专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]粗糙化陶瓷表面的方法-CN02806155.1有效
  • E·C·韦尔登;Y·何;H·王;C·C·斯托 - 应用材料有限公司
  • 2002-11-20 - 2004-05-12 - C04B41/91
  • 本发明揭示了一种通过在陶瓷表面形成机械联锁而使陶瓷表面粗糙化的方法,其中机械联锁是通过化学蚀刻、热蚀刻、或使用激光显微机加工法形成的。本发明还揭示了在半导体处理室中使用的部件(尤其是在PVD室中使用的沉积环),这些部件具有至少一个已经在其上通过化学蚀刻、热蚀刻、和激光显微机加工形成机械联锁的陶瓷表面。按照本发明的化学蚀刻法、热蚀刻法、和激光显微机加工法粗糙化的陶瓷表面,与使用传统喷砂技术粗糙化的陶瓷表面相比,脆性和损坏降低。本发明的方法产生了一种对上方牺牲层(例如铝)有良好粘合性的粗糙化的陶瓷表面
  • 粗糙陶瓷表面方法
  • [发明专利]共振隧穿微机力传感器及其制造方法-CN200410091549.2无效
  • 郭琳瑞;叶雄英;周兆英;杨兴 - 清华大学
  • 2004-11-19 - 2005-06-29 - G01L1/00
  • 共振隧穿微机力传感器及其制造方法,属于微机电系统和传感技术领域。为了增加隧穿间隙以降低制造和控制的难度、提高传感器灵敏度,本发明公开了一种共振隧穿微机力传感器,主要结构由上、下两个硅片组成,上硅片下表面生长有隧穿阳极,下硅片上表面与隧穿阳极对应位置处生长有隧穿阴极,隧穿阴极表面生长具有多薄层结构的隧穿结,多薄层结构由绝缘体性材料和金属性材料交替结合而成,或由不同带隙的半导体材料交替结合而成。本发明还公开了制造所述微机力传感器的方法。本发明所述微机力传感器具有灵敏性高、功耗低、噪声低、温度系数小等优点,而且加工工艺简单,适合大批量生产,易于推广应用。
  • 共振微机传感器及其制造方法
  • [发明专利]一种全解耦振动式微机陀螺-CN200910243960.X有效
  • 高宏;王庆 - 紫光股份有限公司
  • 2009-12-25 - 2010-06-30 - B81B7/02
  • 本发明涉及一种全解耦振动式微机陀螺,属于微机电系统中的惯性传感器技术领域。驱动质量块弹性支撑梁通过立柱固定在基片上,驱动质量块为方框形,其四角通过弹性支撑梁与立柱相连。检测电容固定电极固定在微机陀螺的基片上,检测电容可动电极固定在检测质量块下表面的绝缘层上,并通过导电柱与检测质量块导通。本发明的微机陀螺,从结构设计上完全消除了驱动方向的振动对检测电容的干扰,提高了微机陀螺灵敏度,而且不增加工艺难度和加工成本,易于批量生产。
  • 一种全解耦振动式微机械陀螺

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