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[发明专利]半导体装置及其制作方法-CN202210864310.2在审
发明人：杨谨嘉;陈文斌;陈祖伟 -专利权人：友达光电股份有限公司
申请日： 2022-07-21 - 公布日： 2022-09-13 - 主分类号： H01L27/12 文献下载
摘要：一种半导体装置及其制作方法，半导体装置包括：基板、第一晶体管以及第二晶体管。第一晶体管设置于基板之上，且包括第一金属氧化物半导体层。第二晶体管设置于基板之上，且包括第二金属氧化物半导体层及第三金属氧化物半导体层。第三金属氧化物半导体层直接叠置于第二金属氧化物半导体层上。第二金属氧化物半导体层与第一金属氧化物半导体层属于相同膜层。第一金属氧化物半导体层的氧浓度低于第二金属氧化物半导体层的氧浓度，且第二金属氧化物半导体层的氧浓度低于第三金属氧化物半导体层的氧浓度。
半导体装置及其制作方法

[发明专利]P型差分式电场微传感器-CN200510040658.6无效
发明人：黄庆安;王立峰;秦明;茅盘松 -专利权人：东南大学
申请日： 2005-06-22 - 公布日： 2005-12-21 - 主分类号： G01R29/12 文献下载
摘要：N型差分式电场微传感器，由p沟道电场传感器、p沟道耗尽型金属氧化物半导体管、N型金属氧化物半导体管电流镜及P型金属氧化物半导体管组成，N型金属氧化物半导体管电流镜由2个N型金属氧化物半导体管组成，2个N型金属氧化物半导体管的源极相连并接地，其栅极互连并与一个N型金属氧化物半导体管的漏极连接且与p沟道电场传感器的漏极连接，另一N型金属氧化物半导体管的漏极与p沟道耗尽型金属氧化物半导体管的漏极连接且该节点作为输出端，p沟道电场传感器的源极与p沟道耗尽型金属氧化物半导体管的源极连接并与P型金属氧化物半导体管的漏极连接，P型金属氧化物半导体管的源极与电源相连，P型金属氧化物半导体管的栅极接偏置电压。
分式电场传感器

[发明专利]一种有源层结构、制造方法以及半导体器件-CN202310492020.4在审
发明人：陆磊;李潇;张盛东;王新炜 -专利权人：北京大学深圳研究生院
申请日： 2023-05-04 - 公布日： 2023-08-18 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：一种有源层结构、制造方法以及半导体器件，有源层结构包括：至少一层非晶金属氧化物半导体层以及至少一层多晶金属氧化物半导体层；非晶金属氧化物半导体层与多晶金属氧化物半导体层交替堆叠设置；其中，多晶金属氧化物半导体层的层数大于或等于非晶金属氧化物半导体层的层数本申请可以提高有源层的迁移率，有源层结构解决了非晶金属氧化物半导体材料迁移率不够高的问题，提升了非晶金属氧化物半导体材料迁移率的极限，提高非晶金属氧化物半导体器件的载流子迁移率。
一种有源结构制造方法以及半导体器件

[实用新型]半导体结构-CN200820001825.5有效
发明人：黄明源;纪丽红 -专利权人：普诚科技股份有限公司
申请日： 2008-01-09 - 公布日： 2008-10-29 - 主分类号： H01L27/088 文献下载
摘要：本实用新型提供一种半导体结构，该半导体结构包括一基底、一第一金属氧化物半导体、一第二金属氧化物半导体、一第一半导体区以及一第二半导体区。第一金属氧化物半导体以及第二金属氧化物半导体分别形成于该基底上。第一半导体区形成于该基底以及该第一金属氧化物半导体之间。第二半导体区形成于该基底以及该第二金属氧化物半导体之间。其中该第一半导体区以及该第二半导体区用以隔离该第一金属氧化物半导体以及该第二金属氧化物半导体。本实用新型所述的半导体结构可以防止产生闭锁。
半导体结构

[发明专利]高效能驱动电路-CN201110271989.6有效
发明人：徐光宇 -专利权人：笙科电子股份有限公司
申请日： 2011-09-09 - 公布日： 2013-03-06 - 主分类号： H02M1/08 文献下载
摘要：该高效能驱动电路包含第一P型金属氧化物半导体晶体管、第二P型金属氧化物半导体晶体管、第一N型金属氧化物半导体晶体管、第二N型金属氧化物半导体晶体管、电流源、第三N型金属氧化物半导体晶体管、第四N型金属氧化物半导体晶体管、第五N型金属氧化物半导体晶体管、第一电阻及第二电阻。该第一P型金属氧化物半导体晶体管根据第一控制信号以及该第一N型金属氧化物半导体晶体管根据第二控制信号，分别对该第一P型金属氧化物半导体晶体管的第三端充电和放电。因此，本发明不仅可通过该第一P型金属氧化物半导体晶体管的第三端的电位快速开启与关闭一第三P型金属氧化物半导体晶体管，且具有较高的效能。
高效能驱动电路

