铋纳米柱阵列模板的阵列面旋涂PVA溶液或PI溶液后经过真空保压和烘干，得到的薄膜作为纳米阵列子模板；在纳米阵列子模板的阵列面旋涂铁酸铋溶胶并经过真空保压处理，将得到样品以铁酸铋贴合的方式转移到铁酸铋薄膜后，经过真空条件退火处理、超声清洗后得到铁酸铋纳米柱阵列该制备方法成本低，可行性较高，同时具有良好的重复性，所制备的铁酸铋纳米柱阵列可以应用于光电、铁电微纳器件中。
一种铁酸铋纳米阵列及其制备方法

[发明专利]一种铁酸铋有机－无机复合材料及其制备方法-CN201710116151.7在审
发明人：马知雨;王海旺;朱婉仪;陈铭芸;孙含丹;卞嘉莉;吴佳洁;魏新芳;徐宏宇;夏天元;汪玲芳 -专利权人：东北大学秦皇岛分校
申请日： 2017-03-01 - 公布日： 2017-06-27 - 主分类号： C08L27/16 文献下载
摘要：本发明属于铁电磁领域，特别公开一种铁酸铋有机－无机复合材料及其制备方法。该复合材料以纳米级铁酸铋为核心，铁酸铋的核表面键合有PVDF。首先，制备纳米级铁酸铋粉体；然后，再将铁酸铋与偏氟乙烯通过光催化进行复合。与当前技术相比，本发明铁酸铋有机－无机复合材料能够克服过去铁酸铋薄膜分散程度不高的问题，节约铁酸铋粉体，提高了效率。
一种铁酸铋有机无机复合材料及其制备方法

[发明专利]一种纯相纳米晶铁酸铋的制备方法-CN201910383717.1在审
发明人：王冠琦;王海旺;李元铭;吴正杰;马源;张煜垲;胡鹏程;魏新芳 -专利权人：东北大学秦皇岛分校
申请日： 2019-05-08 - 公布日： 2019-07-12 - 主分类号： C01G49/00 文献下载
摘要：本发明属于铁酸铋的制备技术领域，公开一种纯相纳米晶铁酸铋的制备方法。本发明以氧化铁和氧化铋为原料，通过机械合金化法对上述原料进行高能球磨，得到非晶铁酸铋，再通过高温热处理的方法使非晶铁酸铋析出纯净的铁酸铋纳米晶结构。此方法所制备的铁酸铋为纯净的铁酸铋纳米晶结构。
铁酸铋纳米晶制备非晶机械合金化法制备技术领域高温热处理析出高能球磨氧化铁氧化铋

[发明专利]制备铁酸铋薄膜的装置、方法及制备太阳能电池的方法-CN201510372226.9有效
发明人：符春林;高荣礼;蔡苇;陈刚;邓小玲 -专利权人：重庆科技学院
申请日： 2015-06-30 - 公布日： 2017-06-13 - 主分类号： C23C26/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种制备有织构特征的铁酸铋薄膜的装置，主要在于在坩埚体侧壁上对称设置有两个相同的通气孔，通气孔上连接有通气管。使用该装置制备铁酸铋薄膜，采用现有方法在基板上沉积铁酸铋薄膜，在退火步骤中将铁酸铋薄膜置于该装置坩埚内腔，使通气管的中心线穿过铁酸铋薄膜，该装置放置在管式炉中对铁酸铋薄膜定向退火。退火过程中用较小的氧气量就使氧气在铁酸铋薄膜表面形成定向流动，从而使铁酸铋薄膜的晶粒在氧气流动方向成长较快，形成织构特征。采用本方法将铁酸铋薄膜太阳电池中的铁酸铋薄膜形成织构特征从而得到具有织构特征的铁酸铋薄膜太阳能电池。
制备铁酸铋薄膜装置方法太阳能电池

