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[发明专利]一种基于MOS管的高重频、低功耗双开关栅控行波管调制器的实现方法-CN201110367107.6有效
发明人：崔海安;杨钰辉 -专利权人：中国船舶重工集团公司第七二四研究所
申请日： 2011-11-18 - 公布日： 2012-07-11 - 主分类号： H01J23/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种基于MOS管的高重频、低功耗双开关栅控行波管调制器的实现方法，在传统的双开关栅控调制器电路中，利用高频开关特性好的高反压MOS管作为开关器件，使得调制器在窄脉冲输出时有较好的脉冲前沿；改变了传统的通过“起始”、“截尾”开关管短时间直通形成“对拉”状态以减少栅调脉冲后沿时间的方式，极大地降低了调制器开关管上的损耗，使其在极高的重复频率下能稳定、可靠工作；单只高反压MOS管基本适应耐压要求，省去均压电路和隔离驱动电路使电路简化；设置了保护行波管电路，防止在“起始”开关管击穿时，正偏压一直加在行波管栅极上。本发明为实现高性能、低功耗的栅控调制器，研制高重频栅控行波管发射机提供了有效的技术途径。
一种基于 mos 高重频功耗双开关栅控行波调制器实现方法

[发明专利]感性负载电压脉宽调制磁性释放电路-CN201610523780.7有效
发明人：姜文耀;陶勇 -专利权人：浙江桃园科技有限公司
申请日： 2016-06-29 - 公布日： 2018-08-14 - 主分类号： H03K17/695 文献下载
摘要：本发明公开了一种感性负载电压脉宽调制磁性释放电路。包括输入保护整流电路和去磁主电路。去磁主电路，脉宽调制控制NMOS管M1、负载L1、续流二极管D6、去磁稳压二极管D8或电阻R3、自举升压电容C1、自举升压辅助二极管D7、自举升压电容充放电回路控制二极管D10(可去除)、分压电阻R1、分压电阻R2、脉宽调制阶段导通NMOS管M2(或三极管)、防NMOS管击穿稳压二极管D9(可去除)组成。本发明电路响应速度快，能满足现有的用电压脉宽调制来控制感性负载的响应速度；电路简单，电路成本低，适用范围广，可适用于各种用电压脉宽调制来控制感性负载的电路。
感性负载电压脉宽调制磁性释放电路

[实用新型]启动电路-CN201920187668.X有效
发明人：钟春林;周孝亮;朱俊高;肖洪;黄斌;黄和明;范勇;叶界明;李少科;孙递鸿 -专利权人：深圳莱福德科技股份有限公司
申请日： 2019-02-02 - 公布日： 2019-09-20 - 主分类号： H02H9/04 文献下载
摘要：本实用新型提供一种启动电路，包括输入电路、第一晶体管、第二晶体管、中央控制器及第三晶体管。输入电路接收电压输入端传送的脉冲宽度调制信号。第一晶体管接收输入电路传送的脉冲宽度调制信号并由截止状态转换为导通状态。第二晶体管接收第一晶体管传送的脉冲宽度调制信号并由截止状态转换为导通状态后。等电压端具有等电压信号。其中，当启动电路上电时，中央控制器根据等电压端的等电压信号调整脉冲宽度调制信号的占空比并传送至第三晶体管。本实用新型提供的启动电路，中央控制器可以根据等电压信号调整脉冲宽度调制信号的占空比并传送至第三晶体管，以防止第三晶体管在上电时发生损坏。
晶体管脉冲宽度调制信号等电压启动电路传送中央控制器本实用新型导通状态截止状态输入电路信号调整上电接收输入电路接收电压转换输入端

[实用新型]脉冲宽度调制复用电路-CN201922244549.6有效
发明人：李俊锴;敬仕林;张君明;郑丰周 -专利权人：珠海格力电器股份有限公司
申请日： 2019-12-13 - 公布日： 2020-06-02 - 主分类号： H03K7/08 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种脉冲宽度调制复用电路。该脉冲宽度调制复用电路包括三极管、场效应管和滤波电路，芯片的脉冲宽度调制信号端经过所述滤波电路连接所述三极管的基极，所述三极管的集电极与所述场效应管的栅极连接，所述场效应管的源极与供电电源连接，所述场效应管的漏极与电机供电线连接这种脉冲宽度调制复用电路通过电机PWM口与电机电源切断电路驱动口复用，实现低功耗的同时，不更改软件，不增加芯片资源。
脉冲宽度调制用电

[发明专利]半导体结构-CN201911052460.8在审
发明人：陈建宏 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2019-10-31 - 公布日： 2020-05-08 - 主分类号： H01L27/02 文献下载
摘要：本发明实施例公开包含具有不同阈值电压的晶体管的设备和电路以及其制造方法。在一个实例中，公开一种半导体结构。半导体结构包含衬底、有源层、极化调制层以及多个晶体管。有源层形成在衬底上方且包括多个有源部分。极化调制层包括多个极化调制部分，多个极化调制部分中的每一个设置于多个有源部分中的对应一个上。多个晶体管中的每一个包括源极区、漏极区以及形成于多个极化调制部分中的对应一个上的栅极结构。晶体管具有至少三个不同阈值电压。
半导体结构

