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[发明专利]一种113型和125型复合钙钛矿多级结构材料及其制备方法和应用-CN202110934626.X有效
发明人：赵高凌;李华正;韩高荣 -专利权人：浙江大学
申请日： 2021-08-16 - 公布日： 2022-06-07 - 主分类号： C01G21/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种113型和125型复合钙钛矿多级结构材料及其制备方法和应用，该复合钙钛矿多级结构材料包括113型钙钛矿纳米材料与125型钙钛矿纳米材料；113型钙钛矿纳米材料为纳米晶，125型钙钛矿纳米材料为纳米片，113型钙钛矿纳米材料嵌合在125型钙钛矿纳米材料中；113型钙钛矿纳米材料的结构分子式为CsPbX3，125型钙钛矿纳米材料的结构分子式为CsPb钙钛矿多级结构材料，由113型钙钛矿纳米晶嵌入125型钙钛矿纳米片中复合而成，具有高稳定性与载流子迁移距离长等优点，有望在光电探测器、太阳能电池以及LED等光电领域有着广泛的应用前景。
一种 113 125 复合钙钛矿多级结构材料及其制备方法应用

[发明专利]n-i结构钙钛矿基X光探测器及其制备方法-CN202110897195.4在审
发明人：薛冬峰;李云龙;王晓明 -专利权人：中国科学院深圳先进技术研究院
申请日： 2021-08-05 - 公布日： 2021-12-21 - 主分类号： H01L51/42 文献下载
摘要：本申请属于光电技术领域，尤其涉及一种n‑i结构钙钛矿基X光探测器及其制备方法。其中，n‑i结构钙钛矿基X光探测器包括叠层贴合设置的n型钙钛矿功能层和i型钙钛矿活性层；所述n型钙钛矿功能层中包含APbBr3钙钛矿材料，所述i型钙钛矿活性层中包含A’PbI3钙钛矿材料，其中，A和A’分别独立的选自碱金属离子或者有机铵离子。本申请提供的n‑i结构钙钛矿基X光探测器，器件结构简单，同时实现了高灵敏度、低检测限及较低的暗电流。
结构钙钛矿基探测器及其制备方法

[发明专利]一种钙钛矿uLED结构及其制备方法-CN202210146756.1在审
发明人：李青;刘世林;宋波;王昕;严仕凯;周建明;张晓兵;朱卓娅;赵志伟 -专利权人：东南大学
申请日： 2022-02-17 - 公布日： 2022-05-10 - 主分类号： H01L51/50 文献下载
摘要：本发明公开了一种钙钛矿uLED结构及其制备方法。本发明结构包括阳极、阴极、钙钛矿p型层、钙钛矿发光层、钙钛矿n型层。本发明制备方法包括首先围绕胶体量子点溶液法外延生长钙钛矿晶体，形成钙钛矿发光层，再将钙钛矿发光层用作衬底，在其上下两个端面分别生长外延层，并通过引入金属离子使上下两个外延层分别掺杂为p型层和n型层。在本发明提出的钙钛矿μLED器件中，电子和空穴在钙钛矿本征层中传输并注入量子点，而常规的量子点发光二极管电子和空穴是通过有机配位基注入量子点，功能层界面晶格不匹配，因此钙钛矿μLED电子和空穴的注入效率有很大提高
一种钙钛矿 uled 结构及其制备方法

[发明专利]一种含PN结结构的钙钛矿材料层的制备方法及应用-CN202310313418.7在审
发明人：刘家梁;李梦洁;赵志国;赵东明;秦校军;李新连;张赟;熊继光;伏丰义;夏渊 -专利权人：华能新能源股份有限公司;中国华能集团清洁能源技术研究院有限公司
申请日： 2023-03-28 - 公布日： 2023-07-18 - 主分类号： H10K71/12 文献下载
摘要：本申请提供了一种含PN结结构的钙钛矿材料层的制备方法及应用，该制备包括：采用第一溶质配制第一钙钛矿溶液，湿法成膜，进行退火处理，形成N型钙钛矿层；所述第一溶质包括N型掺杂材料和钙钛矿前驱体材料，所述钙钛矿前驱体材料为PbI2、CsI、MAI、FAI和PbBr2中的一种或多种；采用第二溶质配制第二钙钛矿溶液，湿法成膜，进行退火处理，形成P型钙钛矿层；所述第二溶质包括P型掺杂材料和所述钙钛矿前驱体材料；将所述N型钙钛矿层和所述P型钙钛矿层压合形成PN结，得到所述钙钛矿材料层。本发明通过“两步法”，掺杂分别形成P型和N型钙钛矿薄膜，然后层压法制备PN结，重掺杂的浓度高，利于在电池器件中应用。
一种 pn 结构钙钛矿材料制备方法应用