[发明专利]薄膜晶体管及其制作方法、显示基板、显示装置-CN201611204738.5在审
发明人：杨维;宁策;胡合合;王珂 -专利权人：京东方科技集团股份有限公司
申请日： 2016-12-23 - 公布日： 2017-05-31 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：方法包括形成金属氧化物半导体图形，金属氧化物半导体图形包括第一金属氧化物半导体层和第二金属氧化物半导体层，第二金属氧化物半导体层位于第一金属氧化物半导体层上方；在金属氧化物半导体图形上沉积源漏金属层，对源漏金属层和第二金属氧化物半导体层进行刻蚀，形成薄膜晶体管的源电极、漏电极和有源层，有源层为利用第一刻蚀液去除源电极和漏电极之间的第二金属氧化物半导体层后得到，第一刻蚀液对第二金属氧化物半导体层进行刻蚀的速率大于对第一金属氧化物半导体层进行刻蚀的速率本发明能够提高金属氧化物薄膜晶体管的稳定性，保证显示装置的显示质量。
薄膜晶体管及其制作方法显示显示装置

[发明专利]高压P型横向双扩散金属氧化物半导体场效应管-CN201510003131.X有效
发明人：张广胜;张森;卞鹏;胡小龙 -专利权人：无锡华润上华科技有限公司
申请日： 2015-01-05 - 公布日： 2018-11-27 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明公开了一种高压P型横向双扩散金属氧化物半导体场效应管，包括衬底，还包括形成于衬底上的N型横向双扩散金属氧化物半导体场效应管，以及形成于N型横向双扩散金属氧化物半导体场效应管的漏极的P型金属氧化物半导体场效应管；P型金属氧化物半导体场效应管的栅极作为高压P型横向双扩散金属氧化物半导体场效应管的栅极；P型金属氧化物半导体场效应管的漏极作为高压P型横向双扩散金属氧化物半导体场效应管的漏极；N型横向双扩散金属氧化物半导体场效应管的源极作为高压P型横向双扩散金属氧化物半导体场效应管的源极。上述高压P型横向双扩散金属氧化物半导体场效应管的工艺简单且成本较低，并具有耐高压性能。
高压横向扩散金属氧化物半导体场效应

[发明专利]半导体结构及其形成方法-CN201210153882.6有效
发明人：柯志欣;陈宏玮;葛崇祜;李文钦 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2007-07-23 - 公布日： 2013-01-30 - 主分类号： H01L29/47 文献下载
摘要：本发明揭示一种半导体结构及其形成方法，该半导体结构包括半导体基底、N型金属氧化物半导体装置在上述半导体基底的表面，其中上述N型金属氧化物半导体装置具有与半导体基底具有肖特基接触的肖特基源极/漏极延伸区。上述一种半导体结构还包括P型金属氧化物半导体装置在上述半导体基底的上述表面，其中上述P型金属氧化物半导体装置具有源极/漏极延伸区，上述源极/漏极延伸区仅仅具有非金属材料。可为上述P型金属氧化物半导体装置与上述N型金属氧化物半导体装置二者，形成上述肖特基源极/漏极延伸区，其中将上述P型金属氧化物半导体装置形成于具有低价带的半导体层的上方，可减少上述P型金属氧化物半导体装置的肖特基势垒
半导体结构及其形成方法

[发明专利]一种金属氧化物半导体芯片电极焊盘及其制备方法-CN201210197011.4有效
发明人：梁怀均;袁英 -专利权人：安阳朗都电气有限公司
申请日： 2012-06-15 - 公布日： 2014-01-01 - 主分类号： H01L23/488 文献下载
摘要：一种金属氧化物半导体芯片电极焊盘，它包括金属氧化物半导体芯片，金属氧化物半导体芯片的两侧为电极焊盘材料共晶体层，电极焊盘材料共晶体层的外侧为电极焊盘；其中，电极焊盘材料共晶体层由金属氧化物半导体芯片材料与电极焊盘材料共同构成本发明金属氧化物半导体芯片与电极焊盘之间的共晶体层中减少了杂质，使金属氧化物半导体芯片的性能更稳定；去除了金属氧化物半导体芯片电极焊盘中的杂质、空洞和间隙，使金属氧化物半导体芯片在脉冲电流冲击下不会发生爆炸损坏，提高了金属氧化物半导体芯片的通流能力；减少了电极焊盘的加速氧化，提高了金属氧化物半导体芯片电极焊盘的可焊性。
一种金属氧化物半导体芯片电极及其制备方法

[发明专利]半导体器件、包括该半导体器件的半导体装置和电子设备-CN202111419151.7在审
发明人：许镇盛;文泰欢;裵鹤烈;南胜杰;金尚昱;李光熙 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2021-11-26 - 公布日： 2022-05-27 - 主分类号： H01L45/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种半导体器件、包括该半导体器件的半导体装置、以及包括该半导体器件的电子设备。该半导体装置包括多个半导体器件。半导体器件均在两个电极之间包括铁电层、导电金属氧化物层和半导体层。导电金属氧化物层可以在铁电层和半导体层之间。铁电层、导电金属氧化物层和半导体层可以都包括金属氧化物。导电金属氧化物层可以包括从由铟氧化物、锌氧化物、锡氧化物及其任意组合组成的组中选择的一种或更多种材料。
半导体器件包括半导体装置电子设备