[实用新型]麻辣烫自动调汤机-CN202222387136.5有效
发明人：王同现;陈原 -专利权人：山东厨舍记智能科技有限公司
申请日： 2022-09-05 - 公布日： 2023-01-03 - 主分类号： A47J43/044 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种麻辣烫自动调汤机，包括机架，机架上设有调制桶一和调制桶二，调制桶一和调制桶二内分别设有搅拌装置一和搅拌装置二，调制桶一和调制桶二的上部分别设有进水管一和进水管二，进水管一和进水管二均连接由电磁阀和流量计，调制桶一和调制桶二的底部均设有加热管，调制桶一的底部设有合汤管，合汤管上设有合汤泵，合汤管另一端与调制桶二连接，调制桶二底部连接有出汤管，本实用新型主要分为奶粉搅拌部分，用于打匀奶粉、搅拌出奶香；另一部分是汤料搅拌部分
麻辣烫自动调汤机

[发明专利]一种提高功放输出频谱纯度的方法-CN202010896511.1在审
发明人：顾颖言;夏达;孙引进;杨光 -专利权人：中国电子科技集团公司第十四研究所
申请日： 2020-08-31 - 公布日： 2020-12-04 - 主分类号： H03K3/012 文献下载
摘要：本发明公开了一种提高功放输出频谱纯度的方法，所述方法基于功放电路，所述功放电路由调制功放电路和功率管Q2构成，TTL调制脉冲和电压VCC经调制控制电路后输出调制电压至功率管Q2的漏极，射频输入脉冲通过功率管Q2的栅极输入，功率管Q2的源极接地，最终的射频输出功率通过功率管Q2的漏极输出；所述方法具体为：将功放TTL调制脉冲在射频输入脉冲打开之后打开且在射频输入脉冲关闭之前关闭。
一种提高功放输出频谱纯度方法

[实用新型]一种高功率二极管径向微波发生器-CN201922319171.1有效
发明人：宋词 -专利权人：宋词
申请日： 2019-12-20 - 公布日： 2020-05-26 - 主分类号： H01J25/00 文献下载
摘要：一种高功率二极管径向微波发生器，包括冷阴极场致发射二极管、电子束调制腔、振荡放大腔、微波发射腔和导引线圈，所述冷阴极场致发射二极管集成在所述微波发生器的轴心并沿所述轴心轴对称设置，所述电子束调制腔设置在所述冷阴极场致发射二极管阴极的外周并沿所述轴心轴对称设置，所述电子束调制腔的入口与所述冷阴极场致发射二极管阴极位置相对，所述振荡放大腔设在所述电子束调制腔的外周并与所述电子束调制腔的出口连通，所述微波发射腔设在所述振荡放大腔的尾端并平行所述轴心。
一种功率二极管径向微波发生器

[发明专利]一种污水处理的污泥调制系统和污泥调制方法-CN201510548312.0在审
发明人：许洪刚;邹星海;陈胜 -专利权人：张家港市清源水处理有限公司
申请日： 2015-08-31 - 公布日： 2015-11-18 - 主分类号： C02F11/14 文献下载
摘要：本发明公开了一种污水处理的污泥调制系统，包括污泥调制池，该污泥调制池上设置有污泥进入主管道和污泥送出管道，污泥送出管道上设置有出料污泥泵，该污泥送出管道连接于板式压滤机，污泥调制池上还设置有石灰水添加管和凝集剂添加管，污泥调制池内设置有搅拌装置，所述污泥调制池的污泥进入主管道与调节池的池底、初沉池的池底、二沉池的池底、生化池的池底分别通过相应的污泥分管道连通。该污泥调制系统能够将污泥快速调制，使板式压滤机的压滤时间缩短，泥饼的含水率下降。
一种污水处理污泥调制系统方法

[发明专利]一种应用新一代信息技术的家禽养殖防鸣叫管控系统-CN201710694127.1在审
发明人：不公告发明人 -专利权人：合肥裕亿农业技术开发有限公司
申请日： 2017-08-15 - 公布日： 2017-12-01 - 主分类号： H04L29/08 文献下载
摘要：本发明公开了一种应用新一代信息技术的家禽养殖防鸣叫管控系统，其特征在于，所述管控系统包括车辆与管理系统，所述管理系统包括监测装置与管理服务器；所述车辆包括调制模块、驱动电路与第一喇叭，所述调制模块与驱动电路连接，用于根据需要调制的信息控制驱动电路输出含调制信息的电流，所述驱动电路通过电流驱动第一喇叭发声，所述驱动电路的输出端与第一喇叭连接，用于通过含调制信息的电流驱动第一喇叭发声，所述第一喇叭用于根据含调制信息的电流发出含调制信息的声波，其中调制信息中包含车辆ID信息。
一种应用新一代信息技术家禽养殖鸣叫系统

