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- [发明专利]单晶薄膜键合体及其制造方法-CN201510891747.5在审
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胡文
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济南晶正电子科技有限公司
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2015-12-04
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2016-03-23
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C23C14/22
- 本发明提供了一种单晶薄膜键合体和一种制造单晶薄膜键合体的方法,所述单晶薄膜键合体包括硅基底、铌酸锂单晶薄膜或钽酸锂单晶薄膜以及位于硅基底与铌酸锂单晶薄膜或钽酸锂单晶薄膜之间的硅基薄膜,其中,硅基薄膜通过沉积形成在铌酸锂单晶薄膜或钽酸锂单晶薄膜上,并通过直接键合法与硅基底进行键合,硅基薄膜为硅薄膜、二氧化硅薄膜或氮化硅薄膜。本发明的三层结构的单晶薄膜键合体能够有效地降低甚至消除在钽酸锂或铌酸锂单晶薄膜和硅基板之间的界面对光波和声波的反射作用,并且降低或消除了界面间的反射作用对于光或声波信号所造成的干扰。
- 薄膜合体及其制造方法
- [发明专利]层叠薄膜的剥离方法及功能性薄膜的制造方法-CN201610027801.6在审
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大场孝浩;楠本将之
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富士胶片株式会社
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2016-01-15
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2016-08-24
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B32B38/10
- 本发明提供一种能够抑制对功能性薄膜造成损伤的层叠薄膜的剥离方法及功能性薄膜的制造方法。本发明的层叠薄膜的剥离方法,其具有:输送层叠薄膜(10)的工序,所述层叠薄膜具有基材薄膜(12)和层叠于基材薄膜(12)上的功能性薄膜(14);及剥离工序,其中,通过第1辊(122)和直径比第1辊(122)小的第2辊(124),用第1辊(122)从基材薄膜(12)的一侧夹持被输送的层叠薄膜(10)、且用第2辊(124)从功能性薄膜(14)的一侧夹持被输送的层叠薄膜(10),并将功能性薄膜(14)卷绕于所述第2辊(124)上,将基材薄膜(12)卷绕于第1辊(122)上,从而彼此剥离为基材薄膜(12)和功能性薄膜(14)。
- 层叠薄膜剥离方法功能制造
- [发明专利]一种薄膜分割拼接方法-CN202010841577.0在审
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侯文涛;赵夕山;秦彦
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上海紫华薄膜科技有限公司
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2020-08-20
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2020-11-24
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B65H21/00
- 本发明提供了一种薄膜分割拼接方法,包括以下步骤:将薄膜放在负压平台上,位于负压平台后方的收卷机构对薄膜进行收卷;当发现所述薄膜上存在瑕疵部分时,用切刀将薄膜分切为完好的前段和带有瑕疵部分的后段;将后段薄膜向前拉动一段距离,使后段薄膜上的瑕疵部分重叠在前段薄膜上;微调后段薄膜的前后位置,使后段薄膜与前段薄膜的印花重合,用双面胶将前段薄膜和后段薄膜粘在一起,用切刀切下后段薄膜的重叠部分;所述收卷机构继续对所述薄膜进行收卷。采用这种方法,能够方便的对两段薄膜进行拼接,并能使拼合后的薄膜印花保持对齐状态,相比现有手工对齐拼接的手法具有显著的进步。
- 一种薄膜分割拼接方法
- [发明专利]一种TFT阵列基板结构及其制作方法-CN202011059559.3在审
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温质康;苏智昱;乔小平
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福建华佳彩有限公司
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2020-09-30
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2021-01-15
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H01L27/12
- 本发明提供了一种TFT阵列基板结构及其制作方法,在缓冲层上沉积初始化的IGZO薄膜;在初始化的IGZO薄膜上涂布PI薄膜后,对涂布了PI薄膜的IGZO薄膜进行蚀刻;待涂布了PI薄膜的IGZO薄膜蚀刻完成后,从蚀刻后的IGZO薄膜上剥离所述PI薄膜,得到最终的IGZO薄膜;使用PI薄膜对IGZO薄膜进行保护,将IGZO薄膜与光刻胶隔开,不让IGZO薄膜与光刻胶直接进行接触,在蚀刻IGZO薄膜时保护了不需蚀刻的部分,且PI薄膜相较于光刻胶更加便于剥离,避免了剥离光刻胶时对IGZO薄膜造成的影响,减小了对IGZO膜质的伤害,保证了电子迁移率,能够提高TFT器件的稳定性,进一步保证良好的显示效果。
- 一种tft阵列板结及其制作方法
- [发明专利]一种薄膜拉伸试验方法-CN202110466865.7在审
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尹远;谢名优;黄晓佳;王培玉
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汕头东风印刷股份有限公司
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2021-04-28
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2021-07-23
