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- [发明专利]一种分离膜污染控制与清洗方法-CN201210073826.1无效
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吕晓龙;苏雪梅
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天津工业大学
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2012-03-20
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2013-09-25
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B01D65/02
- 本发明提供一种分离膜污染控制与清洗方法,包括:在过滤循环系统中投加颗粒物作为微过滤介质,在膜组件的膜表面就地实现多孔疏松沉积层,通过颗粒物在分离膜表面的负载量和沉积密度,实现沉积层结构的主动控制;污水过滤后本发明针对对于超微滤膜或膜蒸馏系统,取消前级多介质过滤,设计一种微介质就地过滤过程。通过颗粒物多介质的助滤作用,提高系统的纳污能力,延缓膜污染,延长膜清洗周期,以期解决不同膜初始通量相差很大,但平衡通量相近、不能充分发挥膜效能的问题。通过颗粒物多介质粒径的选择,实现助滤层结构控制,将化工分离过程与膜材料表面污染层结构设计相结合,实现高通量的膜过滤过程。
- 一种分离污染控制清洗方法
- [发明专利]一种高速小片覆膜机-CN201210285826.8无效
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周军;徐地应;吴作云;杨振庭
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黄石瑞视光电技术股份有限公司
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2012-08-13
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2013-01-30
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B32B37/00
- 本发明涉及一种高速小片覆膜机,其特征在于,包括覆膜机平台、设置在覆膜机平台上的左定位支架和右定位支架、设置覆膜机平台上的上保护膜覆盖组件、设置在左定位支架和右定位支架之间的覆膜传动组件、设置在上保护膜覆盖组件下方位于覆膜机平台内的下保护膜覆盖组件、以及设置在覆膜机平台侧面的位于上保护膜覆盖组件旁的小粒覆膜分切平台。具有如下优点:可以根据生产节拍调整覆膜速度,防止覆膜瓶颈,提高生产效率;一体化设计方案,使作业高度最佳化、机台与作业平台的段差缩减为零,可以缓解作业疲劳简单的设计方式,减少了传统覆膜机的一些辅助结构,降低了覆膜机的制作成本,使保护膜在换装过程中更加简单化,降低换膜浪费时间。
- 一种高速小片覆膜机
- [发明专利]一种微通道膜进样装置-CN201110205948.7无效
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何坚
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厦门大学
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2011-07-21
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2011-12-28
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G01N1/34
- 一种微通道膜进样装置,涉及样品分析仪器的样品进样装置。提供一种主要与样品分析仪器配用,适合于气态或液态样品进样,能保证膜进样装置的强度,可大幅提高膜的实际工作表面积,提高膜的分离和富集效率的微通道膜进样装置。设有微通道膜、基片、托片、2根样品引入导管和1根采样导管;微通道膜表面设有双螺旋凹槽,基片覆盖于微通道膜表面,微通道膜与基片之间形成双螺旋通道,双螺旋通道中的其中1条螺旋通道的两端分别与2根样品引入导管一端连通,该条螺旋通道为进样通道,2根样品引入导管均露出基片,托片覆盖于微通道膜底面,双螺旋通道中的另1条螺旋通道与采样导管一端连通,该条螺旋通道为采样通道,采样导管露出托片。
- 一种通道膜进样装置
- [发明专利]一种分离膜制备方法-CN201010194185.6无效
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吕晓龙
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天津工业大学
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2010-06-08
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2011-12-14
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B01D71/36
- 一种聚四氟乙烯分离膜及其制备方法,其中铸膜液中包括聚四氟乙烯微粒、聚偏氟乙烯树脂、溶剂等成分,将铸膜液中的各种成分混合或分散均匀,然后进入凝固液体中,使铸膜液混合物中的聚偏氟乙烯附着在聚四氟乙烯微粒表面后再凝固,从而使聚四氟乙烯微粒被粘接,构成分离膜主体。本发明获得的聚四氟乙烯分离膜孔径大,而且本发明的方法克服了烧结法和热致相转移成膜法通常导致的膜表皮致密、表面开孔率低、加工温度高的缺点。由于采用聚偏氟乙烯树脂粘接聚四氟乙烯微粒,可以低温成形;并且可以在膜本体中添加亲水性有机高分子,可以获得亲水性分离膜。
- 一种分离制备方法
- [发明专利]绝缘膜的改性方法-CN201110303695.7无效
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大﨑良规;高桥哲朗;前川浩治
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东京毅力科创株式会社
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2011-09-29
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2012-05-09
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H01L21/28
- 抑制由从通过等离子体氮化处理所形成的氧化氮化硅膜的N脱落造成的膜中氮浓度的降低,将被处理体间、组间的氮浓度的波动降到最小限度。绝缘膜的改性方法中,进行对在被处理体的表面露出的氧化硅膜进行等离子体氮化处理,形成氧化氮化硅膜的氮化处理工序,和对上述氧化氮化硅膜的表面进行氧化处理的改性工序,从氮化处理工序结束到上述改性工序开始之间,另外,在将氮化处理工序刚结束后的氧化氮化硅膜的膜中氮浓度设为NC0、将改性工序后的氧化氮化硅膜的膜中氮浓度的目标值设为NCT时,进行等离子体氮化处理使得NC0>NCT。
- 绝缘改性方法
- [发明专利]嵌有半导体芯片的布线基片的制造方法-CN201110049762.7无效
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近藤贤司
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株式会社电装
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2011-02-28
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2011-10-12
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H05K3/30
- 对于含有第一膜(21b)的基片,其中在第一膜的表面上形成焊盘(31),由热塑性树脂制成的第二膜(22b)被热压着到所述基片的焊盘形成表面。在加压加热作用下,在熔化第二膜的同时在半导体芯片(50)上形成的柱凸起(52a)被填充进第二膜并被压焊到所述焊盘。熔化后的第二膜密封在半导体芯片和基片之间。然后,多个树脂膜(21a,21c,21d,22a,22c,22d)与基片和第二膜层叠在一起,形成层叠本体。在加压加热过程中,多个树脂膜、基片和第二膜同时结合在一起,于是所述柱凸起被接合到焊盘。
- 半导体芯片布线制造方法
- [发明专利]一种双层塑料保温大棚膜及其使用方法-CN201110056806.9无效
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马丛;马希祥
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马丛
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2011-03-01
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2011-09-21
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A01G9/14
- 本发明公开了一种双层塑料保温大棚膜,其中,双层塑料保温大棚膜的内部进一步设置有设置有若干间隔片,双层塑料保温大棚膜上进一步设置有充气阀,双层塑料保温大棚膜与若干间隔片之间设置有若干气室,气室与充气阀相连通双层塑料保温大棚膜上进一步设置有若干系带,系带与双层塑料保温大棚膜在制造时一体成型。双层塑料保温大棚膜的一端设置有左链,另一端设置有右链;左链或右链上进一步设置有拉链扣;左链、右链、拉链扣用于相邻两个双层塑料保温大棚膜的衔接固定。本发明结构简单,使用方便,重量轻盈,成本低廉,便于运输和铺设,大棚膜与大棚膜之间衔接简单便利的,在不改变现有保温大棚结构的前提下,即可进行安装改造。
- 一种双层塑料保温大棚及其使用方法
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