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[发明专利]医疗器械物理气相沉积(PVD)表面涂层技术-CN201410104954.7无效
发明人：顾斌;陈晓琥 -专利权人：常州康鼎医疗器械有限公司
申请日： 2014-03-20 - 公布日： 2014-06-18 - 主分类号： C23C14/32 文献下载
摘要：本发明涉及医疗器械技术领域，尤其是一种医疗器械物理气相沉积(PVD)表面涂层技术，其步骤如下：对医疗器械依次进行清洗、粗抛光、粗研磨、精研磨、第一次清洗烘干、针对性处理、第二次清洗烘干和表面PVD涂层处理将医疗器械试样放入离子镀膜机中进行镀膜，离子镀膜机沉积温度为150℃～450℃，沉积时间为2～4小时，制备所需的镀层，然后放入真空炉进行真空冷却，冷却后出炉。本发明采用PVD技术对医疗器械进行处理应用，使得医疗器械产品不仅表面有很好的耐磨性、防腐性、硬度值、绿色环保性、膜层和基体的结合力，而且多种基体材料均适合，特别是有良好的生物相容性，对人体的环保无害。
医疗器械物理沉积 pvd 表面涂层技术

[发明专利]通过真空沉积技术以连续工艺活化电极表面-CN201080039017.8有效
发明人： A·L·安托齐;A·F·古洛;L·亚科佩蒂;G·N·马特利;E·拉姆尼;C·厄戈赫 -专利权人：德诺拉工业有限公司
申请日： 2010-09-02 - 公布日： 2012-05-30 - 主分类号： C23C14/56 文献下载
摘要：本发明涉及通过物理气相沉积技术通过在金属基材上连续沉积贵金属层来制造用于电解应用的金属电极的方法。
通过真空沉积技术连续工艺活化电极表面

[发明专利]离子液体沉积技术-CN200880102109.9无效
发明人： J·弗兰萨尔 -专利权人：勒芬天主教大学
申请日： 2008-07-25 - 公布日： 2010-08-11 - 主分类号： C23C18/16 文献下载
摘要：在真空中或在将离子液体暴露于真空后在保护性气氛下，从离子液体将材料电沉积或无电沉积至衬底的方法，以及所获得的材料。
离子液体沉积技术

[发明专利]原子层沉积技术-CN200780052552.5无效
发明人：维克拉姆·辛;哈勒德·M·波辛;艾德蒙德·J·温德;杰弗里·A·后普沃德;安东尼·雷诺 -专利权人：瓦里安半导体设备公司;东北大学
申请日： 2007-03-06 - 公布日： 2010-03-24 - 主分类号： C23C16/24 文献下载
摘要：揭示一种原子层沉积技术。在一个特定例示性实施例中，可通过用于原子层沉积的装置来实现此技术。所述装置可包括一处理腔室，其具有一用以固持至少一个基板的基板平台。所述装置亦可包括一前驱物质的供应源，其中前驱物质包括至少一种第一种类的原子以及至少一种第二种类的原子，且其中供应源提供前驱物质以使至少一个基板的表面饱和。所述装置可还包括至少一种第三种类的介稳态原子的等离子源，其中介稳态原子能够自至少一个基板的饱和表面脱附至少一种第二种类的原子以形成至少一种第一种类的一个或多个原子层。
原子沉积技术

[发明专利]使用离子注入表面改性催化无电沉积来沉积金属膜的技术-CN200780008808.2无效
发明人：彼得·D·纽南;由里·艾洛克海 -专利权人：瓦里安半导体设备公司
申请日： 2007-02-07 - 公布日： 2009-04-01 - 主分类号： C23C18/28 文献下载
摘要：本发明公开了一种使用离子注入表面改性来催化无电沉积以沉积金属膜(150)的技术。在一个特定示范性实施例中，此技术可被实现为一种用于沉积金属膜(150)的方法。此方法可包括在结构(100)上沉积催化材料，其中此结构(100)包括衬底(110)、在衬底(110)上的介电层(120)和在介电层(120)上的抗蚀剂层(130)，其中介电层(120)和抗蚀剂层(130此方法还可包括在此结构(100)的一或多个开口(140)中的催化材料上沉积金属膜(150)，以填充开口(140)。
使用离子注入表面改性催化沉积金属膜技术

