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[发明专利]易除液相源残留的单畴钆钡铜氧超导块材的制备方法-CN201610693560.9有效
发明人：杨万民;杨芃焘 -专利权人：陕西师范大学
申请日： 2016-08-19 - 公布日： 2018-09-28 - 主分类号： C30B29/22 文献下载
摘要：本发明属于高温铜氧化物超导材料技术领域，具体涉及一种易除液相源残留的单畴钆钡铜氧超导块材的制备方法。本发明的方法包括配制固相源粉、配制液相源粉、压制固相先驱块、压制含有圆孔的液相源先驱块、压制Y2O3圆柱形支柱、压制Yb2O3支撑块、制备钕钡铜氧籽晶、装配先驱块、熔渗生长单畴钆钡铜氧块材、渗氧处理步骤本发明了提供了一种装配先驱块的新技术，既能实现液相源先驱块中液相的熔渗，又能保证单畴钆钡铜氧超导块材的生长，同时又能极易实现已生长单畴钆钡铜氧超导块材与液相源残留块的分离；不仅大大简化了对液相源残留块的后续切除加工过程，也避免了已生长单畴钆钡铜氧超导块材在分离过程中被破坏的可能性。
液相源残留单畴钆钡铜氧超导及其制备方法

[发明专利]一种二次单畴化生长钆钡铜氧超导块材的方法-CN202010917730.3在审
发明人：王妙;王小梅;杨万民;冯忠岭 -专利权人：西安航空学院
申请日： 2020-09-03 - 公布日： 2020-12-25 - 主分类号： C30B29/22 文献下载
摘要：本发明公开了一种二次单畴化生长钆钡铜氧超导块材的方法，通过将废弃钆钡铜氧超导块材表面磨平抛光做为固相源坯块，采用顶部籽晶熔渗生长法，固相源坯块在籽晶的作用下重新诱导液相源进行二次单畴化生长。本发明整个过程中仅需要固态反应制备BaCuO2粉，简化了实验环节，最大程度上降低了钆钡铜氧超导块材的制备成本，对于钆钡铜氧高温超导块材今后的发展应用有着重大影响本发明还可用于制备Yb、Y、Sm、Nd、Eu等其他系列的高温超导块材。
一种二次化生长钆钡铜氧超导方法

[发明专利]基于浓度梯度的固相源制备高性能单畴钆钡铜氧超导块材的方法-CN201810059617.9有效
发明人：王妙;王小梅;高平;杨万民 -专利权人：西安航空学院
申请日： 2018-01-22 - 公布日： 2019-05-14 - 主分类号： H01B13/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于浓度梯度的固相源制备高性能单畴钆钡铜氧超导块材的方法，采用顶部籽晶熔渗生长法，通过具有浓度梯度的固相先驱块在径向上存在的温度梯度，使钆钡铜氧超导块材在生长的过程中有效地抑制了Gd/Ba替换，提高了材料的超导性能。本发明整个过程中仅需要固态反应制备BaCuO₂粉，简化了实验环节，提高了制备效率，降低了制备成本，达到了制备大尺寸、高性能单畴钆钡铜氧超导块材的目的。本发明可用于制备钆钡铜氧超导块材，也可用于制备Yb、Y、Sm、Nd、Eu等其他系列的高温超导块材。
制备单畴钆钡铜氧超导块材浓度梯度钆钡铜氧超导块制备高性能可用高温超导块材超导性能顶部籽晶固态反应实验环节温度梯度生长有效地熔渗替换

[发明专利]降低单畴钆钡铜氧超导块材成本的制备方法-CN201310304068.4有效
发明人：杨万民;王妙;李佳伟;杨志娟 -专利权人：陕西师范大学
申请日： 2013-07-18 - 公布日： 2013-11-20 - 主分类号： C04B35/45 文献下载
摘要：一种降低单畴钆钡铜氧超导块材成本的制备方法，采用顶部籽晶金属氧化物熔化生长(Top Seeded-Metal Oxides Melt Growth，简称TS-MOMG)方法制备单畴钆钡铜氧块材，将Gd2O3、无水BaO以及CuO三种金属氧化物，在高温状态下直接熔化反应，并在籽晶诱导下进行外延生长，完成单畴钆钡铜氧超导块材生长，整个熔化生长过程不需要烧结任何先驱粉体，在不降低超导块材性能的前提下，大大缩短了制备时间，简化了操作步骤，提高了超导块材的制备效率，降低了单畴超导块材的制备成本。本发明可用于制备钆钡铜氧超导块材，也可用于制备Yb、Y、Sm、Nd、Eu等其他系列的高温超导块材。
降低单畴钆钡铜氧超导成本制备方法