[发明专利]一种全无机无铅钙钛矿太阳能电池-CN201810745576.9在审
发明人：许吉林 -专利权人：东泰高科装备科技(北京)有限公司
申请日： 2018-07-09 - 公布日： 2020-01-17 - 主分类号： H01L31/072 文献下载
摘要：本发明涉及全无机无铅钙钛矿太阳能电池，其主要改进点为，所述钙钛矿光吸收层为采用无铅钛基双钙钛矿型化合物制备的层状结构，所述无铅钛基双钙钛矿型化合物的化学式为A
无铅光吸收层钙钛矿双钙钛矿型电池器件钛基无机金属化合物钙钛矿材料化合物制备空穴传输层稳定性问题太阳能电池层状结构含铅材料有效解决传统的铅回收无机铅匹配泄露电池替代改进

[发明专利]一种钙钛矿型太阳能电池及制备方法-CN201510960265.0有效
发明人：陈庆;曾军堂;叶任海;陈兵 -专利权人：永春新盛环保科技有限公司
申请日： 2015-12-21 - 公布日： 2017-12-05 - 主分类号： H01L51/46 文献下载
摘要：本发明公开了一种钙钛矿型太阳能电池及制备方法，所述钙钛矿型太阳能电池按照下述顺序由透明导电基底、致密电子传输层，复合吸光层和金属电极层组成，其中，所述复合吸光层是由钙钛矿包裹P 型半导体量子点的核壳结构组成由于本方案中钙钛矿太阳能电池的吸光层采用钙钛矿包裹量子点的核壳结构，钙钛矿与量子点充分接触，进而提高了量子点与钙钛矿结构层的接触面积，并且利用了钙钛矿可以作为空穴传输层的优势，提高光空穴分离的效率，从而提高电池的光电转换效率
一种钙钛矿型太阳能电池制备方法

[发明专利]基于碳对电极的钙钛矿型电池及其制备方法-CN201410049008.7无效
发明人：杨希川 -专利权人：大连七色光太阳能科技开发有限公司
申请日： 2014-02-13 - 公布日： 2014-07-30 - 主分类号： H01L31/0224 文献下载
摘要：本发明提供一种基于碳对电极的钙钛矿型电池及其制备方法，所述钙钛矿型电池包括平行、顺次连接的导电玻璃基底、TiO₂致密层、半导体纳米多孔薄膜、钙钛矿型吸光剂薄膜和导电碳薄膜。本发明所述基于碳对电极的钙钛矿型电池结构合理、紧凑，原料易得、成本低廉。本发明还提供了一种基于碳对电极的钙钛矿型电池的制备方法，该方法简单、易行，能实现基于碳对电极的钙钛矿型电池的工业化生产。
基于电极钙钛矿型电池及其制备方法

[发明专利]p-i-n结构钙钛矿基X光探测器及其制备方法-CN202110898450.7在审
发明人：薛冬峰;李云龙;王晓明 -专利权人：中国科学院深圳先进技术研究院
申请日： 2021-08-05 - 公布日： 2021-12-21 - 主分类号： H01L51/42 文献下载
摘要：本申请属于光电技术领域，尤其涉及一种p‑i‑n结构钙钛矿基X光探测器及其制备方法。其中，p‑i‑n结构钙钛矿基X光探测器，包括依次叠层贴合设置的p型功能层、钙钛矿活性层和n型功能层，其中，所述钙钛矿活性层包含化学通式为APbZ3的卤化物钙钛矿本申请提供的p‑i‑n结构钙钛矿基X光探测器，通过p型功能层、钙钛矿活性层和n型功能层的协同作用，可有效抑制器件暗电流，暗电流密度≤1nA/cm2，并且使钙钛矿基
结构钙钛矿基探测器及其制备方法

[发明专利]氧化物材料、其制造方法以及使用该氧化物材料的半导体元件-CN200610004826.0无效
发明人：木岛健;石原宏 -专利权人：夏普株式会社;东京工业大学校长代表的日本国
申请日： 2001-09-03 - 公布日： 2006-07-19 - 主分类号： C01B13/14 文献下载
摘要：本发明提供了在钙钛矿型或层状钙钛矿型晶格结构的氧化物中固溶含有选自Si、Ge、Sn的1种以上的IV族元素的催化物质的氧化物材料。该钙钛矿型或层状钙钛矿型晶格结构的氧化物材料在低温下可结晶化，能够维持或改善这些氧化物材料的特性。
氧化物材料制造方法以及使用半导体元件

[发明专利]氧化物材料、氧化物薄膜的制造方法以及使用该材料的元件-CN01817413.2无效
发明人：木岛健;石原宏 -专利权人：夏普株式会社;东京工业大学校长代表的日本国
申请日： 2001-09-03 - 公布日： 2004-01-21 - 主分类号： C01B13/14 文献下载
摘要：本发明提供了在钙钛矿型或层状钙钛矿型晶格结构的氧化物中固溶含有选自Si、Ge、Sn的1种以上的IV族元素的催化物质的氧化物材料。该钙钛矿型或层状钙钛矿型晶格结构的氧化物材料在低温下可结晶化，能够维持或改善这些氧化物材料的特性。
氧化物材料薄膜制造方法以及使用元件