[实用新型]一种污水处理的污泥调制系统-CN201520667049.2有效
发明人：许洪刚;邹星海;陈胜 -专利权人：张家港市清源水处理有限公司
申请日： 2015-08-31 - 公布日： 2016-01-13 - 主分类号： C02F11/14 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种污水处理的污泥调制系统，包括污泥调制池，该污泥调制池上设置有污泥进入主管道和污泥送出管道，污泥送出管道上设置有出料污泥泵，该污泥送出管道连接于板式压滤机，污泥调制池上还设置有石灰水添加管和凝集剂添加管，污泥调制池内设置有搅拌装置，所述污泥调制池的污泥进入主管道与调节池的池底、初沉池的池底、二沉池的池底、生化池的池底分别通过相应的污泥分管道连通。该污泥调制系统能够将污泥快速调制，使板式压滤机的压滤时间缩短，泥饼的含水率下降。
一种污水处理污泥调制系统

[发明专利]一种自保护阴控调制器-CN201610625303.1在审
发明人：季峰 -专利权人：无锡晶磊电子有限公司
申请日： 2016-08-02 - 公布日： 2016-12-21 - 主分类号： H02H3/20 文献下载
摘要：本发明公开了一种自保护阴控调制器，包括直流高压电源、储能电容、阴控脉冲调制开关、驱动保护电路以及阴控行波管；所述储能电容并联于直流高压电源的输出端口；所述阴控脉冲调制开关包括三个端口；所述储能电容的一端还连接有所述阴控脉冲调制开关的第一端口，所述阴控脉冲调制开关的第二端口连接所述驱动保护电路的一端，所述驱动保护电路的另一端接地；所述控脉冲调制开关的第三端口连接所述阴控行波管。所述阴控脉冲调制开关和储能电容之间还连接有限流电阻。本发明可保护昂贵的高压电源、阴控行波管以及高频开关，无需加撬棒管可实现更好更快速的保护整个电路系统。
一种保护调制器

[发明专利]半导体结构及其形成方法-CN201310321482.6有效
发明人： S·阿塞法;W·M·J·格林;M·H·哈提尔;Y·A·弗拉索夫 -专利权人：国际商业机器公司
申请日： 2013-07-29 - 公布日： 2014-02-12 - 主分类号： G02F1/015 文献下载
摘要：一种半导体结构包括在同一衬底上的光子调制器和场效应晶体管。该光子调制器包括调制器半导体结构和采用与场效应晶体管的栅极电极相同的半导体材料的半导体接触结构。所述调制器半导体结构包括横向p-n结，且所述半导体接触结构包括另一横向p-n结。为了形成该半导体结构，可以在半导体衬底中构图波导形状的调制器半导体结构和场效应晶体管的有源区。栅极电介质层形成在所述调制器半导体结构和所述有源区上，并且随后从所述调制器半导体结构上去除。沉积、用图形构图并掺杂半导体材料层以形成用于场效应晶体管的栅极电极和用于波导的半导体接触结构。
半导体结构及其形成方法

[发明专利]一种基于砷化镓二极管的太赫兹矢量调制器-CN202210401856.4有效
发明人：谷绍康;梁华杰;王兰;周天驰;杨自强;张雅鑫;杨梓强 -专利权人：电子科技大学长三角研究院（湖州）;壹新通信科技（浙江）有限责任公司
申请日： 2022-04-18 - 公布日： 2023-04-28 - 主分类号： H01Q3/28 文献下载
摘要：本发明提供了一种基于砷化镓二极管的太赫兹矢量调制器，以使得太赫兹矢量调制器能够实现对幅度和相位的同时精确控制，同时要求使用器件少、占用面积小、成本低。本发明公开了一种基于砷化镓二极管的太赫兹矢量调制器，包括矩形波导、芯片区空腔与太赫兹矢量调制芯片，所述矩形波导由输入波导与输出波导构成，所述输入波导与所述输出波导之间固设有所述芯片区空腔，所述芯片区空腔内放置有所述太赫兹矢量调制芯片，所述太赫兹矢量调制芯片由基底以及设置于基底上的金属结构构成，本装置采用简单式的双相调制器结构，这种结构能够很好的匹配二极管的寄生参数，能够让二极管的寄生参数对整体结构的不良影响减低到最小。
一种基于砷化镓二极管赫兹矢量调制器

[发明专利]用于调制饮料特别是调制酒以进行品尝的方法和设备-CN201480037745.3有效
发明人：蒂博·雅鲁斯;路易斯·达席尔瓦;热罗姆·帕凯 -专利权人： 10-芬饮公司
申请日： 2014-07-01 - 公布日： 2017-06-20 - 主分类号： B01F3/20 文献下载
摘要：本发明涉及一种用于调制饮料以供品尝的设备(1)，特别是调制酒，所述设备(1)包括液流管(2)，该液流管(2)配备有用于待调制饮料的至少一个供给入口(3)和用于分配调制的饮料的至少一个分配出口(4)。所述管(2)包括珀耳帖效应冷却和/或加热装置(5)和用于对管(2)内部充气的装置(6)，这些装置沿着管布置在所述管的分别被称为冷却和/或加热节段(7)和充气节段(8)的不同节段上。
用于调制饮料特别是进行品尝方法设备

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