[发明专利]一种单籽晶小批量制备单畴钆钡铜氧超导块材的方法-CN202111402222.2在审
发明人：杨万民;武婷婷;申婷婷 -专利权人：陕西师范大学
申请日： 2021-11-19 - 公布日： 2022-03-18 - 主分类号： C30B29/22 文献下载
摘要：本发明提供了一种单籽晶小批量制备单畴钆钡铜氧GdBCO超导块材的方法，包括如下步骤：步骤一、配制固相源粉；步骤二、配制液相源粉；步骤三、压制固相先驱块；步骤四、压制液相源先驱块；步骤五、压制氧化钇Y2O3传输层；步骤六、压制支撑块；步骤七、压制固相圆柱形支柱过渡层；步骤八、制备钕钡铜氧籽晶；步骤九、装配先驱块；步骤十、渗氧处理；该单籽晶制备小批量的钆钡铜氧GdBCO超导块材，不仅大大提高了单个钕钡铜氧NdBCO籽晶的利用率，也提高了钆钡铜氧GdBCO超导块材的制备效率。
一种籽晶批量制备单畴钆钡铜氧超导方法

[发明专利]用熔渗法制备单畴钆钡铜氧超导块材的方法-CN200910024034.3有效
发明人：杨万民;李国政 -专利权人：陕西师范大学
申请日： 2009-09-25 - 公布日： 2010-03-10 - 主分类号： C30B29/22 文献下载
摘要：一种用熔渗法制备单畴钆钡铜氧超导块材的方法，由配制Gd₂BaCuO₅先驱粉、配制液相源粉、压制Gd₂BaCuO₅先驱块和液相块、压制支撑块、装配先驱块、熔渗生长单畴钆钡铜氧块材、渗氧处理步骤组成。本发明采用顶部籽晶熔渗生长法，通过改变液相块所用液相源粉的成分，使得整个熔渗生长过程仅需Gd₂BaCuO₅和BaCuO₂两种先驱粉，简化了实验环节采用了Yb₂O₃制备支撑块，在钆钡铜氧块材的慢冷生长过程中，稳定地支撑上面的两个坯块，阻止液相的流失。本发明可用于制备钆钡铜氧超导块材，也可用于制备Y、Sm、Nd、Eu等其他系列的高温超导块材。
用熔渗法制备单畴钆钡铜氧超导方法

[发明专利]一种化学溶液法制备钆钡铜氧高温超导薄膜的方法-CN201210069257.3有效
发明人：陈源清;钱大强;赵万富 -专利权人：江苏天诚线缆集团有限公司;西安理工大学
申请日： 2012-03-15 - 公布日： 2012-07-25 - 主分类号： C04B35/45 文献下载
摘要：本发明公开了一种化学溶液法制备钆钡铜氧高温超导薄膜的方法，先制备低氟钆钡铜氧溶液，该溶液采用氧化钆或醋酸钆、醋酸钡、醋酸铜作为起始原料，并采用络合剂，将起始原料溶于溶剂中形成钆钡铜氧含氟溶液，再进行凝胶薄膜的制备及干燥，最后对薄膜进行预处理和终处理，即得到GBCO高温超导薄膜。利用本发明提供的方法制备的薄膜表面光滑，具有良好的超导特性，且薄膜制备成本低、工艺简单且容易控制；热处理工艺周期大大缩短，其他方法制备的少氟钆钡铜氧溶液相比，氟含量更低，使得可以通过不到2小时的快速热处理即可完成薄膜的预处理
一种化学溶液法制备钆钡铜氧高温超导薄膜方法

