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[发明专利]一种基于结构函数的半导体器件寿命分析方法及系统-CN202111014636.8有效
发明人：杨连乔;张驰;简毛亮;张建华 -专利权人：上海大学
申请日： 2021-08-31 - 公布日： 2022-06-10 - 主分类号： G06F17/13 文献下载
摘要：本发明涉及一种基于结构函数的半导体器件寿命分析方法及系统。该方法包括：对待分析半导体器件进行寿命循环试验；对寿命循环试验后的待分析半导体器件进行热测试，得到待分析半导体器件的瞬态响应曲线；根据瞬态响应曲线确定待分析半导体器件的结构函数；待分析半导体器件的结构函数包括积分结构函数和微分结构函数；积分结构函数为待分析半导体器件的热阻与热容之间的函数，微分结构函数为待分析半导体器件的热阻与热容对热阻一阶导数之间的函数；根据积分结构函数和微分结构函数对待分析半导体器件内部的各层结构进行分析，得到待分析半导体器件的寿命分析结果本发明可以实现半导体内部结构的分析，从而指导半导体性能的优化。
一种基于结构函数半导体器件寿命分析方法系统

[发明专利]显示光学薄膜-CN200410082298.1无效
发明人： E·G·奥尔查克 -专利权人：通用电气公司
申请日： 2004-12-31 - 公布日： 2005-08-17 - 主分类号： G02B1/10 文献下载
摘要：该光学薄膜包括由第二表面结构函数调节的第一表面结构函数所定义的第一表面，以致该第一表面用于漫射入射至薄膜上的光，其中第一表面结构函数具有微透镜结构的函数，且第二表面结构函数具有提供漫射光的特性。该光学薄膜可被包含在许多光学设备和结构中。
显示光学薄膜

[发明专利]光学基板及其制造方法-CN200580048174.4无效
发明人：尤金·奥尔克扎克 -专利权人：通用电气公司
申请日： 2005-12-16 - 公布日： 2008-02-06 - 主分类号： G02B5/02 文献下载
摘要：所述光学基板由第一表面结构函数和第二表面结构函数定义，所述第一表面结构函数从第一输入光束产生至少一个输出镜面分量。所述第二表面结构函数的几何形状具有至少伪随机特性以调制所述第一表面结构函数，使得所述光学基板的表面从第一输入光束产生镜面和散射光。所述光学基板适用于各种应用，包括增亮和投影设备。
光学及其制造方法

[发明专利]光学基底及其制造方法-CN03816663.1有效
发明人：尤金·G·奥尔克扎克 -专利权人：通用电气公司
申请日： 2003-05-13 - 公布日： 2005-09-14 - 主分类号： G02B5/02 文献下载
摘要：光学基底是由第一表面结构函数定义的，第一表面结构函数由第二表面结构函数调制，第一表面结构函数从第一输入光束中产生至少一个镜像分量。光学基底适用于多种应用，包括亮度增强和投影器件在内。
光学基底及其制造方法

[发明专利]一种利用相位结构函数增量比选取最优谐波次数的方法-CN201811296268.9有效
发明人：刘涛;张景芝;雷艳旭;孙春阳;朱聪 -专利权人：华北电力大学（保定）
申请日： 2018-11-01 - 公布日： 2023-05-12 - 主分类号： G06F30/20 文献下载
摘要：一种利用相位结构函数增量比选取最优谐波次数的方法，用于提高最优谐波次数选取的准确度，其技术方案是，所述方法首先选取大气湍流相位功率谱密度模型，得到相应的相位结构函数理论值；然后选取参考点位置并给出满足相位屏准确性要求的相位结构函数增量比的取值范围；最后将该相位结构函数增量比的取值范围作为选取最优谐波次数的结束条件，通过计算不同谐波次数时的相位结构函数增量比得到所需的最优谐波次数。本发明根据满足相位屏准确性要求的相位结构函数增量比的取值范围确定最优谐波次数选取的结束条件，不仅能够准确地选出所需的最优谐波次数，降低计算复杂度，而且应用范围广，对三种常用的相位功率谱密度模型均适用。
一种利用相位结构函数增量选取最优谐波次数方法

[发明专利]一种复杂表决系统的可靠性建模与解算方法-CN201210058508.8有效
发明人：孙宇锋;常增柱;许健;赵广燕 -专利权人：北京航空航天大学
申请日： 2012-03-07 - 公布日： 2012-09-12 - 主分类号： G06F19/00 文献下载
摘要：一种复杂表决系统的可靠性建模与解算方法，其步骤如下：1，搜索可靠性框图中的全部最小路集，生成全系统结构函数φ＝α+β，β为包含表决器VM的最小路集项；2，将β子图独立出来，并以表决器VM为节点分为两个子图，β＝η+θ，η称为广义表决结构；3，搜索η中起的S到各表决模块的最小路集，生成各表决模块的等效布尔结构函数λi；4，根据每个表决模块的λi，将广义表决结构转换为等效简单表决结构；5，采用表决系统结构函数法求解等效简单表决结构，即求解广义表决系统的结构函数η；6，用最小路集法求解VM到终点T的结构函数θ；7，分别求得β和φ，对φ进行BDD不交化求得不交化结构函数，进而求出系统可靠度R(φ)。
一种复杂表决系统可靠性建模方法

