专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]多层涂形成方法-CN201880062361.5有效
  • 仓持龙生;冈崎纮和;成田信彦 - 关西涂料株式会社
  • 2018-09-28 - 2022-05-27 - B05D1/36
  • 本发明提供了一种多层涂形成方法,其包括下述步骤(1)~(4):(1)在被涂物上涂装基底涂料(X)以形成基底涂的步骤,(2)在步骤(1)中形成的基底涂上涂装特定的效应颜料分散体(Y)以形成具有特定干厚度的效应涂的步骤,(3)在步骤(2)中形成的效应涂上涂装透明涂料(Z)以形成透明涂的步骤,以及(4)通过对步骤(1)~(3)中形成的未固化的所述基底涂、未固化的所述效应涂和未固化的所述透明涂进行加热来使这三种涂同时固化的步骤
  • 多层形成方法
  • [发明专利]玻璃卷筒的制造方法及玻璃卷筒-CN201880025472.9有效
  • 森弘树 - 日本电气硝子株式会社
  • 2018-03-29 - 2022-10-28 - C03C17/42
  • 本发明提供玻璃卷筒的制造方法及玻璃卷筒,玻璃卷筒的制造方法包括:玻璃供给工序,将带状的第一玻璃(2A)向规定的方向送出;成工序,在第一玻璃(2A)的一个面(2a)上通过加热形成透明导电(3),从而形成第二玻璃(2B);保护供给工序,将具有粘接面的带状的保护(4)重叠于第二玻璃(2B)的另一个面(2b)而形成第三玻璃(2C);以及卷绕工序,将第三玻璃(2C)卷绕成卷筒状。
  • 玻璃卷筒制造方法
  • [发明专利]相移空白掩和光掩-CN201810513173.1有效
  • 南基守;申澈;金东建;李钟华;梁澈圭;崔珉箕 - 思而施技术株式会社
  • 2018-05-25 - 2023-09-08 - G03F1/26
  • 根据本公开的相移包括组成不同的多个层,其可以通过一种蚀刻剂进行蚀刻,并且形成为连续或多层,所述通过一次或多次层叠具有不同组成的层而具有至少两层。因此,不仅通过减小相移的厚度,而且还通过考虑各种变量从而使得在将相移图案化时,使边界部分的截面倾斜度变陡以获得更清晰的相移图案边界,由此确保了相移图案的透射率、相移量和均匀性,因此提供了这样的相移空白掩和光掩,其中光刻对象和相移图案的图案精度得以改善。
  • 相移空白光掩膜
  • [发明专利]一种新的贴工艺-CN201210423727.1无效
  • 王红亚 - 王红亚
  • 2012-10-30 - 2014-05-14 - B32B37/10
  • 本发明涉及一种新的贴工艺,其特征在于,所述工艺步骤如下:打开贴机开关;将贴机温度调节至50-55℃之间;用镊子将芯片夹起,查看芯片表面是否有杂物,若无,则将芯片有电极的一面向上放置到贴机上;将铁崩环放到贴机固定位置上,拉出白至崩环边缘,滚动贴机滚轴,白与芯片粘合在一起;将贴完的芯片按顺序放置到卡夹上。本发明通过对贴工艺进行改进,能够有效的降低贴出现的裂片率,从而降低了生产成本。
  • 一种工艺
  • [发明专利]一种防雾气PET保护-CN201210589690.X无效
  • 张俊杰 - 苏州培华电子材料有限公司
  • 2012-12-29 - 2013-04-03 - B32B27/06
  • 本发明公开了一种防雾气PET保护,包括PET离型、胶层和PET原,所述一种防雾气PET保护还包括防雾剂层,所述PET离型与PET原通过胶层贴合,所述PET原上覆有防雾剂层。通过上述方式,能够防止水汽在保护表面凝结而形成水滴或雾气,防雾气保护的使用,由于可以有效阻止保护表面的雾气,确保保护在使用中保持原有的透光性及透明度,可以保证日常的生产生活在不同的环境和天气下正常进行
  • 一种雾气pet保护膜
  • [发明专利]半导体装置的制造方法以及制造装置-CN99105497.0无效
  • 伊藤信和 - 日本电气株式会社
  • 1999-04-08 - 1999-10-13 - H01L21/3205
  • 一种半导体装置的制造方法是用夹具环遮蔽硅圆片的外周缘部由溅射法形成TiN势垒,然后用内径尺寸大的夹具环由溅射法形成Cu片。让Cu片覆盖TiN势垒在广面积上形成。即使在TiN势垒和Cu片覆成时发生位置错位,也可以防止TiN势垒露出,使得成在Cu片覆上的铜镀膜不会从TiN势垒上剥离,防止渣子的产生,抑制由于该渣子所造成的半导体装置的不合格品的产生,提高半导体装置的制造成品率
  • 半导体装置制造方法以及

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