[发明专利]一种化学溶液法制备钆钡铜氧高温超导薄膜的方法-CN201210015152.X有效
发明人：陈源清;赵高扬 -专利权人：西安理工大学
申请日： 2012-01-18 - 公布日： 2012-07-11 - 主分类号： H01L39/24 文献下载
摘要：本发明公开了一种化学溶液法制备钆钡铜氧高温超导薄膜的方法，先制备低氟钆钡铜氧溶液，该溶液采用氧化钆或醋酸钆、醋酸钡、醋酸铜作为起始原料，并采用络合剂，将起始原料溶于溶剂中形成钆钡铜氧低氟溶液，再进行凝胶薄膜的制备及干燥，最后对薄膜进行预处理和终处理，即得到GdBCO高温超导薄膜。利用本发明提供的方法制备的薄膜表面光滑，具有良好的超导特性，且薄膜制备成本低、工艺简单且容易控制；热处理工艺周期大大缩短，其他方法制备的少氟钆钡铜氧溶液相比，氟含量更低，使得可以通过不到2小时的快速热处理即可完成薄膜的预处理
一种化学溶液法制备钆钡铜氧高温超导薄膜方法

[实用新型]超导微波滤波器-CN91218254.7无效
发明人：曹效能;杨彩炳;方希曾;施雁阳 -专利权人：中国科学院电子学研究所
申请日： 1991-07-18 - 公布日： 1992-05-27 - 主分类号： H01P1/20 文献下载
摘要：一种超导微波滤波器在氧化锆衬底1上沉积有钆钡铜氧模2，所说的钆钡铜氧模2制成切比雪夫型，单元之间为高低阻抗型，将钆钡铜氧模2悬空插入钩槽波导4内。本超导微波滤波器损耗小，色散小，图形线条宽，工艺简单，在0～2GHZ和0～4GHZ通带内，插入损耗分别为0.329db和0.507db。
超导微波滤波器

[发明专利]单畴钆钡铜氧超导块材的制备方法-CN200910024036.2有效
发明人：杨万民;李国政 -专利权人：陕西师范大学
申请日： 2009-09-25 - 公布日： 2010-03-10 - 主分类号： C30B29/22 文献下载
摘要：一种单畴钆钡铜氧超导块材的制备方法，由配制Gd₂BaCuO₅先驱粉、配制液相源粉、压制Gd₂BaCuO₅先驱块和液相块、压制支撑块、装配先驱块、熔渗生长单畴钆钡铜氧块材、渗氧处理步骤组成。本发明采用顶部籽晶熔渗生长法，通过改变液相块所用液相源粉的成分，使得熔渗生长过程仅需Gd₂BaCuO₅和BaCuO₂两种先驱粉，简化了实验环节采用Y₂O₃制备液相源粉，提高了液相源粉的利用率，采用了Yb₂O₃制备支撑块，在钆钡铜氧块材的慢冷生长过程中，稳定地支撑上面的两个坯块本发明可用于制备钆钡铜氧超导块材，也可用于制备Y、Sm、Nd、Eu等其他系列的高温超导块材。
单畴钆钡铜氧超导制备方法

[发明专利]一种通过多籽晶分层诱导制备织构GdBCO超导块材的熔渗生长法-CN202211610659.X在审
发明人：杨万民;崔艳兰;晏雪雪 -专利权人：陕西师范大学
申请日： 2022-12-12 - 公布日： 2023-08-18 - 主分类号： C30B11/14 文献下载
摘要：本发明提供了一种通过多籽晶分层诱导制备织构GdBCO超导块材的熔渗生长法，包括如下步骤：首先制备籽晶、传输层、固相先驱块、液相先驱块、支撑块，其中固相先驱块内部设有籽晶；然后装配坯体，装配完成后，采用熔渗生长法，通过多籽晶分层诱导生长GdBCO织构块材；最后对多籽晶诱导生长织构钆钡铜氧块材渗氧处理，之后得到多籽晶诱导生长的织构钆钡铜氧超导块材。本发明提供的这种制备方法进一步缩短了大尺寸织构GdBCO超导块材的制备时间，提高了样品的机械强度、超导性能及其均匀性。
一种通过籽晶分层诱导制备 gdbco 超导生长