[发明专利]一种氮化镓基铁酸铋铁电薄膜及其制备方法-CN201610518884.9在审
发明人：李效民;徐雷雷;高相东;朱秋香 -专利权人：中国科学院上海硅酸盐研究所
申请日： 2016-07-04 - 公布日： 2016-11-16 - 主分类号： H01L41/18 文献下载
摘要：本发明涉及一种氮化镓基铁酸铋铁电薄膜及其制备方法，所述氮化镓基铁酸铋铁电薄膜由通过脉冲激光沉积技术依次形成在氮化镓半导体薄膜衬底上的TiO₂缓冲层、锰酸锶镧缓冲层以及铁酸铋铁电薄膜层构成本发明的有益结果是采用LSMO/TiO₂双缓冲层，减小了铁酸铋与氮化镓之间的晶格失配度，实现了铁酸铋铁电薄膜在氮化镓半导体薄膜上的外延生长，获得了（111）单一取向的铁酸铋薄膜，实现了铁酸铋铁电薄膜与氮化镓半导体的外延集成
一种氮化镓基铁酸铋铁电薄膜及其制备方法

[发明专利]铁酸铋膜材料、低温在硅基底上集成制备铁酸铋膜的方法及应用-CN202010285269.4有效
发明人：欧阳俊;牛淼淼;朱汉飞 -专利权人：欧阳俊
申请日： 2020-04-13 - 公布日： 2022-04-05 - 主分类号： H01L41/316 文献下载
摘要：本发明公开了铁酸铋膜材料、低温在硅基底上集成制备铁酸铋膜的方法及应用。其方法为：在300～400℃条件下，在基体表面由下向上依次磁控溅射底电极、缓冲层、铁酸铋膜，降低温度至室温，在铁酸铋膜表面磁控溅射顶电极，所述缓冲层的材质为能够与铁酸铋晶格匹配的钙钛矿结构的导电氧化物。本发明能够降低制备铁酸铋膜材料的温度至450℃以下，且该铁酸铋膜材料具有较高的极化强度。
铁酸铋膜材料低温基底集成制备方法应用

[发明专利]一种坩埚及用其制备具有织构特征的铁酸铋靶材的方法-CN201510374891.1有效
发明人：符春林;高荣礼;蔡苇;陈刚;邓小玲 -专利权人：重庆科技学院
申请日： 2015-06-30 - 公布日： 2017-04-19 - 主分类号： F27B14/10 文献下载
摘要：本发明公开了一种坩埚、用其制备具有织构特征的铁酸铋靶材的方法，该坩埚包含坩埚体和坩埚盖，主要在于在坩埚体的侧壁上对称开设有两个相同的孔。利用传统方法制备铁酸铋粉末并把粉末进行压型得到铁酸铋块，使用本发明的坩埚烧结铁酸铋块，将铁酸铋块放入该坩埚体中，使坩埚体侧壁上两孔的中心线穿过铁酸铋块，盖上坩埚盖，将坩埚置入微波马弗炉中烧结，铁酸铋块的晶粒在坩埚体侧壁上的两个孔中心线的方向生长较快，具有固定的取向，形成织构，即得到具有织构的铁酸铋靶材。本发明的坩埚结构简单，利用该坩埚对铁酸铋块实现定向烧结，从而获得有织构的铁酸铋靶材，方法简单。
一种坩埚制备具有特征铁酸铋靶材方法

[发明专利]钒酸铋/铁酸铋异质结薄膜太阳能电池的制备方法-CN201310034116.2有效
发明人：郭益平;董文;刘河洲;李华;陶文燕;康红梅 -专利权人：上海交通大学
申请日： 2013-01-29 - 公布日： 2013-05-01 - 主分类号： H01L31/20 文献下载
摘要：本发明涉及在玻璃基板上制备钒酸铋/铁酸铋异质结薄膜太阳能电池的方法，选择FTO导电玻璃作为基底，通过化学溶液沉积法制备钙钛矿结构钒酸铋/铁酸铋异质结薄膜，然后通过物理溅射法在薄膜上制备上电极得到太阳能电池利用超薄铁酸铋层能够提高钒酸铋薄膜的光伏效应并使其光伏效应进行反转。本发明能够以低的成本在玻璃基板上制备出一致性高，重复性好的钒酸铋/铁酸铋异质结薄膜。所制备的异质结薄膜不仅具有优越的光伏特性且其二极管方向和单纯钒酸铋薄膜二极管方向相反，这些优越的特性可使超薄铁酸铋铁电薄膜及类似钒酸铋/铁酸铋异质结薄膜在太阳能电池及光电器件领域有广阔的应用前景。
钒酸铋铁酸铋异质结薄膜太阳能电池制备方法