[发明专利]半导体结构及其形成方法-CN200710136894.7有效
发明人：柯志欣;陈宏玮;葛崇祜;李文钦 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2007-07-23 - 公布日： 2008-08-13 - 主分类号： H01L27/092 文献下载
摘要：本发明揭示一种半导体结构及其形成方法，该半导体结构包括半导体基底、与N型金属氧化物半导体装置在上述半导体基底的表面，其中上述N型金属氧化物半导体装置具有肖特基源极/漏极延伸区。上述一种半导体结构还包括P型金属氧化物半导体装置在上述半导体基底的上述表面，其中上述P型金属氧化物半导体装置具有源极/漏极延伸区，上述源极/漏极延伸区仅仅具有非金属材料。可为上述P型金属氧化物半导体装置与上述N型金属氧化物半导体装置二者，形成上述肖特基源极/漏极延伸区，其中将上述P型金属氧化物半导体装置形成于具有低价带的半导体层的上方，可减少上述P型金属氧化物半导体装置的肖特基势垒
半导体结构及其形成方法

[发明专利]用以输出随工艺变异的驱动电流的输出级电路-CN201110130211.3有效
发明人：夏濬;杨皓然;徐静莹 -专利权人：钰创科技股份有限公司
申请日： 2011-05-17 - 公布日： 2012-02-15 - 主分类号： H03K19/094 文献下载
摘要：输出级电路包含第一P型金属氧化物半导体晶体管、第二P型金属氧化物半导体晶体管、N型金属氧化物半导体晶体管及电流源。该第一P型金属氧化物半导体晶体管的第三端的电位为第一电压减去该第一P型金属氧化物半导体晶体管的第一端与第二端之间的电压差，N型金属氧化物半导体晶体管耦接于第一P型金属氧化物半导体晶体管的第三端和电流源之间，第二P型金属氧化物半导体晶体管的第二端耦接于第一P型金属氧化物半导体晶体管的第三端。因此，当N型金属氧化物半导体晶体管的第二端接收升压信号时，流经第二P型金属氧化物半导体晶体管的驱动电流对应于第一P型金属氧化物半导体晶体管的第三端的电位。
用以输出工艺变异驱动电流电路

[发明专利]半导体材料及包含其的半导体结构-CN202210992574.6在审
发明人：蔡明志 -专利权人：新唐科技股份有限公司
申请日： 2022-08-18 - 公布日： 2023-10-10 - 主分类号： G01N27/12 文献下载
摘要：本申请提供一种半导体材料，所述半导体材料包括：金属；第一金属氧化物，包覆金属，其中第一金属氧化物为金属青铜类氧化物；第二金属氧化物，包覆第一金属氧化物；及另一第一金属氧化物，包覆第二金属氧化物。本申请更提供一种包含上述半导体材料的半导体结构。
半导体材料包含半导体结构

[发明专利]金属氧化物半导体层的结晶方法、半导体结构、主动阵列基板、及氧化铟镓锌晶体-CN201710061636.0有效
发明人：叶家宏;黄景亮 -专利权人：友达光电股份有限公司
申请日： 2017-01-26 - 公布日： 2019-12-03 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本发明提供金属氧化物半导体层的结晶方法、半导体结构、半导体结构的制作方法、主动阵列基板、及氧化铟镓锌晶体。结晶方法包含以下步骤：形成一非结晶金属氧化物半导体层于一基板上方；形成一氧化物层于非结晶金属氧化物半导体层上；形成一非晶硅层于氧化物层上；以及以一激光照射非晶硅层，以加热非晶硅层，受热的非晶硅层加热非结晶金属氧化物半导体层，使非结晶金属氧化物半导体层转变为一结晶化金属氧化物半导体层。
金属氧化物半导体结晶方法结构主动阵列氧化铟镓锌晶体

[发明专利]N型差分式电场微传感器-CN200510040660.3无效
发明人：黄庆安;王立峰;秦明;茅盘松 -专利权人：东南大学
申请日： 2005-06-22 - 公布日： 2006-01-11 - 主分类号： G01R29/12 文献下载
摘要：N型差分式电场微传感器，由n沟道电场传感器、n沟道耗尽型金属氧化物半导体管、P型金属氧化物半导体管电流镜及N型金属氧化物半导体管组成，P型金属氧化物半导体管电流镜由2个P型金属氧化物半导体管组成，2个P型金属氧化物半导体管的源极相连接并与电源相连接，其栅极互连并与一个P型金属氧化物半导体管的漏极连接且与n沟道电场传感器的漏极连接，另一P型金属氧化物半导体管的漏极与n沟道耗尽型MOS管的漏极连接且该节点作为输出端，n沟道电场传感器的源极与n沟道耗尽型MOS管的源极连接并与N型金属氧化物半导体管的漏极连接，N型金属氧化物半导体管的源极接地，N型金属氧化物半导体管的栅极接偏置电压。
分式电场传感器

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