[发明专利]穿插型钙钛矿太阳电池结构-CN202310449074.2在审
发明人：苏维燕;初文静;林俊良;林金锡;林金汉 -专利权人：常州亚玛顿股份有限公司
申请日： 2023-04-24 - 公布日： 2023-07-14 - 主分类号： H10K30/50 文献下载
摘要：本发明涉及钙钛矿太阳能电池技术领域，尤其涉及一种穿插型钙钛矿太阳电池结构，包括：依次层叠设置的基底层、空穴传输层、钙钛矿吸光层、电子传输层以及金属电极，钙钛矿吸光层中设有穿插结构，穿插结构和空穴传输层相接触，且穿插结构和空穴传输层的材质相同。本发明的穿插型钙钛矿太阳电池结构，提高电子传输效率，制备方法简单，有效提高生产效率。
穿插型钙钛矿太阳电池结构

[发明专利]负泊松比钙钛矿型薄膜材料及其制备方法-CN201611086729.0有效
发明人：陈朗;李晓文;黄传威 -专利权人：南方科技大学
申请日： 2016-11-30 - 公布日： 2020-04-03 - 主分类号： C23C14/08 文献下载
摘要：本发明涉及一种负泊松比钙钛矿型薄膜材料及其制备方法。该钙钛矿型薄膜材料的化学成分为BaTiO3，具有钙钛矿型ABO3的结构。经实验表明，这种钙钛矿型薄膜材料的泊松比为负数，是一种具有负泊松比特性的材料。
泊松比钙钛矿型薄膜材料及其制备方法

[发明专利]一种基于同质结界面交联的钙钛矿太阳电池及其制备方法-CN202210686256.7在审
发明人：李美成;黄浩;瞿树杰;蓝智能;崔鹏;闫路遥;王欣欣;杜淑贤;张强;杨莹莹;纪军;刘本玉;刘家梁 -专利权人：华北电力大学;华能集团技术创新中心有限公司
申请日： 2022-06-17 - 公布日： 2022-10-11 - 主分类号： H01L51/48 文献下载
摘要：本发明属于钙钛矿太阳电池技术领域。本发明提出了一种基于同质结界面交联的钙钛矿太阳电池及其制备方法，所述太阳电池结构自下而上依次为：FTO基底、n型钙钛矿层、分子交联层、p型钙钛矿层、金属电极。所述制备方法中，采用热压处理诱导界面重结晶交联，制备钙钛矿同质结，以提高钙钛矿同质结的质量；同时，在钙钛矿同质结界面引入交联结构，钝化界面缺陷，减少光生载流子损失，从而提升无电荷传输层的钙钛矿同质结太阳电池的光电转换效率
一种基于同质界面交联钙钛矿太阳电池及其制备方法

[发明专利]一种钙钛矿/氧化锌异质结构发光材料及其制备方法-CN202110403850.6有效
发明人：徐庶;张璐璐;刘懿萱;耿翀 -专利权人：河北工业大学
申请日： 2021-04-15 - 公布日： 2023-06-23 - 主分类号： C09K11/02 文献下载
摘要：本发明为一种钙钛矿/氧化锌异质结构发光材料及其制备方法，该发光材料包括钙钛矿纳米晶和包覆在钙钛矿纳米晶表面的氧化锌。通过有机锌与修饰有机羧酸根配体的钙钛矿相结合在钙钛矿表面形成氧化锌过渡层，再结合氧源反应逐步生长形成钙钛矿/氧化锌异质结构。钙钛矿/氧化锌II型异质结构纳米晶材料波长调控步长1nm，能获得近紫外、可见光、到近红外光谱连续可调，且稳定的钙钛矿纳米晶。所制备的钙钛矿/氧化锌异质结构纳米晶较传统I基以及Br/I混杂的黄、橙和红光钙钛矿纳米晶的稳定性得到较大提升。
一种钙钛矿氧化锌结构发光材料及其制备方法

[发明专利]基于钙钛矿完全结构重组制备过渡金属羟基氧化物的方法-CN202310400056.5在审
发明人：吴家刚;王晓鹏;吴超;唐颖;邹安琪 -专利权人：四川大学
申请日： 2023-04-14 - 公布日： 2023-07-07 - 主分类号： C01G51/04 文献下载
摘要：本发明涉及催化剂技术领域，具体涉及基于钙钛矿完全结构重组制备过渡金属羟基氧化物的方法。该方法包括：将钙钛矿型催化剂充分研磨为钙钛矿粉体；以及将钙钛矿粉体分散于溶剂中，在100‑200℃下加热处理2‑12h，实现钙钛矿型催化剂的完全结构重组；其中，所述溶剂为去离子水、乙二醇、或去离子水与乙二醇的混合溶剂本发明通过在特定溶剂中简单水/溶剂热处理钙钛矿催化剂粉体，实现特定组分的钙钛矿型催化剂完全结构重组为过渡金属羟基氧化物，经过重构后得到的过渡金属羟基氧化物具有更为优异的析氧催化活性。同时，可通过在钙钛矿结构中预先引入掺杂元素，通过完全结构重组实现在过渡金属羟基氧化物中均匀的元素掺杂。
基于钙钛矿完全结构重组制备过渡金属羟基氧化物方法

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