[发明专利]一种铒掺杂铁酸铋多铁材料及其制备方法-CN201210581409.8无效
发明人：侯志灵;周海峰;曹茂盛;金海波;孔令宝 -专利权人：北京化工大学
申请日： 2012-12-28 - 公布日： 2013-04-03 - 主分类号： C01G49/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种铒掺杂铁酸铋多铁材料及其制备方法，该铒掺杂铁酸铋多铁材料的化学式为Bi1-xErxFeO3，0＜x≤0.15。本发明提供的铒掺杂铁酸铋多铁材料的磁性较铁酸铋材料的磁性显著增强。
一种掺杂铁酸铋多铁材料及其制备方法

[发明专利]一种多孔铁酸铋光催化可再生吸附剂的制备方法-CN201710466619.5有效
发明人：曲阳;焦爽;王滨松 -专利权人：黑龙江大学
申请日： 2017-06-21 - 公布日： 2019-09-10 - 主分类号： B01J20/02 文献下载
摘要：一种多孔铁酸铋光催化可再生吸附剂的制备方法，它涉及一种可再生吸附剂的制备方法。本发明的目的是要解决现有铁酸铋纳米粉体在可见光下对染料不具备较强的吸附能力，需要通过复杂的实验过程改变铁酸铋纳米粉体的形貌，限制了铁酸铋光催化吸附剂的大规模应用的问题。方法：一、制备铁酸铋前驱体溶液；二、将饼干碎块浸泡在铁酸铋前驱体溶液中，再温至600℃～800℃，再在温度为600℃～800℃下煅烧2h～4h，得到多孔铁酸铋光催化可再生吸附剂，本发明采用模板法合成多孔铁酸铋光催化可再生吸附剂本发明适用于制备多孔铁酸铋光催化可再生吸附剂。
一种多孔铁酸铋光催化再生吸附剂制备方法

[发明专利]多层同质生长铁酸铋薄膜材料及其制备方法-CN201310646917.4有效
发明人：严胡睿;周文亮;杨平雄;褚君浩 -专利权人：华东师范大学
申请日： 2013-12-04 - 公布日： 2014-03-26 - 主分类号： C23C14/06 文献下载
摘要：本发明公开了多层同质生长铁酸铋薄膜材料，包括底电极和铁酸铋薄膜，所述底电极是镍酸镧薄膜，所述铁酸铋薄膜溅射生长在所述底电极上。本发明还公开了多层同质生长铁酸铋薄膜材料的制备方法，用磁控溅射法在硅基片上制备所述底电极，采用固相法制备铁酸铋薄膜；在底电极上溅射一层所述铁酸铋薄膜，然后快速退火，重复以上溅射过程6-8次；最后慢退火处理，得到所述多层同质生长铁酸铋薄膜材料。本发明得到的铁酸铋薄膜均匀性好、纯度高、致密性好，表面性质明显改善。本发明方法利用磁控溅射法可控性强，易于操控，可以精确控制薄膜的厚度。
多层同质生长铁酸铋薄膜材料及其制备方法

[发明专利]一种钬掺杂铁酸铋多铁材料及其制备方法-CN201110287561.0无效
发明人：侯志灵;周海峰;孔令宝 -专利权人：北京化工大学
申请日： 2011-09-26 - 公布日： 2012-05-09 - 主分类号： C01G49/00 文献下载
摘要：本发明提供一种钬掺杂铁酸铋多铁材料，该钬掺杂铁酸铋多铁材料的化学式为Bi1-xHoxFeO3，0＜x≤0.15。本发明还提供所述钬掺杂铁酸铋多铁材料的制备方法。本发明提供的钬掺杂铁酸铋多铁材料的磁性较铁酸铋材料的磁性显著增强。本发明提供的掺钬铁酸铋多铁材料的结晶质量稳定，在信息存储、卫星通讯、精密控制、高压输电线路测量、磁电传感器、吸波隐身材料等领域具有很好的应用前景。本发明提供的钬掺杂铁酸铋多铁材料的制备方法具有设备简单、无污染、制备工艺简单、工艺条件容易控制、产量高、适合批量生产等优点。
一种掺杂铁酸铋多铁材料及其制备方法