[发明专利]一种脉冲反向电沉积厚钨涂层的方法-CN201510713233.0在审
发明人：江凡;邵绍峰;吴红艳 -专利权人：南京信息工程大学
申请日： 2015-10-28 - 公布日： 2015-12-30 - 主分类号： C25D3/66 文献下载
摘要：本发明公开了一种脉冲反向电沉积厚钨涂层的方法，包括以下步骤：预处理；熔盐配置；脉冲反向电沉积；超声清洗；本发明在提高电沉积效率的同时未改变钨涂层的表面质量，钨涂层的表面粗糙度得到控制，制得的厚钨涂层表面结构紧密，平整性好，无裂纹；采用了脉冲反向技术，与单相脉冲电沉积技术相比，反向电流引起高度不均匀的阳极电流分布会使镀层的凸出部分被强烈溶解而整平，使阴极表面金属离子浓度迅速回升，减小浓差极化，故本发明制备的钨涂层表面更加平整，电沉积效率增加。脉冲反向电沉积10h制得的钨涂层的厚度达到220μm，表面粗糙度为6.673μm；脉冲反向电沉积技术在提高电沉积速率的同时并没有降低涂层的表面质量。
一种脉冲反向沉积涂层方法

[发明专利]红光全无机杂化钙钛矿量子点墨水及其柔性发光二极管的制备方法-CN201710736125.4在审
发明人：李清华;纪丽珊;张虚谷;蒋杰;王凛烽;张青松;李丹阳;裴名卿 -专利权人：南昌航空大学
申请日： 2017-08-24 - 公布日： 2018-01-05 - 主分类号： H01L51/56 文献下载
摘要：本发明提供了一种红光全无机杂化钙钛矿量子点墨水及其柔性发光二极管的制备方法，本发明将包括一种钙钛矿量子点墨水的制备，包括将PEDOTPSS溶液通过旋涂均匀沉积到基底ITO表面，包括将Poly‑TPD溶液通过旋涂沉积到沉积好的PEDOTPSS薄膜表面，包括将红光全无机杂化钙钛矿量子点墨水通过喷墨印刷均匀沉积到沉积好的Poly‑TPD薄膜表面，包括将配置好的ZnO溶液通过喷墨印刷的均匀沉积到沉积好的红光全无机杂化钙钛矿量子点薄膜表面，包括将Al通过蒸镀沉积到沉积好的ZnO薄膜表面，得到量子点发光二极管。本发明采用喷墨打印技术、蒸镀技术、旋涂技术实现量子点发光二极管的制备。
红光无机杂化钙钛矿量子墨水及其柔性发光二极管制备方法

[发明专利]一种电化学预处理-原位电沉积方法-CN201910975503.3有效
发明人：朱增伟;沈春健;朱荻;马周;陶金 -专利权人：南京航空航天大学
申请日： 2019-10-14 - 公布日： 2021-02-05 - 主分类号： C25D5/34 文献下载
摘要：本发明属于电化学制造技术领域，尤其涉及一种电化学预处理‑原位电沉积方法。本发明将金属基体在预处理液中进行电化学预处理，得到预处理的金属基体；将所述预处理的金属基体表面保持在预处理液中的浸润状态，置入电沉积溶液中进行电沉积，得到金属‑电沉积层。本发明采用表面电化学预处理‑原位电沉积技术，先对基体表面进行电化学预处理，然后采用原位技术维持预处理后基体表面状态，直接进入电沉积过程进行电沉积层生长，能显著提高电沉积层与基体的结合强度，其结合强度甚至可以高于基体的抗拉强度
一种电化学预处理原位沉积方法