[发明专利]多面光学衬底及其制作方法和包括该多面光学衬底的背光显示器-CN200410103710.3无效
发明人： E·G·奥尔查克 -专利权人：通用电气公司
申请日： 2004-12-30 - 公布日： 2005-07-13 - 主分类号： G02F1/133 文献下载
摘要：该光学衬底包括至少一个棱镜结构。该至少一个棱镜结构中的每个具有特征为由第二表面结构函数调制的第一表面结构函数的第一表面，该第一表面结构函数的特征是使得该至少一个棱镜结构中的每个具有这样的横截面，该横截面具有至少一个弯曲侧面以使入射到该衬底上的光散焦漫射该第二表面结构函数的特征是为入射到该衬底上的光提供额外的漫射。
多面光学衬底及其制作方法包括背光显示器

[发明专利]一种半导体器件封装结构中单区域热阻提取方法-CN202210369018.3在审
发明人：罗昕;黄书藤;郭醒;徐龙权;王光绪;蔡丰任;叶继发;张建华;付江;李宁 -专利权人：南昌大学;南昌硅基半导体科技有限公司
申请日： 2022-04-08 - 公布日： 2022-07-29 - 主分类号： G01N25/20 文献下载
摘要：本发明提供了一种半导体器件封装结构中单区域热阻提取方法，步骤包括：制备热阻待提取区域采用不同材料或工艺的半导体器件样品1和样品2；测试样品1、样品2的热阻分别得到积分结构函数，并获得各自结壳热阻坐标(x/base:Sub>,y1)和(x1´,y1´)；对比样品1与样品2的积分结构函数曲线，得到两条积分结构函数曲线的分离点(x2,y2)；对其中样品1的积分结构函数曲线平移使其原(x1,y1)坐标和样品2积分结构函数曲线坐标点(x1´,y1本发明解决了现有技术难以对斜率变化不明显的积分结构函数曲线进行分析，并对区域热阻进行提取的问题。
一种半导体器件封装结构区域提取方法

[发明专利]一种波前结构函数的快速计算方法-CN201710316115.5有效
发明人：安其昌;张景旭;杨飞;赵宏超 -专利权人：中国科学院长春光学精密机械与物理研究所
申请日： 2017-05-08 - 公布日： 2020-07-03 - 主分类号： G06F30/20 文献下载
摘要：一种波前结构函数的快速计算方法，涉及波前质量评价领域，解决了现有计算方法存在的不能有效表征大口径望远镜主镜面形全频域特征的问题。该方法包括：步骤一、计算大口径望远镜主镜原始面形的两个正交方向的结构函数；步骤二、将原始面形进行旋转；步骤三、将旋转后的原始面形插值为规则网格，重复步骤二，直到将原始面形旋转多次后结束；步骤四、通过平方平均的方法得到最终的结构函数本发明利用镜面结构函数进行频域表达，结合功率谱进行计算，可以极大的提高计算效率。
一种结构函数快速计算方法

[发明专利]基于无关性覆盖模型的动态故障树可靠性分析方法-CN202110871720.5在审
发明人：向剑文;周四维;叶璐瑶;熊盛武 -专利权人：武汉理工大学
申请日： 2021-07-30 - 公布日： 2021-11-16 - 主分类号： G06F11/36 文献下载
摘要：本发明涉及一种基于无关性覆盖模型的动态故障树可靠性分析方法，包括如下步骤：S1、利用基于时序结构函数的代数框架对动态故障树进行解析，从而得到动态故障树的基于覆盖失效事件的代数结构函数；S2、针对代数结构函数，利用改进后的最小无关触发的计算方法得出每个变量的最小无关触发；S3、根据步骤S2中的每个变量的最小无关触发，获取动态故障树基本事件关于未覆盖失效的限制表达式；S4、根据步骤S2中的代数结构函数和步骤S3中的未覆盖失效的表达式，获取基于代数结构函数的系统无关性覆盖模型的表达式。
基于无关覆盖模型动态故障可靠性分析方法