[发明专利]一种纯相纳米晶钇掺杂铁酸铋的制备方法-CN201910383716.7在审
发明人：王冠琦;王海旺;李元铭;吴正杰;马源;张煜垲;胡鹏程;魏新芳 -专利权人：东北大学秦皇岛分校
申请日： 2019-05-08 - 公布日： 2019-07-12 - 主分类号： C01G49/00 文献下载
摘要：本发明属于钇掺杂铁酸铋的制备技术领域，公开一种纯相纳米晶钇掺杂铁酸铋的制备方法。本发明以氧化铁、氧化铋和氧化钇为原料，通过机械合金化法对上述原料进行高能球磨，得到非晶钇掺杂铁酸铋，再通过高温热处理的方法使非晶钇掺杂铁酸铋析出纯净的钇掺杂铁酸铋纳米晶结构。此方法所制备的钇掺杂铁酸铋具有良好的多铁性及优越的光催化效果。
铁酸铋钇掺杂纳米晶制备非晶机械合金化法制备技术领域高温热处理析出高能球磨光催化氧化铁氧化钇氧化铋铁性

[发明专利]铁酸铋/钛酸铋叠层结构电容及其制备方法-CN200710175793.0有效
发明人：谢丹;任天令;臧永圆;刘理天 -专利权人：清华大学
申请日： 2007-10-12 - 公布日： 2008-03-05 - 主分类号： H01L27/04 文献下载
摘要：本发明涉及铁酸铋/钛酸铋叠层结构电容及其制备方法，属于微电子新材料与器件技术领域，该电容包括：以硅为衬底，在该衬底上依次结合有氧化层、下电极金属层、铁酸铋薄膜，以及上电极金属层；在所述下电极金属层与铁酸铋薄膜之间还结合有钛酸铋诱导层薄膜该方法由铁酸铋BFO和钛酸铋BXT前驱体溶胶的制备，以及铁酸铋BFO/钛酸铋BXT叠层结构电容的制备三部分组成。本发明利用该方法制备出来的铁电电容具有优异的抗疲劳特性、较高的剩余极化强度(Pr)，较低的操作电压(Vc)，较好的介电特性，并能与CMOS工艺技术相兼容的特点，且在室温下能够正常工作，适用于新型高密度存储器以及集成铁电器件
铁酸铋钛酸铋叠层结构电容及其制备方法

[发明专利]一种铁酸铋/聚偏二氟乙烯‑三氟乙烯复合薄膜的制备方法-CN201710810770.6在审
发明人：徐玲芳;余天潮;冯星;王瑞龙;肖海波;杨昌平 -专利权人：湖北大学
申请日： 2017-09-11 - 公布日： 2017-12-15 - 主分类号： H01L43/12 文献下载
摘要：本发明属于多铁性薄膜技术领域，具体涉及一种铁酸铋/聚偏二氟乙烯‑三氟乙烯复合薄膜的制备方法，通过溶胶‑凝胶法制得铁酸铋粉末，然后将铁酸铋粉末和聚偏二氟乙烯‑三氟乙烯（PVDF‑TrFE）粉末按照一定的质量比溶解于本发明提供的铁酸铋/聚偏二氟乙烯‑三氟乙烯复合薄膜的制备方法不仅工艺可控性强，而且易于操作；将单相多铁材料铁酸铋和高分子铁电材料聚偏二氟乙烯‑三氟乙烯进行复合制得的铁酸铋/聚偏二氟乙烯‑三氟乙烯复合薄膜的漏电流密度减小了，有效的解决了单相多铁材料铁酸铋铁酸铋薄膜的漏电流较大的问题。
一种铁酸铋聚偏二氟乙烯复合薄膜制备方法

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