[发明专利]在铜及其合金表面等离子体液相电解沉积陶瓷膜的方法-CN200810064329.9有效
发明人：姜兆华;姚忠平;王云龙 -专利权人：哈尔滨工业大学
申请日： 2008-04-18 - 公布日： 2008-09-10 - 主分类号： C25D9/06 文献下载
摘要：在铜及其合金表面等离子体液相电解沉积陶瓷膜的方法，它涉及一种等离子体液相电解沉积陶瓷膜的方法。它克服了现有等离子体液相电解沉积技术不能对铜及其合金进行表面处理的技术偏见，解决了无法利用该技术在铜及其合金表面直接制备陶瓷膜的问题。方法步骤是：一、对铜及其合金的待反应表面进行清理，然后用聚四氟乙烯包裹露出反应面积，再放入电解液中作为阳极；二、以不锈钢为阴极，接通脉冲电源，均匀搅拌电解液，等离子体液相电解沉积，得到表面沉积陶瓷膜的铜及其合金本发明实现了铜及其合金表面的等离子体液相电解沉积陶瓷膜，克服了现有等离子体液相电解沉积技术不能对铜及其合金进行表面处理的技术偏见。
及其合金表面等离子体液电解沉积陶瓷膜方法

[发明专利]聚四氟乙烯分离膜表面改性的方法-CN201210304070.7有效
发明人：汪勇;许强 -专利权人：南京工业大学
申请日： 2012-08-23 - 公布日： 2012-11-14 - 主分类号： B01D71/36 文献下载
摘要：本发明涉及聚四氟乙烯分离膜表面改性的方法。首先使用等离子技术对PTFE膜表面进行活化，接着使用原子层沉积技术在分离膜孔道表面连续沉积氧化物薄层，实现了对分离膜孔径和表面性质的精密调控。本发明采用等离子体技术预处理，然后再进行原子层沉积，改变了沉积层在PTFE膜表面生长机理，使岛型生长变成保形生长，沉积层均匀、平滑，分离膜的亲水性、纯水通量、分离性能、抗污染能力均显著提高。
聚四氟乙烯分离表面改性方法

[发明专利]一种蒙脱土自组装沉积在固体表面的方法-CN201611203357.5在审
发明人：刘振东;李公让;张敬辉;武学芹;孙浩玉;卜凡康;明玉广;张守文 -专利权人：中石化石油工程技术服务有限公司;中石化胜利石油工程有限公司;中石化胜利石油工程有限公司钻井工艺研究院
申请日： 2016-12-23 - 公布日： 2018-07-03 - 主分类号： C04B41/52 文献下载
摘要：本发明提供一种蒙脱土自组装沉积在固体表面的方法，该方法利用自组装技术使蒙脱土在固体表面吸附沉积，并利用交联技术改变沉积膜性能，加强沉积膜在固体表面的沉积效果。本发明技术方案是：室温下，将固体薄片依次分别浸入聚合物溶液、蒙脱土悬浊液和戊二醛溶液中，进行交替吸附，每次浸渍吸附时间5min~10min，间隔中用去离子水清洗片状固体上未发生吸附的多余溶液，并用氮气吹干，交替侵渍20~200个循环后，即可在固体薄片表面得到蒙脱土沉积层。本发明具有以下优势：（1）本发明采用蒙脱土自组装沉积成膜，并通过交联作用，进一步加强了沉积层与固体的亲和性；（2）本发明可用于石油钻井井壁固化技术中，提高井壁强度。
蒙脱土沉积固体表面自组装吸附固体薄片沉积层沉积膜井壁浸渍聚合物溶液戊二醛溶液氮气吹干交联技术交联作用交替吸附片状固体去离子水石油钻井浸入亲和性悬浊液成膜可用固化清洗并用

