专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]表面声波元件表面声波元件的制造方法-CN200510125795.X无效
  • 古畑诚;后藤健次;佐藤久克 - 精工爱普生株式会社
  • 2005-12-01 - 2006-06-07 - H03H9/25
  • 表面声波元件及其制造方法。本发明的课题是提供具有良好的频率特性和通过特性的表面声波元件和该表面声波元件的制造方法。作为解决手段,表面声波元件(10)在半导体基板(硅层50)的同一平面上并列地形成有半导体配线区域(20)和SAW区域(30),在晶片(1)上以栅格状布置表面声波元件(10),并且将相邻的表面声波元件(10)上所形成的半导体配线区域(20)和所述SAW区域(30)布置成相间方格状,在半导体配线区域(20)和SAW区域(30)的上面形成同一平面的绝缘层(71~74),在最上层的绝缘层(74)的表面上形成压电层(90),在SAW区域(30)的压电层(90)的表面上形成IDT(40)。
  • 表面声波元件制造方法
  • [发明专利]表面声波元件的制造方法、表面声波元件-CN200710004286.0无效
  • 矢岛有继;樋口天光;槽谷良和 - 精工爱普生株式会社
  • 2007-01-19 - 2007-07-25 - H03H3/08
  • 本发明提供表面声波元件的制造方法、表面声波元件。一种实现小型薄型化且容易进行封装的具有高可靠性的表面声波元件的制造方法。表面声波元件(10)在半导体基板(20)的表面上形成梳齿状IDT电极(60),该表面声波元件(10)的制造方法包括:在半导体基板(20)的有源面侧的表面形成绝缘层(21~23)的工序;在绝缘层(23)的整个表面形成基台层(30)的工序;对基台层(30)的表面进行平坦化处理的工序;在平坦化处理后的基台层(30)的表面形成压电体(51)的工序;在压电体(51)的表面形成IDT电极(60)的工序;在基台层(30)的表面周缘部形成堤(41)的工序,该堤(41)比从基台层(30)的表面到IDT电极(60)表面的高度高,而且包围压电体(51)和IDT电极(60)。
  • 表面声波元件制造方法
  • [发明专利]高频表面声波元件-CN200810133907.X有效
  • 施文钦;黄瑞成 - 大同股份有限公司;大同大学
  • 2008-07-15 - 2010-01-20 - H03H9/25
  • 本发明是一种高频表面声波元件,尤指一种可通过与制造一低频表面声波元件相同的工艺设备及材料而制成的高频表面声波元件。本发明的高频表面声波元件包括:一压电基板;一高声速层,形成于此压电基板的表面,且此高声速层的表面声波声速大于5000m/sec;一输入转换部;以及一输出转换部;其中,此输入转换部与此输出转换部成对地设置于此高声速层的表面或下方此外,本发明的高频表面声波元件的高声速层的材质较佳为氧化铝,其厚度较佳介于2μm至20μm之间并较佳通过电子束蒸镀的方式形成于压电基板的表面
  • 高频表面声波元件
  • [发明专利]表面安装型元件-CN201310241364.4有效
  • 石川贵之;佐藤信一;赤池和男 - 日本电波工业株式会社
  • 2013-06-18 - 2017-10-03 - H03H3/02
  • 本发明提供一种表面安装型元件,利用一体形成有多个引脚的引脚转接器将基底基板与主基板加以连接,使自动安装成为可能,焊料连接也可以借由回流焊接来实现,能够提高设计的自由度,还能够满足顾客的要求。所述表面安装型元件是将引脚转接器(5)搭载于基底基板(1),所述引脚转接器(5)一体形成有多个引脚(6),将引脚(6)的前端插入至形成于主基板(2)的相对应的位置的孔中,将基底基板(1)与主基板(2)加以连接
  • 表面安装元件
  • [发明专利]高频表面声波元件-CN200810160835.8无效
  • 施文钦;王茂进 - 大同股份有限公司;大同大学
  • 2008-09-16 - 2010-03-24 - H03H9/02
  • 本发明是一种高频表面声波元件,尤指一种可通过调整其所具的纳米钻石膜层的厚度而轻易地调整其中心频率的高频表面声波元件。本发明的高频表面声波元件包括:一硅基板;一纳米钻石膜层,是位于此硅基板之上;一压电层,形成于此纳米钻石膜层的表面;一输入转换部;以及一输出转换部;其中,此输入转换部与此输出转换部成对地设置于此压电层的表面或其下方
  • 高频表面声波元件

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