[发明专利]简化制备单畴YBCO超导块材的方法-CN201310303997.3有效
发明人：杨万民;李佳伟;蒲茹;杨志娟;王妙;马斌;李哲;刘赢;杨媚 -专利权人：陕西师范大学
申请日： 2013-07-18 - 公布日： 2013-11-20 - 主分类号： C04B35/45 文献下载
摘要：一种简化制备单畴YBCO超导块材的方法，采用顶部籽晶金属氧化物熔化生长(Top Seeded–Metal Oxides Melt Growth，简称TS-MOMG)方法制备单畴YBCO块材，直接采用Y2O3、BaO以及CuO三种金属氧化物，在晶体生长的升温阶段通过固相反应自行合成YBa2Cu3O7-δ和Y2BaCuO5，在随后的降温过程中，在籽晶诱导下进行外延生长织构长成单畴块材。本发明在整个超导块材生长过程中不用单独合成YBa2Cu3O7-δ和Y2BaCuO5两种先驱粉体，而是将先驱粉体的合成与单畴块材的生长两个环节综合在一个热处理过程中，简化了工艺步骤，节约了时间和能源。本发明可用于制备YBCO超导块材，也可用于制备同一系列的其他高温超导块材，如：钆钡铜氧、钐钡铜氧、钕钡铜氧、镱钡铜氧等。
简化制备 ybco 超导方法

[发明专利]一种钆钡铜氧薄膜的制备方法-CN201510308871.4在审
发明人：涂溶;郑顶恒;章嵩;可望;汪婷;张联盟 -专利权人：武汉理工大学
申请日： 2015-06-08 - 公布日： 2015-08-26 - 主分类号： C23C16/40 文献下载
摘要：本发明涉及一种钆钡铜氧薄膜的制备方法，包括以下步骤：1)将基板置于化学气相沉积反应室内的基板座上，并将反应室抽至真空状态；2)称取适量的三(2,2,6,6-四甲基-3,5-庚二酮酸)钆，双(2,2,6,6-四甲基-3,5-庚二酮酸)钡和双(2,2,6,6-四甲基-3,5-庚二酮酸)铜，置于原料罐中；3)将基板加热，控制原料罐的温度；4)将先驱体原料以及氧化气通入反应室内；5)待反应时间结束后停止加热，将基板冷却至室温与现有技术相比，本发明的有益效果是：1)实现了钆钡铜氧薄膜的快速制备，提高了生产效率；2)提高钆钡铜氧薄膜的超导性能，为其应用提供相应的理论基础。
一种钆钡铜氧薄膜制备方法

[发明专利]一种钴掺杂钆钡铜氧超导薄膜的制备方法-CN201110269278.5无效
发明人：王文涛;赵勇;杨新福;蒲明华;张勇 -专利权人：西南交通大学
申请日： 2011-09-13 - 公布日： 2012-04-25 - 主分类号： C04B35/45 文献下载
摘要：一种钴掺杂钆钡铜氧超导薄膜的制备方法，其具体作法是：a、无氟前驱溶液制备：将乙酸钆、乙酸钡、乙酸铜及乙酸钴，按钆∶钡∶铜∶钴的化学计量比1∶2∶3-X∶X，0.0003≤X≤0.008的比例溶解于丙酸中该方法成本低廉、工艺简单，对环境无污染，适合于大规模工业化生产；该方法制得的Co掺杂的GdBCO超导薄膜具有高度双轴织构，表面平整、致密，在磁场下的临界电流密度高。
一种掺杂钆钡铜氧超导薄膜制备方法

[发明专利]一种利用顶部-内部籽晶熔渗生长法制备钇钡铜氧超导块材的方法-CN202211600690.5在审
发明人：杨万民;阿卜力孜·阿卜来提 -专利权人：陕西师范大学
申请日： 2022-12-12 - 公布日： 2023-07-07 - 主分类号： C30B1/12 文献下载
摘要：本发明提供了一种利用顶部‑内部籽晶熔渗生长法制备织构钇钡铜氧超导块材的方法，包括如下重要步骤：制备籽晶、固相先驱块(内部设置籽晶)、液相先驱块、支撑块，装配胚体；装配完成后，采用顶部‑内部籽晶熔渗生长方法制备织构钇钡铜氧块材；最后对织构钇钡铜氧块材进行渗氧处理，渗氧处理后得到钇钡铜氧超导块材。本发明提供的方法除了进一步缩短大尺寸钇钡铜氧超导块材的制备时间，也可提高样品的机械强度、超导性能及其均匀性。
一种利用顶部内部籽晶生长法制备钇钡铜氧超导方法

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