[发明专利]氮化镓功率器件管壳接触热阻测量方法-CN201610485401.X有效
发明人：梁法国;翟玉卫;刘岩;吴爱华;乔玉娥;郑世棋;刘霞美 -专利权人：中国电子科技集团公司第十三研究所
申请日： 2016-06-28 - 公布日： 2019-01-04 - 主分类号： G01N25/20 文献下载
摘要：本发明包括以下步骤：用瞬态红外测温设备测量器件两种接触热阻条件下的降温曲线；用结构函数法得到两条降温曲线的两条积分结构函数曲线；利用积分结构函数曲线得到结壳热阻的值，即接触热阻的起点；平移低热阻曲线得到高热阻条件下的接触热阻本发明利用瞬态红外测温设备测量器件在两种不同热阻抗条件下的降温曲线，用结构函数法分析两条降温曲线，得到积分结构函数曲线，经过两次曲线对比确定接触热阻，实现对氮化镓功率器件管壳与载体接触热阻的测量，准确性高
氮化功率器件管壳接触测量方法

[发明专利]架车举升工具的设计方法、装置、电子设备及存储介质-CN202211059022.6在审
发明人：黎莎;石磊 -专利权人：北京铁道工程机电技术研究所股份有限公司
申请日： 2022-08-30 - 公布日： 2022-11-01 - 主分类号： G06F30/17 文献下载
摘要：其中，该方法包括：获取为架车举升工具构建的目标结构函数以及为目标结构函数设置约束条件，目标结构函数是基于架车举升工具的第一结构参量构建的；在约束条件下调整架车举升工具的第二结构参量，使得目标结构函数满足目标条件；基于第一结构参量和第二结构参量设计架车举升工具。本申请提供的技术方案，可以在满足架车举升工具的使用寿命的条件下，又能使升降螺旋副结构紧凑，减轻重量、节省材料和降低成本。
架车举升工具设计方法装置电子设备存储介质

[发明专利]一种确定VVER型反应堆压力容器的辐照硬化的方法-CN202210002806.9在审
发明人：吴石;贺新福;豆艳坤;王东杰;贾丽霞;曹金利;曹晗;赵永鹏;王瑾;杨文 -专利权人：中国原子能科学研究院
申请日： 2022-01-04 - 公布日： 2022-05-27 - 主分类号： G06F30/20 文献下载
摘要：包括：S1、修正第一弥散强化模型为第二弥散强化模型；其中，第一弥散强化模型表征材料的屈服应力增量与第一参数、缺陷数量以及缺陷尺寸之间的关系，第二弥散强化模型表征材料的屈服应力增量与第二参数以及辐照缺陷结构函数之间的关系；第一参数为缺陷尺寸的函数，第二参数与缺陷尺寸无关；辐照缺陷结构函数为缺陷数量和缺陷尺寸的函数；S2、确定第二弥散强化模型的第二参数；S3、获取辐照缺陷结构函数与中子注量之间的关系；S4、根据辐照缺陷结构函数与中子注量之间的关系以及第二弥散强化模型
一种确定 vver 反应堆压力容器辐照硬化方法

[发明专利]半导体内部结构信息识别方法、系统、设备及介质-CN202211362795.1在审
发明人：张毅 -专利权人：张毅
申请日： 2022-11-02 - 公布日： 2023-01-20 - 主分类号： G01R31/26 文献下载
摘要：本公开实施例中提供了一种半导体内部结构信息识别方法、系统、设备及介质，属于电学技术领域，具体包括：步骤1，利用预设方法获取待测半导体的瞬态温度响应曲线；步骤2，根据所述瞬态温度响应曲线计算瞬态热阻抗曲线；步骤3，根据所述瞬态热阻抗曲线计算所述待测半导体的待求结构函数；步骤4，将所述待求结构函数通过Foster转Cauer变换获得结构函数。通过本公开的方案，从时域直接将反卷积的过程转化为优化问题并求解，避免使用具有数学病态的频域反卷积计算，以使得获得的结构函数具有更接近理想状态的拐点，准确辨识结构参数的变化，提高了识别精准度。
半导体内部结构信息识别方法系统设备介质

[发明专利]一种用于城市地区的颗粒物光学厚度遥感监测方法-CN201410158796.3无效
发明人：孙林 -专利权人：山东科技大学
申请日： 2014-04-21 - 公布日： 2014-07-30 - 主分类号： G01S17/95 文献下载
摘要：MODIS数据的预处理，包括几何纠正，云识别，清晰图像的大气纠正；根据预处理后得到的清晰图像和待反演图像的几何参数，耦合构建的城市地区BRDF模型，获取待反演图像的地表反射率；针对城市地区这一特殊的地表结构，提出改进的结构函数法，计算待反演图像的地表反射率结构函数值和表观反射率的结构函数值；最后根据待反演影像的几何条件构建反演颗粒物光学厚度的查找表，通过该影像的地表反射率及表观反射率的结构函数值查找其气溶胶光学厚度改进的结构函数计算方法能有效降低由于多幅图像的匹配误差对计算结果的影响，在城市地区具有更高的稳定性，提高了颗粒物光学厚度反演的准确性。
一种用于城市地区颗粒光学厚度遥感监测方法

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