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- [发明专利]铜催化形成碳－杂原子和碳－碳键的方法-CN03823286.3无效
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S·L·布赫瓦尔德;A·克拉帕斯;F·Y·邝;E·斯特雷特;J·扎农
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麻省理工学院
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2003-07-31
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2005-10-19
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C07C319/14
- 本发明的一个方面涉及铜催化的碳－杂原子和碳－碳成键方法。在某些实施方案中，本发明涉及铜催化的在硫羟化合物的硫原子与芳基、杂芳基或乙烯基卤化物或磺酸酯的活化碳之间形成碳－硫键的方法。在其它实施方案中，本发明涉及铜(II)催化的在酰胺氮原子与芳基、杂芳基、或乙烯基卤化物或磺酸酯的活化碳之间形成碳－氮键的方法。在有些实施方案中，本发明涉及铜催化的在氰离子的碳原子与芳基、杂芳基、或乙烯基卤化物或磺酸酯的活化碳之间形成碳－碳键的方法。在另一个实施方案中，本发明涉及铜催化转换芳基、杂芳基或乙烯基碘化物的方法。本发明的再一个实施方案涉及连续方法，它可以在单一反应器中进行，其中该方法的第一步包括由相应的芳基、杂芳基、或乙烯基氯化物或溴化物经铜催化形成芳基、杂芳基、或乙烯基碘；该方法的第二步包括将第一步中生成的芳基、杂芳基、或乙烯基碘化物经铜催化形成芳基、杂芳基、或乙烯基腈、酰胺或硫醚。
- 催化形成原子方法
- [发明专利]用于光电子应用的双核金属(I)络合物-CN201380068172.6在审
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D·沃尔兹;A·雅各布;T·鲍曼;T·治拉伯
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辛诺拉有限公司
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2013-12-16
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2015-08-26
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C07F1/08
- ，其中E＝RR'E*(如果E*＝N、P、As、Sb)或RE*(如果E*＝C*、O、S)，其中E*彼此独立地选自由N(其中N不是亚胺氮原子或N-杂芳环的一部分)、P、C*、O、S、As及Sb所组成的组，其中以及烷基、杂烷基、芳基、杂芳基、烯基、炔基或经取代的烷基、杂烷基、芳基、杂芳基及烯基(具有取代基，如卤素或氘、烷基、杂烷基、芳基、杂芳基)、及其它公知的供体及受体基团，以及CF3基团以及烷基、杂烷基、芳基、杂芳基、烯基、炔基或经取代的烷基、杂烷基、芳基、杂芳基及烯基(具有取代基，如卤素或氘、烷基、杂烷基、芳基、杂芳基)、及其它公知的供体及受体基团，以及CF3基团；其中D和E是不同的；“∩”＝由Q、Y和Z组成的三部分单元，它们彼此键结并且彼此独立地选自以下组，该组包括：NR、O、S及PR以及烷基、杂烷基、芳基、杂芳基、烯基、炔基或经取代的烷基、杂烷基、芳基、杂芳基及烯基(具有取代基，如卤素或氘、烷基、杂烷基、芳基、杂芳基)及其它公知的供体及受体基团，如例如胺、羧酸根及其酯，以及CF3基团；本发明还涉及所述络合物在光电子器件中、特别是在OLED中的应用
- 用于光电子应用金属络合物
- [发明专利]肟酯光敏引发剂-CN201380023834.8有效
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西前祐一;仓久敏;国本和彦;山上隆平;田中庆太
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巴斯夫欧洲公司
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2013-05-06
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2017-10-27
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C07D209/88
- 式I、II、III、IV或V的肟酯化合物为有效的光敏引发剂，其中Z为例如(式A)；Z1为例如NO2、未经取代或经取代的C7‑C20芳酰基或未经取代或经取代的C4‑C20杂芳酰基；条件为至少一个Z1不同于NO2；Z2为例如未经取代或经取代的C7‑C20芳酰基；R1、R2、R3、R4、R5和R6为例如氢、卤素、或未经取代或经取代的C1‑C20烷基、未经取代或经取代的C6‑C20芳基、或未经取代或经取代的C4‑C20杂芳基；R9、R10、R11、R12和R13为例如氢、卤素、OR16、未经取代或经取代的C1‑C20烷基；条件为R9与R13不为氢或氟；R14为例如未经取代或经取代的C6‑C20芳基或C3‑C20杂芳基；Q为例如C6‑C20亚芳基或C3‑C20亚杂芳基；Q1为‑C1‑C20亚烷基‑CO‑；Q2为亚萘甲酰基；Q3为例如亚苯基；L为例如O‑亚烷基‑O‑；R15为例如氢或C1‑C20烷基；R20为例如氢、或未经取代或经取代的C1‑C20烷基。
- 光敏引发
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