[发明专利]原子层沉积光刻技术-CN201380009300.X无效
发明人： B·吴;A·库玛;O·那拉玛苏 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2013-01-24 - 公布日： 2014-10-22 - 主分类号： H01L21/027 文献下载
摘要：在本揭示案中提供执行原子层沉积光刻工艺的方法与设备。在一个实施例中，在器件中的材料层上形成特征的方法包括以下步骤：脉冲第一反应剂气体混合物至设置于处理腔室中的基板的表面以在基板表面上形成材料层的第一单层、引导高能辐射以处理第一单层的第一区，及脉冲第二反应剂气体混合物至基板表面以选择性地在第一单层的第二区上形成第二单层
原子沉积光刻技术

[发明专利]原子层沉积的技术-CN200780050199.7无效
发明人：维克拉姆·辛;哈勒德·M·波辛;艾德蒙德·J·温德;安东尼·雷诺;乔治·D·帕帕守尔艾迪斯 -专利权人：瓦里安半导体设备公司
申请日： 2007-12-03 - 公布日： 2010-01-20 - 主分类号： C23C16/455 文献下载
摘要：一种原子层沉积的技术。在一实施例中，此技术为一种应变薄膜的形成方法。此方法可包括向基板表面供应一种或多种前驱物质，此前驱物质具有至少一第一物种的原子以及至少一第二物种的原子，从而在基板表面上形成一层前驱物质。此方法还包括将基板表面暴露于等离子体产生的第三物种的亚稳态原子，其中亚稳态原子从基板表面脱附所述至少一第二物种的原子，以形成所述至少一第一物种的原子层。通过控制原子层沉积工艺中的一种或多种参数，可达成至少一第一物种的所述原子层内的期望的应力大小。
原子沉积技术

[发明专利]一种改善塑胶表面光学薄膜在氙灯照射试验中的膜裂的方法-CN202310369443.7在审
发明人：潘永刚;林兆文;王奔;付秀华 -专利权人：中山吉联光电科技有限公司;长春理工大学中山研究院
申请日： 2023-04-07 - 公布日： 2023-07-25 - 主分类号： C23C14/08 文献下载
摘要：本发明属于光学薄膜技术领域，尤其是涉及一种改善塑胶表面光学薄膜在氙灯照射试验中的膜裂的方法。本发明采用原子层沉积技术(ALD)与物理气相沉积技术(PVD)组合的沉积方式，首先，在塑胶基底上采用ALD技术制备水汽阻隔粘结层，然后采用PVD技术制备减反射膜，实现塑胶基底表面沉积减反射膜，该方法沉积的减反射膜可以顺利通过氙灯
一种改善塑胶表面光学薄膜氙灯照射试验中的方法

[发明专利]一种超高速电机轴承表面处理方法-CN201911252427.X有效
发明人：廖斌;欧阳晓平;华青松;罗军;陈琳;张旭;吴先映;庞盼;韩然;英敏菊 -专利权人：北京师范大学;稳力（广东）科技有限公司
申请日： 2019-12-09 - 公布日： 2021-03-30 - 主分类号： C23C14/22 文献下载
摘要：本发明公开了一种超高速电机轴承表面处理方法，包括以下步骤：1)表面喷砂处理：对轴承进行干喷表面处理，处理后表面粗糙度Ra不大于0.5；2)高温下气体刻蚀：利用真空腔室对轴承进行进一步表面处理，真空腔室内温度为0‑650℃；3)喷涂聚合物纳米颗粒涂层：对轴承基体表面喷涂纳米复合涂层；4)抛光处理；5)离子束沉积超硬超韧涂层：利用低能磁过滤沉积技术对轴承基体进行表面沉积，以TiSi靶为阴极材料，起弧电流为100‑140A，沉积时通入乙炔和氮气，乙炔和氮气的比值大于4：1。本发明通过采用耦合气体离子源技术、离子注入技术、磁过滤沉积技术以及热喷涂技术对轴承进行表面处理，以提高超高速电机的起停次数等关键技术指标。
一种超高速电机轴承表面处理方法

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