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G01N3/02
- 本发明涉及薄膜拉伸技术领域,公开了一种薄膜拉伸试验方法,包括以下步骤:采用挤出铸片机挤出薄膜厚片;选取铸片卷中间的均匀部位,裁切出方形铸片;将裁切好的铸片夹持在所述薄膜拉伸夹持装置上;移动所述薄膜拉伸夹持装置,使其依次经过所述铸片安装箱体、所述薄膜拉伸箱体、所述薄膜定型箱体、所述薄膜冷却箱体和所述薄膜取出箱体;取出拉伸后的薄膜。本发明通过在薄膜拉伸后继续在薄膜定型箱体内定型、在薄膜冷却箱体内冷却,使得薄膜拉伸后可以在最佳温度下连续定型与冷却,从而完全模拟双向拉伸薄膜的拉伸、定型与冷却的全过程,减小了实验获得的薄膜样品与实际生产的薄膜产品性能差异
- 一种薄膜拉伸试验方法
- [发明专利]压电薄膜片和压电薄膜传感器-CN202111065213.9在审
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宋细彬
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深圳市真元天成科技有限公司
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2021-09-11
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2022-01-14
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H01L41/113
- 本发明涉及传感器技术,公开了一种压电薄膜片和压电薄膜传感器,主要解决传统的压电薄膜制成的压电薄膜传感器无法灵敏地检测通过空气传播的音波强度的问题。压电薄膜片包括压电薄膜层,压电薄膜层沿其纵向极化,压电薄膜片还包括覆盖在压电薄膜层上表面的正电极层和覆盖在压电薄膜层下表面的负电极层,压电薄膜层中具有若干空腔,各空腔沿压电薄膜层横向紧密排列在压电薄膜层中应用本发明提供的压电薄膜传感器检测压力时,当音波传递到压电薄膜片上时,压电薄膜层内紧密排列的空腔产生腔体振动变形并作用于腔壁上,能够产生比传统压电薄膜更强的压电效应,从而提高对通过空气传播的音波的检测灵敏度
- 压电薄膜传感器
- [发明专利]一种薄膜分段加工装置-CN202111571181.X在审
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张涛;刘重阳;卢凯
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浙江耀阳新材料科技有限公司
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2021-12-21
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2022-05-13
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B65H20/02
- 本发明公开了一种薄膜分段加工装置,属于薄膜加工机械设备领域。该发明的薄膜进料导辊、薄膜压紧机构、分段拉膜机构和薄膜传送机构沿薄膜传送方向依次设置于薄膜传送支架,两个压膜往复转盘之间的薄膜传送支架上水平固定设置有薄膜加工系统,上压膜板和下压膜板为上下对称设置,分段拉膜支架竖直滑动设置于拉膜往复导杆,拉膜转动圆盘与分段拉膜支架之间设置有分段拉膜连杆,薄膜传送电机与薄膜传送拉辊之间采用薄膜传送皮带传动连接。本发明结构设计合理,可以连续顺畅的将薄膜分段间歇传送,并能在薄膜停止传送过程中将薄膜两侧压紧固定进行加工,确保薄膜高效平稳的生产加工,满足薄膜加工使用的需要。
- 一种薄膜分段加工装置
- [发明专利]一种薄膜厚度检测方法-CN201811103276.7有效
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王顺
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青岛华泰瑞特机电科技有限公司
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2018-09-20
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2020-02-21
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G01B11/06
- 本发明属于薄膜测量技术领域,具体的说是一种薄膜厚度检测方法,该方法包括以下步骤:S1,将待检测的薄膜固定在薄膜厚度检测仪上;S2,启动S1中的薄膜厚度检测仪对薄膜的厚度进行检测;S3,S2中检测完成后,对检测后的薄膜进行加热,并利用温度传感器对薄膜的温度进行检测,当薄膜的整体周围环境温度达到预设值时,再次对薄膜的厚度进行检测;S4,改变薄膜的温度,测量多组薄膜在不同温度下的厚度。本方法通过采用薄膜厚度检测仪实现对薄膜厚度的测量,且通过改变薄膜周围整体的温度,实现在不同温度下对薄膜厚度的测量,从而便于研究薄膜受温度的影响规律。
- 一种薄膜厚度检测方法
- [发明专利]一种薄膜取向特性检测装置及其应用-CN201310661774.4有效
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张继中
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东南大学
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2013-12-09
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2014-03-26
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G01N21/21
- 本发明涉及薄膜取向特性检测装置,特别是将薄膜拉伸程度与薄膜取向程度通过本发明装置进行对比检测以了解薄膜拉伸状态与薄膜取向特性之间的关系,从而为材料表征及与薄膜取向特性相关功能器件的设计提供基础。该装置由用于固定薄膜的薄膜固定组件(3)、用于测量薄膜长度的长度测量组件(2)及承载上述组件使得薄膜能够位于光谱通路的支架(1)组成;本发明首次将薄膜拉伸程度与薄膜取向特性检测功能统合至一个装置上,从而可以同时检测薄膜拉伸程度及薄膜取向特性,因此不仅可以减少操作误差、不同薄膜间的差异引入的误差,而且使得其能够适用于一些薄且强度较弱的薄膜的拉伸程度与取向特性的检测,因此有助于功能取向薄膜的进一步开发与应用。
- 一种薄膜取向特性检测装置及其应用
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